一种过温保护电路制造技术

本申请公开了一种过温保护电路，包括：分压电路，在参考电压与地之间设置分压电阻，用以基于分压电阻连接至传输门；传输门，包括第一NMOS管N1、第一PMOS管P1、第一反相器INV1，其中：偏置电路，基于多组PMOS管为比较器电路提供偏置电流；比较器电路，包括第一NPN管Q1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第二NPN管Q2，第二NPN管Q2，其基极与其集电极、所述第四NMOS管N4的栅极连接，其发射极通过电阻R6和电容C1的串联接地，其发射极连接至所述第二NMOS管N2的栅极。本申请实施例通过设计的传输门和比较器电路具有宽泛的温度滞回量，高效的转换速率，当供电电压发生变化时，电路性能稳定。定。定。

【技术实现步骤摘要】
一种过温保护电路


[0001]本申请涉及集成电路
，尤其涉及一种过温保护电路。

技术介绍

[0002]在实际工程中，由于晶体管的许多参数都是温度的函数；当温度升高时，双极型晶体管的集电极电流、MOSFET管的漏极电流都会显著变化，管子的耗散功率增大；电阻的阻值出现温度相关性，整体电路工作状态趋于不稳定。当温度过高时，很有可能会导致管子的二次击穿以及功耗过大，从而导致管子甚至整个芯片的损耗。另外，在输出负载电流变大等情况下可能使得芯片内部温度激增，这些情况下都需要设计过温保护电路，当温度迅速增高时过温保护电路输出控制信号关断芯片部分功能，待到温度降低再开启芯片。同时，在过温保护阈值点附近可能出现往复关断开启的热振荡现象，需要过温保护电路具有热滞回功能。
[0003]过温保护电路的基本设计思想是，利用BJT和MOS的温度敏感特性来监测芯片的温度变化。由于BJT相对于MOS拥有更好的温度特性，因此大多数的过温保护电路都是围绕BJT器件来进行设计的。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种过温保护电路，用以提高对于快速瞬变电压的反应能力，提高转换速率。
[0005]本申请实施例提供一种过温保护电路，包括：分压电路，在参考电压与地之间设置分压电阻，用以基于分压电阻连接至传输门；传输门，包括第一NMOS管N1、第一PMOS管P1、第一反相器INV1，其中：所述第一NMOS管N1的源极与第一PMOS管P1的源极相连，并连接至所述分压电路的第一引出端；所述第一NMOS管N1的漏极与第一PMOS管P1的漏极连接，并连接至所述分压电路的第二引出端；所述第一NMOS管N1的栅极连接至第一反相器INV1的输入端，第一反相器INV1输出端接到第一PMOS管P1的栅极；偏置电路，基于多组PMOS管为比较器电路提供偏置电流；比较器电路，包括第一NPN管Q1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第二NPN管Q2，其中：所述第一NPN管Q1，其基极连接所述第一NMOS管N1的漏极，发射极接地，集电极接入偏置电流；所述第二NMOS管N2、所述第三NMOS管N3以及所述第四NMOS管N4，源极接地，漏极接偏置电流；所述第二NMOS管N2的栅极连接所述第一NPN管Q1的集电极；
所述第三NMOS管N3的栅极连接至所述第二NMOS管N2的漏极；所述第四NMOS管N4的栅极连接至所述第三NMOS管N3的漏极；所述第二NPN管Q2，其基极与其集电极、所述第四NMOS管N4的栅极连接，其发射极通过电阻R6和电容C1的串联接地，其发射极连接至所述第二NMOS管N2的栅极。
[0006]可选的，所述偏置电路包括第四PMOS管P4至第十三PMOS管P13，其中：第四PMOS管P4至第八PMOS管P8的源极均与VDD相连；所述第四PMOS管P4的栅极与漏极短接；所述第五PMOS管P5至第八PMOS管P8的栅极均连接至所述第四PMOS管P4的栅极；所述第四PMOS管P4的漏极与第十三PMOS管P13的源极相连接，所述第五PMOS管P5的漏极与第十二PMOS管P12的源极相连接；第六PMOS管P6的漏极与第十一PMOS管P11的源极相连接；第七PMOS管P7的漏极与第十PMOS管P10的源极相连接；第八PMOS管P8的漏极与第九PMOS管P9的源极相连接；第十三PMOS管P13的栅极与漏极短接；第九PMOS管P9至第十二PMOS管P12的栅极与第十三PMOS管P13的栅极连接。
[0007]可选的，还包括第二PMOS管P2、第三PMOS管P3；所述第二PMOS管P2，其栅极接入信号端，其漏极连接至所述第一NMOS管N1的漏极，其源极连接至所述第三PMOS管P3的漏极；所述第三PMOS管P3，其栅极连接至所述第四PMOS管P4的漏极，其源极连接至VDD。
[0008]可选的，还包括第四反相器INV4，所述第四反相器INV4的输出端作为所述信号端；所述第四反相器INV4的输入端作为控制端。
[0009]可选的，所述分压电路，包括第一电阻R1至第五电阻R5，其中所述第一电阻R1至第五电阻R5串联；所述第一电阻R1的另一端连接VREF；第五电阻R5的另一端接地；第二电阻R2与第三电阻R3中间作为所述分压电路的第一引出端；第三电阻R3与第四电阻R4中间作为所述分压电路的第二引出端。
[0010]可选的，还包括第二反相器INV2、第三反相器INV3；所述第二反相器INV2与所述第三反相器INV3串联；所述第三反相器INV3的输入端连接至所述第四NMOS管N4的漏极；所述第二反相器INV2的输出端连接至所述第一反相器INV1的输入端。
[0011]本申请实施例还提出一种电子设备，包括如前述的过温保护电路。
[0012]本申请实施例通过设计的传输门和比较器电路具有宽泛的温度滞回量，高效的转换速率，当供电电压发生变化时，电路性能稳定。
[0013]上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。
附图说明
[0014]通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：图1为本申请实施例的过温保护电路整体结构示例；图2为本申请实施例的过温保护电路的基础电路结构示例；图3为本申请实施例的过温保护电路的一种具体电路结构示例；图4为本申请实施例的过温保护电路的温度滞回仿真结果图。
具体实施方式
[0015]下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0016]本申请实施例提供一种过温保护电路，如图1、图2所示，包括：分压电路，分压电路的主要用于产生两个电压控制主体BJT管(第一NPN管Q1)的关断，在本实施例中，在参考电压与地之间设置分压电阻，用以基于分压电阻连接至传输门。
[0017]传输门，用于有选择性的将分压电压传输到后面电路，在本申请实施例中如图2所示，包括第一NMOS管N1、第一PMOS管P1、第一反相器INV1，其中：所述第一NMOS管N1的源极与第一PMOS管P1的源极相连，并连接至所述分压电路的第一引出端。
[0018]所述第一NMOS管N1的漏极与第一PMOS管P1的漏极连接，并连接至所述分压电路的第二引出端。
[0019]所述第一NMOS管N1的栅极连接至第一反相器INV1的输入端，第一反相器INV1输出端接到第一PMOS管P1的栅极。
[0020]偏置电路，用于为主体电路提供偏置电流，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种过温保护电路，其特征在于，包括：分压电路，在参考电压与地之间设置分压电阻，用以基于分压电阻连接至传输门；传输门，包括第一NMOS管N1、第一PMOS管P1、第一反相器INV1，其中：所述第一NMOS管N1的源极与第一PMOS管P1的源极相连，并连接至所述分压电路的第一引出端；所述第一NMOS管N1的漏极与第一PMOS管P1的漏极连接，并连接至所述分压电路的第二引出端；所述第一NMOS管N1的栅极连接至第一反相器INV1的输入端，第一反相器INV1输出端接到第一PMOS管P1的栅极；偏置电路，基于多组PMOS管为比较器电路提供偏置电流；比较器电路，包括第一NPN管Q1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第二NPN管Q2，其中：所述第一NPN管Q1，其基极连接所述第一NMOS管N1的漏极，发射极接地，集电极接入偏置电流；所述第二NMOS管N2、所述第三NMOS管N3以及所述第四NMOS管N4，源极接地，漏极接偏置电流；所述第二NMOS管N2的栅极连接所述第一NPN管Q1的集电极；所述第三NMOS管N3的栅极连接至所述第二NMOS管N2的漏极；所述第四NMOS管N4的栅极连接至所述第三NMOS管N3的漏极；所述第二NPN管Q2，其基极与其集电极、所述第四NMOS管N4的栅极连接，其发射极通过电阻R6和电容C1的串联接地，其发射极连接至所述第二NMOS管N2的栅极。2.如权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，所述偏置电路包括第四PMOS管P4至第十三PMOS管P13，其中：第四PMOS管P4至第八PMOS管P8的源极均与VDD相连；所述第四PMOS管P4的栅极与漏极短接；所述第五PMOS管P5至第八PMOS管P8的栅极均连接至所述第四PMOS管P4的栅极；所述第四PMOS管P4的漏极与第十三PMOS管P13的源极相连...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛洪卫，赵显西，勇智强，刘松松，
申请(专利权)人：北京伽略电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：