晶圆裂片的方法及芯片失效分析的方法技术

本申请实施例涉及一种晶圆裂片的方法及芯片失效分析的方法。包括提供晶圆样品，晶圆样品包括具有目标点的第一表面、与第一表面相对设置的第二表面；于晶圆样品的边缘分别形成第一裂口和第二裂口，且第一裂口、第二裂口在第一表面的正投影与目标点在沿预设方向的同一直线上；于第二表面上形成沿预设方向的切割槽，切割槽的底部和第一表面之间具有预设距离，且第一裂口和第二裂口在所述第二表面的正投影与切割槽在同一直线上；沿所述切割槽对晶圆样品进行裂片，以使晶圆样品沿预设方向裂开，得到目标点沿预设方向的横断面。通过该方法可以准确获取目标点沿预设方向的横断面，而不受晶圆晶向与预设方向夹角的影响。不受晶圆晶向与预设方向夹角的影响。不受晶圆晶向与预设方向夹角的影响。

【技术实现步骤摘要】
晶圆裂片的方法及芯片失效分析的方法


[0001]本申请实施例涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种晶圆裂片的方法及芯片失效分析的方法。

技术介绍

[0002]在半导体工艺开发的过程中或者半导体器件失效分析的过程中，对于晶圆上的特定图形的截面形貌进行分析是一种非常普遍的方法，晶圆是单晶结构，原子排列整齐，典型的裂片方式是使用钻石钨钢笔,在目标附近的硅片边缘轻轻对表面进行刮伤,再以双手直接撕裂,其断裂面即沿着晶格方向即晶圆断裂优选方向自然的整齐破裂。硅片对准缺口(wafer notch)与晶圆上的产品线路方向垂直或平行，通常情况下，产品线路方向与晶圆晶格方向平行或垂直，自然裂片得到的断裂面与晶圆断裂优选方向平行或垂直，直接观察该断裂面即可对晶圆进行物性显微分析。
[0003]因特性要求，有些晶圆上的产品线路方向与晶圆晶格方向(晶圆断裂优选方向)具有大于0度且小于90度的预设夹角，自然裂片得到的断裂面与晶圆晶格方向同样具有预设夹角，此时无法通过直接观察该断裂面对晶圆进行物性显微分析，如何使裂片后断裂面的方向始终垂直或平行于晶圆上的产品线路方向成为亟需解决的问题。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供了一种晶圆裂片的方法及芯片失效分析的方法，可以优化晶圆晶格方向对裂片后断裂面的方向的影响，使得裂片后断裂面的方向始终垂直或平行于晶圆上的产品线路方向。
[0005]一种晶圆裂片的方法，包括：
[0006]提供晶圆样品，晶圆样品包括具有目标点的第一表面、与第一表面相对设置的第二表面；r/>[0007]于晶圆样品的边缘分别形成第一裂口和第二裂口，且第一裂口、第二裂口在第一表面的正投影与目标点在沿预设方向的同一直线上；
[0008]于第二表面上形成沿预设方向的切割槽，切割槽的底部和第一表面之间具有预设距离，且第一裂口和第二裂口在所述第二表面的正投影与切割槽在同一直线上；
[0009]沿所述切割槽对晶圆样品进行裂片，以使晶圆样品沿预设方向裂开，得到目标点沿预设方向的横断面。
[0010]在其中一个实施例中，于晶圆样品的边缘分别形成第一裂口和第二裂口包括：
[0011]于第一表面形成向目标点延伸的第一裂口和第二裂口，且第一裂口和第二裂口至少部分贯穿晶圆样品。
[0012]在其中一个实施例中，于第一表面形成向目标点延伸的第一裂口和第二裂口的步骤包括：
[0013]通过第一切割设备，于目标点的相对两侧形成沿预设方向的第一裂口和第二裂
口；
[0014]于第二表面上形成沿预设方向的切割槽的步骤包括：
[0015]以第一裂口和第二裂口为端点，通过第二切割设备，于第二表面形成切割槽。
[0016]在其中一个实施例中，第一切割设备和所述第二切割设备均为激光切割设备。
[0017]在其中一个实施例中，第一裂口、第二裂口在预设方向的长度分别为第一预设长度和第二预设长度。
[0018]在其中一个实施例中，第一预设长度和第二预设长度均为预设值。
[0019]在其中一个实施例中，在预设方向上，目标点与第一裂口之间的距离等于目标点与第二裂口之间的距离。
[0020]在其中一个实施例中，预设距离与晶圆样品厚度的比值小于1且不小于0.1。
[0021]在其中一个实施例中，预设方向与晶圆样品的晶格方向的夹角大于0度且小于90度。
[0022]在其中一个实施例中，沿切割槽对晶圆样品进行裂片的步骤包括：
[0023]提供顶针；
[0024]将顶针放置于切割槽内，且顶针与目标点在切割槽内的正投影之间具有一定距离；
[0025]对晶圆样品和顶针施力，以使晶圆样品沿切割槽裂开。
[0026]在其中一个实施例中，提供晶圆样品的步骤包括：
[0027]提供具有目标点的晶圆；
[0028]对晶圆进行破片，以获取包括目标点的晶圆样品。
[0029]在其中一个实施例中，目标点的长度不小于10微米。
[0030]一种芯片失效分析的方法，包括：
[0031]以异常芯片区域为目标点，采用如上述任一项所述的晶圆裂片的方法，获取异常芯片区域沿预设方向的横断面；
[0032]对异常芯片区域的横断面进行失效分析。
[0033]上述晶圆裂片的方法及芯片失效分析的方法，包括提供晶圆样品，晶圆样品包括具有目标点的第一表面、与第一表面相对设置的第二表面；于晶圆样品的边缘分别形成第一裂口和第二裂口，且第一裂口、第二裂口在第一表面的正投影与目标点在沿预设方向的同一直线上；于第二表面上形成沿预设方向的切割槽，切割槽的底部和第一表面之间具有预设距离，且第一裂口和第二裂口在所述第二表面的正投影与切割槽在同一直线上；沿所述切割槽对晶圆样品进行裂片，以使晶圆样品沿预设方向裂开，得到目标点沿预设方向的横断面。通过该方法可以准确获取目标点沿预设方向的横断面，而不受晶圆晶向与预设方向夹角的影响。
附图说明
[0034]为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0035]图1为一实施例中晶圆裂片的方法的流程示意图；
[0036]图2为一实施例中提供晶圆样品的流程示意图；
[0037]图3为一实施例中具有目标点的晶圆的俯视示意图；
[0038]图4为图3对应的一实施例中晶圆样品的俯视示意图；
[0039]图5为一实施例中形成第一裂口和第二裂口后晶圆样品的俯视示意图；
[0040]图6为图5对应的一实施例中形成切割槽后晶圆样品沿AA方向的剖面示意图；
[0041]图7为一实施例中沿切割槽对晶圆样品进行裂片的流程示意图；
[0042]图8为一实施例中芯片失效分析的方法的流程示意图。
[0043]附图标记说明：
[0044]100、晶圆；102、目标点；104、硅片对准缺口；106、第一断裂方向；108、第二断裂方向；110、第一标记线；112、第二标记线；114、第三标记线；116、第四标记线；200、晶圆样品；202、第一边；204、第二边；206、第三边；208、第四边；302、第一胶膜；304、第一裂口；306、第二裂口；308、第二胶膜；310、切割槽。
具体实施方式
[0045]为了便于理解本申请实施例，下面将参照相关附图对本申请实施例进行更全面的描述。附图中给出了本申请实施例的首选实施例。但是，本申请实施例可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请实施例的公开内容更加透彻全面。
[0046]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请实施例的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆裂片的方法，其特征在于，包括：提供晶圆样品，所述晶圆样品包括具有目标点的第一表面、与所述第一表面相对设置的第二表面；于所述晶圆样品的边缘分别形成第一裂口和第二裂口，且所述第一裂口、所述第二裂口在所述第一表面的正投影与所述目标点在沿预设方向的同一直线上；于所述第二表面上形成沿所述预设方向的切割槽，所述切割槽的底部和所述第一表面之间具有预设距离，且所述第一裂口和所述第二裂口在所述第二表面的正投影与所述切割槽在同一直线上；沿所述切割槽对所述晶圆样品进行裂片，以使所述晶圆样品沿所述预设方向裂开，得到所述目标点沿所述预设方向的横断面。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述于所述晶圆样品的边缘分别形成第一裂口和第二裂口包括：于所述第一表面形成向目标点延伸的所述第一裂口和所述第二裂口，且所述第一裂口和所述第二裂口至少部分贯穿所述晶圆样品。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述于所述第一表面形成向目标点延伸的所述第一裂口和所述第二裂口的步骤包括：通过第一切割设备，于所述目标点的相对两侧形成沿预设方向的所述第一裂口和所述第二裂口；所述于所述第二表面上形成沿所述预设方向的切割槽的步骤包括：以所述第一裂口和所述第二裂口为端点，通过第二切割设备，于所述第二表面形成切割槽。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一切割设备和所述第二切割设备均为激光切割设备。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：古文珑，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：