带隙基准电压源电路、集成电路及电子设备制造技术

本申请提供一种带隙基准电压源电路、集成电路及电子设备，涉及电路技术领域。该电路包括：第一组导通器件、第二组导通器件、第一反馈网络、第二反馈网络和运算放大器；第一组导通器件包括：多个第一导通器件，多个第一导通器件第一端连接第一反馈网络第一端，第一反馈网络第二端连接运算放大器负输入端，第一反馈网络第三端连接运算放大器输出端；第二组导通器件包括：多个第二导通器件，多个第二导通器件第一端连接第二反馈网络第一端，第二反馈网络第一端连接运算放大器正输入端，第二反馈网络第二端连接运算放大器输出端；多个第一导通器件和多个第二导通器件数量相等。本申请可以提高带隙基准电压源电路的温度特性。高带隙基准电压源电路的温度特性。高带隙基准电压源电路的温度特性。

【技术实现步骤摘要】
个第三三极管的基极分别连接所述n
‑
1个第三三极管的发射极。
[0007]在一种可能的实现方式中，所述第二组导通器件中还包括第四电阻，所述第四电阻连接在所述第二三极管的基极和所述第二三极管的发射极之间。
[0008]在一种可能的实现方式中，所述多个第一导通器件为n个第一三极管和一个第四三极管，所述多个第二导通器件为一个第二三极管和n个第三三极管；其中，所述n个第一三极管的集电极和所述第四三极管的集电极作为所述多个第一导通器件的第一端，所述n个第一三极管的发射极和所述第四三极管的发射极作为所述多个第一导通器件的第二端，所述n个第一三极管的基极分别连接所述n个第一三极管的集电极，所述第四三极管的基极连接所述第四三极管的发射极；所述第二三极管的集电极和所述n个第三三极管的集电极作为所述多个第二导通器件的第一端，所述第二三极管的发射极和所述n个第三三极管的发射极作为所述多个第二导通器件的第二端，所述第二三极管的基极连接所述第二三极管的集电极，所述n个第三三极管的基极分别连接所述n个第三三极管的发射极。
[0009]在一种可能的实现方式中，所述第二组导通器件中还包括第五电阻，所述第五电阻连接在所述第二三极管的基极和所述第二三极管的发射极之间。
[0010]在一种可能的实现方式中，所述多个第一导通器件为n个第一二极管，所述多个第二导通器件为n个第二二极管；其中，所述n个第一二极管的阳极分别作为所述多个第一导通器件的第一端，所述n个第一二极管的阴极分别作为所述多个第一导通器件的第二端；所述n个第二二极管的阳极分别作为所述多个第二导通器件的第一端，所述n个第二二极管的阴极分别作为所述多个第二导通器件的第二端。
[0011]在一种可能的实现方式中，所述第一反馈网络包括：第一电阻和第二电阻，所述第一电阻的一端作为所述第一反馈网络的第一端，第一电阻的另一端连接所述第二电阻的一端作为所述第一反馈网络的第二端，第二电阻的另一端作为所述第一反馈网络的第三端。
[0012]在一种可能的实现方式中，所述第二反馈网络包括：第三电阻，所述第三电阻的一端作为所述第二反馈网络的第一端，所述第三电阻的另一端作为所述第二反馈网络的第二端。
[0013]第二方面，本申请实施例还提供一种集成电路，包括：功能电路和如第一方面任一项所述的带隙基准电压源电路，所述带隙基准电压源电路与所述功能电路连接。
[0014]第三方面，本申请实施例还提供一种电子设备，包括：电路板和如第二方面所述的集成电路，所述集成电路置于所述电路板上。
[0015]本申请的有益效果是：本申请提供一种带隙基准电压源电路、集成电路及电子设备，通过设置第一组导通器件和第二组导通器件的数量，使第一组导通器件和第二组导通器件的数量之比为1：1，从而使第一组导通器件和第二组导通器件的漏电流相等，在此情况下，第一组导通器件和第二组导通器件的输入电流近似或者相等，在此情况下，消除因为漏电流对基准电压在高温情况下的影响，使得带隙基准电压源电路输出稳定的基准电压。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0017]图1为现有的带隙基准电压源电路的电路示意图；图2为本申请实施例提供的带隙基准电压源电路的结构示意图；图3为本申请实施例提供的带隙基准电压源电路的电路原理图一；图4为本申请实施例提供的带隙基准电压源电路的电路原理图二；图5为本申请实施例提供的带隙基准电压源电路的电路原理图三；图6为本申请实施例提供的带隙基准电压源电路的电路原理图四；图7为本申请实施例提供的带隙基准电压源电路的电路原理图五；图8为本申请实施例提供的效果对比图；图9为本申请实施例提供的集成电路的结构示意图；图10为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
[0018]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0019]因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0020]此外，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0021]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例中的特征可以相互结合。
[0022]请参考图1，为现有的带隙基准电压源电路的电路示意图，如图1所示，Q1和Q2的个数比为n：1，电阻R2与电阻R3的阻值相等，Q1的be端电压为Vbe1，Q2的be端电压为Vbe2，由于负反馈的作用，运算放大器的输入端电压vp=vn，该带隙基准电压源电路的输出电压可以表示为：Vbg=Vbe2+(Vbe2
‑
Vbe1)*R3/R1=Vbe1+Vt*ln(n)*(R3/R1)公式(1)由于Vbe2是负温度系数，Vt是正温度系数，通过调整R3/R1的比值，可以使得Vbg的电压随温度的变化很小，得到与温度无关的基准电压。
[0023]但是，传统的基准源电路存在一个不足，即导通器件Q1和Q2存在漏电流，低温时的漏电流比较小，可以忽略不计，但是在高温时，该漏电流非常大，导致带隙基准电压源电路输出的基准电压在高温时的温度特性十分差，随温度有较大的变化。
[0024]导通器件Q1的漏电流为I_leakge1，导通器件Q2的漏电流为I_leakge2，Q1的集电极电流为Ic1，Q2的集电极电流为Ic2，则带隙基准电压源电路的输出电压可以表示为：公式(2)其中，I_leakge1+Ic1=I_leakge2+Ic2，由于Q1和Q2大小不同，Ic1和Ic2不相等，使得公式(2)比公式(1)多了一个正温度系数项，导致输出电压Vbg的温度系数在高温时变差。
[0025]基于上述现有技术存在的技术问题，本申请实施例拟提供一种带隙基准电压源电路，克服因为漏电流带来的输出电压Vbg的温度系数在高温时变差的问题。
[0026]请参考图2，为本申请实施例提供的带隙基准电压源电路的结构示意图，如图2所示，该带隙基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带隙基准电压源电路，其特征在于，所述电路包括：第一组导通器件、第二组导通器件、第一反馈网络、第二反馈网络和运算放大器；其中，所述第一组导通器件包括：多个第一导通器件，所述多个第一导通器件的第一端连接所述第一反馈网络的第一端，所述第一反馈网络的第二端连接所述运算放大器的负输入端，所述第一反馈网络的第三端连接所述运算放大器的输出端，所述多个第一导通器件的第二端接地；所述第二组导通器件包括：多个第二导通器件，所述多个第二导通器件的第一端连接所述第二反馈网络的第一端，所述第二反馈网络的第一端还连接所述运算放大器的正输入端，所述第二反馈网络的第二端连接所述运算放大器的输出端，所述多个第二导通器件的第二端接地；其中，所述多个第一导通器件和所述多个第二导通器件的数量相等。2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述多个第一导通器件为n个第一三极管，所述多个第二导通器件为一个第二三极管和n
‑
1个第三三极管；其中，所述n个第一三极管的集电极作为所述多个第一导通器件的第一端，所述n个第一三极管的发射极作为所述多个第一导通器件的第二端，所述n个第一三极管的基极分别连接所述n个第一三极管的集电极；所述第二三极管的集电极和所述n
‑
1个第三三极管的集电极作为所述多个第二导通器件的第一端，所述第二三极管的发射极和所述n
‑
1个第三三极管的发射极作为所述多个第二导通器件的第二端，所述第二三极管的基极连接所述第二三极管的集电极，所述n
‑
1个第三三极管的基极分别连接所述n
‑
1个第三三极管的发射极。3.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第二组导通器件中还包括第四电阻，所述第四电阻连接在所述第二三极管的基极和所述第二三极管的发射极之间。4.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述多个第一导通器件为n个第一三极管和一个第四三极管，所述多个第二导通器件为一个第二三极管和n个第三三极管；其中，所述n个第一三极管的集电极和所述第四三极管的集电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈杰，
申请(专利权)人：成都市易冲半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：