【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子，尤其涉及一种分段斜坡补偿电路。
技术介绍
1、开关电源的控制模式分为电压型和电流型，其调制模式有脉冲宽度调制(pulsewidth modulation，pwm)和脉冲跳变调制(pulse skip modulation，psm)，以及两者结合的混合调制。峰值电流模pwm(peak current mode pwm)具有动态响应迅速、补偿电路容易、增益大，输出电感小等特点。但是，峰值电流模控制也有一些固有的缺点:占空比大于50％时系统会出现次谐波振荡，使稳定性会出现问题，抗噪声能力下降，在系统中采用固定斜坡补偿可以避免以上问题，但是传统的固定斜率补偿，容易造成补偿过度，影响响应速度和带载能力的下降。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种分段斜坡补偿电路，用以解决现有技术中采用固定斜率补偿容易造成补偿过度，影响响应速度和带载能力下降的缺陷。
2、本专利技术提供一种分段斜坡补偿电路，包括：占空比检测子电路100、电压比较子电路200和斜坡补偿产生子电路300，其中，
3、所述占空比检测子电路100，用于检测控制信号的占空比；
4、电压比较子电路200，用于将所述占空比检测子电路100的检测结果与设置的电压进行比较，产生不同的斜坡电流；
5、斜坡补偿产生子电路300，用于按照设置的比例复制所述电压比较子电路产生的斜坡电流，生成斜坡补偿电流；
6、其中，所述电压比较子电路200包括偏置单元201，比较电压产生单
7、根据本专利技术提供的一种分段斜坡补偿电路，所述比较电压产生单元包括：第一三极管至第七三极管q1～q7，第十四场效应管至第二十三场效应管m14～m23，第三电阻至第九电阻r3～r9，第二电容至第七电容c2～c7，其中，
8、第一三极管q1的基极与第三三极管q3的基极、第五三极管q5的基极、第十四场效应管m14的栅极、第十六场效应管m16的栅极、第十八场效应管m18的栅极、第二十场效应管m20的栅极连接；
9、第二十三场效应管m23的栅极接地；
10、第二三极管q2的基极与第二十三场效应管m23的源极、第七电容c7的上端连接；
11、第四三极管q4的基极与第八电阻r8的上端、第六电容c6的上端连接；
12、第六三极管q6的基极与第七电阻r7的上端、第五电容c5的上端连接；
13、第十五场效应管m15的栅极与第六电阻r6的上端、第四电容c4的上端连接；
14、第十七场效应管m17的栅极与第五电阻r5的上端、第三电容c3的上端连接；
15、第十九场效应管m19的栅极与第四电阻r4的上端、第二电容c2的上端连接。
16、根据本专利技术提供的一种分段斜坡补偿电路，所述设置的电压为第三电阻至第九电阻r3～r9上端的电压。
17、根据本专利技术提供的一种分段斜坡补偿电路，所述比较电压产生单元中的第一三极管至第六三极管q1～q6，第十四场效应管至第二十场效应管m14～m20、第二十二场效应管m22组成谐波补偿的输入对管。
18、根据本专利技术提供的一种分段斜坡补偿电路，所述电流镜单元，包括：第二十四场效应管至第四十一场效应管m24～m41，第十电阻至第二十一电阻r10～r21，其中，
19、第二十五场效应管m25的栅极和漏极与第二十四场效应管m24的源极、第二十九场效应管至第四十场效应管m29～m40的栅极连接；
20、第二十七场效应管m27的栅极和源极与第四十一场效应管m41的栅极连接；
21、第十电阻r10的两端分别与第二十九场效应管m29、第三十场效应管m30的漏极连接；
22、第十二电阻r12的两端分别与第三十一场效应管m31、第三十二场效应管m32的漏极连接；
23、第十三电阻r13的两端分别与第三十三场效应管m33、第三十四场效应管m34的漏极连接；
24、第十四电阻r14的左端与第三十五场效应管m35的漏极连接，第十五电阻r15的右端与第三十六场效应管m36的漏极连接；
25、第十六电阻r16、第十七电阻r17与第四十一场效应管m41的漏极连接。
26、根据本专利技术提供的一种分段斜坡补偿电路，所述电流镜单元中的第二十五场效应管m25、第二十九场效应管m29、第三十场效应管m30、第三十一场效应管m31、第三十二场效应管m32、第三十三场效应管m33、第三十四场效应管m34、第三十五场效应管m35、第三十六场效应管m36、第三十七场效应管m37、第三十八场效应管m38、第三十九场效应管m39、第四十场效应管m40构成第一电流镜结构。
27、根据本专利技术提供的一种分段斜坡补偿电路，所述偏置单元包括：第十场效应管至第十三场效应管m10～m13，其中，
28、第十场效应管m10的栅极与所述第十场效应管m10的漏极、第十一场效应管m11的栅极、第十二场效应管m12的栅极、第十三场效应管m13的栅极以及所述比较电压产生单元中的第二十一场效应管m21的栅极连接；
29、第十一场效应管m11的漏极与所述电流镜单元中的第二十四场效应管m24的栅极和漏极连接；
30、第十二场效应管m12的漏极与所述电流镜单元中的第二十六场效应管m26的栅极和漏极连接；
31、第十三场效应管m13的漏极与所述电流镜单元中的第二十八场效应管m28的源极以及所述比较电压产生单元中的第一三极管q1的基极连接。
32、根据本专利技术提供的一种分段斜坡补偿电路，所述偏置单元中的第十场效应管m10、第十一场效应管m11、第十二场效应管m12、第十三场效应管m13和所述比较电压产生单元中的第二十一场效应管m21构成第二电流镜结构。
33、根据本专利技术提供的一种分段斜坡补偿电路，所述占空比检测子电路包括：第一场效应管至第九场效应管m1～m9、第一电阻r1，第二电阻r2、第一电容c1，
34、其中，第一电容c1设置在所述第九场效应管m9的源极和漏极之间，所述第九场效应管m9的开通和关断由所述控制信号控制，在所述控制信号的占空比发生变化时，所述第九场效应管m9的关断时间发生变化，第一电容c1上端的电压的最大值跟随所述第九场效应管m9的关断时间发生变化；
35、所述第一电容c1的上端连接所述电流镜单元；
36、第六场效应管m6的栅极与第七场效应管m7的栅极和第八场效应管m8的栅极连接，第七场效应m7的源极和八场效应管m8漏极连接，第四场效应管m4的漏极接地。
37、根据本专利技术提供的一种分段斜坡补偿电路，所述斜坡补偿产生子电路，包括：第八三极管q8、第四十二场效应管m42、第四十三场效应管m43和第四十四场效应管m44，
38、第四十二场效应管m42的栅极和漏极与第四十三场效应管m43的栅极、第四十四场效应管m44的漏极、第本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种分段斜坡补偿电路，其特征在于，包括：占空比检测子电路(100)、电压比较子电路(200)和斜坡补偿产生子电路(300)，其中，
2.根据权利要求1所述的分段斜坡补偿电路，其特征在于，所述比较电压产生单元包括：第一三极管至第七三极管(Q1～Q7)，第十四场效应管至第二十三场效应管(M14～M23)，第三电阻至第九电阻(R3～R9)，第二电容至第七电容(C2～C7)，其中，
3.根据权利要求2所述的分段斜坡补偿电路，其特征在于，所述设置的电压为第三电阻至第九电阻(R3～R9)上端的电压。
4.根据权利要求2所述的分段斜坡补偿电路，其特征在于，所述比较电压产生单元中的第一三极管至第六三极管(Q1～Q6)，第十四场效应管至第二十场效应管(M14～M20)、第二十二场效应管(M22)组成谐波补偿的输入对管。
5.根据权利要求1所述的分段斜坡补偿电路，其特征在于，所述电流镜单元，包括：第二十四场效应管至第四十一场效应管(M24～M41)，第十电阻至第二十一电阻(R10～R21)，其中，
6.根据权利要求5所述的分段斜坡补偿电
7.根据权利要求1所述的分段斜坡补偿电路，其特征在于，所述偏置单元包括：第十场效应管至第十三场效应管(M10～M13)，其中，
8.根据权利要求7所述的分段斜坡补偿电路，其特征在于，所述偏置单元中的第十场效应管(M10)、第十一场效应管(M11)、第十二场效应管(M12)、第十三场效应管(M13)和所述比较电压产生单元中的第二十一场效应管(M21)构成第二电流镜结构。
9.根据权利要求1所述的分段斜坡补偿电路，其特征在于，所述占空比检测子电路包括：第一场效应管至第九场效应管(M1～M9)、第一电阻(R1)，第二电阻(R2)和第一电容(C1)，
10.根据权利要求1所述的分段斜坡补偿电路，其特征在于，所述斜坡补偿产生子电路，包括：第八三极管(Q8)、第四十二场效应管(M42)、第四十三场效应管(M43)和第四十四场效应管(M44)，
...【技术特征摘要】
1.一种分段斜坡补偿电路，其特征在于，包括：占空比检测子电路(100)、电压比较子电路(200)和斜坡补偿产生子电路(300)，其中，
2.根据权利要求1所述的分段斜坡补偿电路，其特征在于，所述比较电压产生单元包括：第一三极管至第七三极管(q1～q7)，第十四场效应管至第二十三场效应管(m14～m23)，第三电阻至第九电阻(r3～r9)，第二电容至第七电容(c2～c7)，其中，
3.根据权利要求2所述的分段斜坡补偿电路，其特征在于，所述设置的电压为第三电阻至第九电阻(r3～r9)上端的电压。
4.根据权利要求2所述的分段斜坡补偿电路，其特征在于，所述比较电压产生单元中的第一三极管至第六三极管(q1～q6)，第十四场效应管至第二十场效应管(m14～m20)、第二十二场效应管(m22)组成谐波补偿的输入对管。
5.根据权利要求1所述的分段斜坡补偿电路，其特征在于，所述电流镜单元，包括：第二十四场效应管至第四十一场效应管(m24～m41)，第十电阻至第二十一电阻(r10～r21)，其中，
6.根据权利要求5所述的分段斜坡补偿电路，其特征在于，所述电流镜单元中的第二十五场效应管(m25)、第二十九场效应管(m29)、第三十场效应管...
【专利技术属性】
技术研发人员：毛洪卫，赵显西，勇智强，
申请(专利权)人：北京伽略电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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