一种高瞬态响应的无片外电容LDO电路制造技术

本发明专利技术公开了一种高瞬态响应的无片外电容LDO电路，属于集成电路技术领域。本发明专利技术的LDO电路包括高增益运算放大器、输出模块和瞬态增强电路三个功能模块。该带路采用了自偏置结构与工作在亚阈值区的二极管连接的PMOS管，相比较常规结构有效地降低功耗，且显著减小了版图面积。同时本发明专利技术的LDO电路采用了米勒电容补偿结构，在无片外电容的情况下，有效地保持了电路的稳定性。另外，本发明专利技术的LDO电路采用了瞬态增强电路，当输出电流发生突变时，减少电路下冲，极大地减小输出恢复时间。极大地减小输出恢复时间。极大地减小输出恢复时间。

【技术实现步骤摘要】
一种高瞬态响应的无片外电容LDO电路


[0001]本专利技术涉及一种LDO电路，尤其是涉及一种高瞬态响应无片外电容的LDO电路，属于集成电路


技术介绍

[0002]LDO(low dropout regulator)低压差线性稳压器，具有成本低，外围电路简单，体积小，与供电电压压差小，噪声低等优点，在所有的电子设备中都具有广泛的应用。
[0003]传统的LDO电路设计由基准电压，运算放大器，PMOS驱动管，分压电阻等构成，分压电阻将采集到的信号输入到运算放大器，与基准电压相比较，运算放大器工作在深度负反馈，将比较结果驱动PMOS驱动管的栅极，实现在不同的电流负载下稳定输出电压。
[0004]但常规结构的LDO由于采用电阻分压，静态电流较大，效率较低，且输出端需要在片外使用一个较大的容值的电容从而稳定电路，这极大了增加了设计成本与板级设计难度，目前提出的无片外电容结构由于将系统极点置于片内，普遍有瞬态响应差，过冲大等问题，在使用上有较大的局限性。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于克服上述不足本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高瞬态响应的无片外电容LDO电路，其特征在于，包括：高增益运算放大器，用于在深度负反馈工作模式下比较输出电压与参考电压，并产生控制输出模块中PMOS输出管的输出，进而稳定PMOS输出管漏极的电压输出；输出模块，用于根据高增益运算放大器的输出控制PMOS输出管，PMOS输出管的漏极作为整体LDO电路的输出，并反馈到高增益运算放大器的另一输入端；同时在PMOS输出管的漏极与栅极之间使用米勒电容来保持电路稳定性；瞬态增强电路，具有三级反相器结构，用于以整体LDO电路的输出作为输入控制信号，其中第一级反相器用于控制翻转阈值，第二级反相器和第三级反相器作为缓冲器控制开关管的栅极，开关管的漏极接输出PMOS管的栅极，开关管的源极接地，当输出电流发生突变时能减少电路下冲，减小输出恢复时间。2.如权利要求1所述的高瞬态响应的无片外电容LDO电路，其特征在于，所述高增益运算放大器采用折叠式共源共栅结构。3.如权利要求1所述的高瞬态响应的无片外电容LDO电路，其特征在于，所述高增益运算放大器包括第一PMOS管(PM1)、第二PMOS管(PM2)、第三PMOS管(PM3)、第四PMOS管(PM4)、第五PMOS管(PM5)、第六PMOS管(PM6)、第七PMOS管(PM7)、第八PMOS管(PM8)、第九PMOS管(PM9)、第十PMOS管(PM10)、第一输入PMOS管(PMA)、第二输入PMOS管(PMB)、第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)、第三NMOS管(M3)、第四NMOS管(M4)、第五NMOS管(M5)、第六NMOS管(M6)、第七NMOS管(M7)、第八NMOS管(M8)；所述第一PMOS管(PM1)、第三PMOS管(PM3)、第五PMOS管(PM5)、第七PMOS管(PM7)、第九PMOS管(PM9)的源极均连接供电电源(Vdd)，第一PMOS管(PM1)的栅极和漏极、第三PMOS管(PM3)的栅极、第三PMOS管(PM3)的栅极、第五PMOS管(PM5)的栅极、第七PMOS管(PM7)的栅极以及第九PMOS管(PM9)的栅极连接第二PMOS管(PM2)的源极；第三PMOS管(PM3)的漏极连接第四PMOS管(PM4)的源极，第五PMOS管(PM5)的漏极连接第六PMOS管(PM6)的源极，第四PMOS管(PM4)的栅极连接第六PMOS管(PM6)的栅极，第七PMOS管(PM7)的漏极连接第八PMOS管(PM8)的源极，第九PMOS管(PM9)的漏极连接第十PMOS管(PM10)的源极；第二PMOS管(PM2)的栅极和漏极、第八PMOS管(PM8)的栅极、第十PMOS管(PM10)的栅极均连接外部电流源(Iref)；第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)、第三NMOS管(M3)、第四NMOS管(M4)、第五NMOS管(M5)和第七NMOS管(M7)的栅极相连，第四PMOS管(PM4)的漏极连接第一NMOS管(M1)的漏极，第一NMOS管(M1)的源极连接第二NMOS管(M2)的漏极，第二NMOS管(M2)的源极连接第三NMOS管(M3)的漏极，第三NMOS管(M3)的源极连接第四NMOS管(M4)的漏极，第四NMOS管(M4)、第六NMOS管(M6)、第八NMOS管(M8)的源极相接后接地；第六PMOS管(PM6)的漏极连接第一输入PMOS管...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐莹，吴晨杰，陈文睿，
申请(专利权)人：仕雄科技杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：