一种DrMOS、集成电路、电子设备及制备方法技术

一种驱动式金属氧化物半导体场效应晶体管DrMOS(60)、集成电路(101)、电子设备及制备方法，该DrMOS(60)，主要包括第一裸片(61)和第二裸片(62)。其中，第一裸片(61)包括驱动电路(3)和第一开关管(1)，且驱动电路(3)与第一开关管(1)的栅极(G1)连接。第二裸片(62)包括第二开关管(2)，驱动电路(3)通过第一导体与第二开关管(2)的栅极(G2)连接。驱动电路(3)和第一开关管(1)制备在同一个裸片(61)中，有利于降低DrMOS(60)的面积、损耗和成本。第一开关管(1)和第二开关管(2)分别制备于不同的裸片(61,62)中，有利于降低第一开关管(1)和第二开关管(2)的选型限制。关管(2)的选型限制。关管(2)的选型限制。关管(2)的选型限制。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：银发友，黄伯宁，杨文韬，张泉，赵倩，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：