一种氮化钛薄膜的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种氮化钛薄膜的制作方法，涉及磁控溅射领域，旨在解决在陶瓷基板上制备氮化钛薄膜的技术问题，其技术方案要点是：将陶瓷基板放入磁控溅射镀膜机的真空室内，打开磁控溅射镀膜机的机械泵

【技术实现步骤摘要】
一种氮化钛薄膜的制作方法


[0001]本专利技术涉及磁控溅射
，更具体地说，它涉及一种氮化钛薄膜的制作方法。

技术介绍

[0002]由于陶瓷材料具有高导热、高耐热、高绝缘、耐腐蚀、抗辐射等技术优势，非常适合作为功率半导体器件封装基板。未来随着第三代半导体、5G通信等技术发展，陶瓷基板应用越来越广泛。
[0003]氮化钛(TiN)是一种具有高熔点、高导热性和高硬度材料，在许多领域都有广阔的应用前景。在集成电路中可作为扩撒阻挡层，且由于具有优异的导电性，TiN可做成各种电极以及点触头等材料。
[0004]磁控溅射是在高真空状态下，入射离子(Ar
+
)撞击靶材，使得靶材表面的原子(分子)获得足够的能量而脱离靶材，最终沉积在基体表面；这是一种物理气相沉积方法，其沉积速率快、沉积薄膜均匀性好，被广泛应用于薄膜制备领域。
[0005]但是如何在陶瓷基板上通过磁控溅射技术制备TiN薄膜，是目前行业内还没有公开过的技术，因此本专利技术提供一种在陶瓷基板上磁控溅射氮化钛薄膜的方法。
专利
技术实现思路

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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化钛薄膜的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：对陶瓷基板进行清洗并烘干；步骤2：将陶瓷基板放入磁控溅射镀膜机的真空室内，依次打开磁控溅射镀膜机的机械泵
→
分子泵
→
罗茨泵，对真空室进行抽真空，并对真空室进行加热；步骤3：通入氩气将真空室调至启辉压力5.0
×
10
‑1Pa左右，待钛靶启辉后通入氮气做反应气体，通过调整氩气注入量将真空室的压力从5.0
×
10
‑1Pa左右梯度调至镀膜压力2.0
×
10
‑1Pa左右，将磁控溅射电源功率调至11～13KW；步骤4：镀膜结束后关闭磁控溅射镀膜机罗茨泵
→
分子泵
→
机械泵，待真空室内压力和大气压力平衡，真空室温度降至100℃以下将基板取出。2.根据权利要求1所述的一种氮化钛薄膜的制作方法，其特征在于：在步骤2中，真空室的真空压力抽至1.0～3.0
×
10
‑3Pa。3.根据权利要求1所述的一种氮化钛薄膜的制作方法，其特征在于：在步骤2中，对真空室进行加热直至将陶瓷基板表面温度加热至300℃左右。4.根据权利要求1所述的一种氮化钛薄膜的制作方法，其特征在于：在步骤1中，将瓷片依次经碱水浸泡

【专利技术属性】
技术研发人员：刘井坤，管鹏飞，周鹏程，王斌，
申请(专利权)人：江苏富乐华功率半导体研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：