超低ESR叠层铝固态铝电解电容器的制备方法技术

本发明专利技术公开了超低ESR叠层铝固态铝电解电容器的制备方法，方法步骤如下：S1：铝箔裁剪、冲切；S2：将冲切好的铝箔焊接至Bar条上；S3：化成与含浸；S4：将含浸后的电容器的高分子阴极层外包裹一层导电碳，将其固化，涂布银，碳层外包裹一层银层，将其固化，得到非常平整的单片电容器芯片；S5：将S4中浸碳后的单片电容器芯片堆叠在下引式引线框，阴极部分使用导电银胶涂布连接，固化，正极部分使用激光焊接；下引式引线框包括框体，框体两侧开有若干定位孔和基准腔，基准腔两侧设置有第一连接板和第二连接板，第一连接板一端下方固定设置有凸条，第二连接板一端固定设置有凹板。本发明专利技术减短了引线框正负极引出的距离，使产品具有更低的ESR和ESL。ESL。ESL。

【技术实现步骤摘要】
超低ESR叠层铝固态铝电解电容器的制备方法


[0001]本专利技术涉及铝电解电容器
，尤其涉及超低ESR叠层铝固态铝电解电容器的制备方法。

技术介绍

[0002]现有叠层固态铝电解电容最低ESR4.5mΩ，采用对称式层叠，即在引线框两面各叠3层，此方法引出线较长，进而导致ESR、ESL增大，且引线框上下层之间容易产生间隙，导致芯片之间的紧密度不够，进一步造成ESR的增大。因此亟需开发一种新的叠层铝电解电容器的制备工艺以获得超低ESR的叠层铝固态铝电解电容器。

技术实现思路

[0003]基于
技术介绍
存在的技术问题，本专利技术提出了超低ESR叠层铝固态铝电解电容器的制备方法，减短了引线框正负极引出的距离，使产品具有更低的ESR和ESL。
[0004]本专利技术提出的超低ESR叠层铝固态铝电解电容器的制备方法，方法步骤如下：
[0005]S1：铝箔裁剪、冲切；
[0006]S2：将冲切好的铝箔焊接至Bar条上；
[0007]S3：化成与含浸；
[0008]S4：将含浸后的电容器的高分子阴极层外包裹一层导电碳，将其固化，涂布银，碳层外包裹一层银层，将其固化，得到非常平整的单片电容器芯片；
[0009]S5：将S4中浸碳后的单片电容器芯片堆叠在下引式引线框，阴极部分使用导电银胶涂布连接，固化，正极部分使用激光焊接；
[0010]S6：封边、塑封、老化成型，得到超低ESR叠层铝固态铝电解电容器。
[0011]优选地，所述下引式引线框包括框体，所述框体两侧开有若干定位孔，两侧所述定位孔之间开有若干基准腔，所述基准腔两侧设置有第一连接板和第二连接板，所述第一连接板靠近所述第二连接板一端下方固定设置有凸条，所述第二连接板靠近所述第一连接板的一端固定设置有凹板，所述凹板的上端面低于所述第二连接板的上端面。
[0012]优选地，所述凹板的上端面至所述第二连接板的上端面的距离为0.2
‑
0.3cm。
[0013]优选地，S1中铝箔冲切时冲出正负极隔离线。
[0014]优选地，所述正负极隔离线之间涂覆有硅胶。
[0015]优选地，S3中采用己二酸铵溶液将铝箔通电化成。
[0016]优选地，S3中采用噻吩或聚噻吩溶液含浸，使隔离线以下箔片表面及腐蚀孔内生成高分子阴极层。
[0017]优选地，S6中将电容器芯片负极采用更高导电性的银胶封边；采用环氧树脂将叠层后的多层单片芯片封装，完成固化后，形成芯包；芯包老化成型后得到超低ESR叠层铝固态铝电解电容器。
[0018]本专利技术的有益技术效果：
[0019]本专利技术采用下引式引线框层叠，此法减短了引线框正负极引出的距离，再使用涂布的方式使碳层、银层更加平整、精度更高
±
0.1μm，让层与层之间没有间隙，芯包的芯片之间连接的更为紧密，从而让产品得到更低的ESR和ESL。
附图说明
[0020]图1为本专利技术提出的下引式引线框的结构示意图；
[0021]图2为本专利技术提出的下引式引线框的A
‑
A剖视图。
[0022]图中：1
‑
框体、2
‑
定位孔、3
‑
第一连接板、4
‑
凸条、5
‑
凹板、6
‑
第二连接板、7
‑
基准腔。
具体实施方式
[0023]下面结合具体实施例对本专利技术作进一步解说。
[0024]参照图1
‑
2，本专利技术提出的超低ESR叠层铝固态铝电解电容器的制备方法，方法步骤如下：
[0025]S1：将铝箔裁切成下一工序需要的尺寸，然后将裁切好的铝箔切断至下一工序需要的尺寸，最后将切断的铝箔放置冲压模具内冲压至后面工序需要的尺寸，冲压过程中冲出正负极隔离线；模具冲切会得到毛刺更小的铝箔(几乎无毛刺)；
[0026]S2：将冲切好的铝箔焊接至Bar条上，并在正负极隔离线之间涂覆有硅胶，隔离硅胶为防止阴极聚合物上爬至正极导致产品短路，此工序可以提升产品生产良率；
[0027]S3：采用己二酸铵溶液将铝箔通电化成；采用噻吩或聚噻吩溶液含浸，使隔离线以下箔片表面及腐蚀孔内生成高分子阴极层；
[0028]S4：将含浸后的电容器的高分子阴极层外包裹一层导电碳，将其固化，涂布银，碳层外包裹一层银层，将其固化，得到非常平整的单片电容器芯片；
[0029]S5：将S4中浸碳后的单片电容器芯片堆叠在下引式引线框，阴极部分使用导电银胶涂布连接，固化，正极部分使用激光焊接；
[0030]S6：将电容器芯片负极采用更高导电性的银胶封边；采用环氧树脂将叠层后的多层单片芯片封装，完成固化后，形成芯包；芯包老化成型后得到超低ESR叠层铝固态铝电解电容器。
[0031]具体地，下引式引线框包括框体，所述框体两侧开有若干定位孔，两侧所述定位孔之间开有若干基准腔，所述基准腔两侧设置有第一连接板和第二连接板，所述第一连接板靠近所述第二连接板一端下方固定设置有凸条，所述第二连接板靠近所述第一连接板的一端固定设置有凹板，所述凹板的上端面低于所述第二连接板的上端面；凹板的上端面至所述第二连接板的上端面的距离为0.2
‑
0.3cm，优选为0.25cm。
[0032]本专利技术采用下引式引线框层叠，此法减短了引线框正负极引出的距离，再使用涂布的方式使碳层、银层更加平整、精度更高
±
0.1μm，让层与层之间没有间隙，芯包的芯片之间连接的更为紧密，从而让产品得到更低的ESR和ESL。
[0033]对本专利技术制备的电容器的ESR和ESL进行测定，分别为3mΩ和4.5nh；而当采用现有的中间引式引线框制备电容器时，ESR和ESL值分别为4.5mΩ和9nh；说明了本专利技术的方法制备的电容器具有更低的ESR和ESL值。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.超低ESR叠层铝固态铝电解电容器的制备方法，其特征在于，方法步骤如下：S1：铝箔裁剪、冲切；S2：将冲切好的铝箔焊接至Bar条上；S3：化成与含浸；S4：将含浸后的电容器的高分子阴极层外包裹一层导电碳，将其固化，涂布银，碳层外包裹一层银层，将其固化，得到非常平整的单片电容器芯片；S5：将S4中浸碳后的单片电容器芯片堆叠在下引式引线框，阴极部分使用导电银胶涂布连接，固化，正极部分使用激光焊接；S6：封边、塑封、老化成型，得到超低ESR叠层铝固态铝电解电容器。2.根据权利要求1所述的超低ESR叠层铝固态铝电解电容器的制备方法，其特征在于，所述下引式引线框包括框体，所述框体两侧开有若干定位孔，两侧所述定位孔之间开有若干基准腔，所述基准腔两侧设置有第一连接板和第二连接板，所述第一连接板靠近所述第二连接板一端下方固定设置有凸条，所述第二连接板靠近所述第一连接板的一端固定设置有凹板，所述凹板的上端面低于所述第二连接板的上端面。3.根据权利要求2所述的超低ESR叠层铝固态铝电解电...

【专利技术属性】
技术研发人员：瞿杰洁，张欢，吕上，
申请(专利权)人：上海永铭电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：