横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法。所述横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底；漂移区，设置在所述衬底中；漏极区，设置在所述衬底中，与所述漂移区相接触；体区，设置在所述衬底中；绝缘层，至少部分设置在所述体区中；源极区，位于所述绝缘层上；及栅极结构，设置在所述漏极区和源极区之间的衬底上。本发明专利技术通过绝缘层在源极区和体区之间形成隔离，能够减轻源极区和体区形成的PN结导通导致的寄生效应，减小损耗，提高器件性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件，还涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法。

技术介绍

[0002]横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件由于寄生BJT(Bipolar Junction Transistor，双极结型晶体管)的存在，在实际应用过程中体二极管续流会导致寄生BJT开启，从而产生漏电，影响器件性能。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要提供一种能够避免源极区和体区形成的PN结导通导致寄生BJT开启的横向扩散金属氧化物半导体器件。
[0004]一种横向扩散金属氧化物半导体器件，包括：衬底；漂移区，设置在所述衬底中；漏极区，设置在所述衬底中，与所述漂移区相接触；体区，设置在所述衬底中；绝缘层，至少部分设置在所述体区中；源极区，位于所述绝缘层上；及栅极结构，设置在所述漏极区和源极区之间的衬底上。
[0005]上述横向扩散金属氧化物半导体器件，通过绝缘层在源极区和体区之间形成隔离，能够减轻源极区和体区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：衬底；漂移区，设置在所述衬底中；漏极区，设置在所述衬底中，与所述漂移区相接触；体区，设置在所述衬底中；绝缘层，至少部分设置在所述体区中；源极区，位于所述绝缘层上；及栅极结构，设置在所述漏极区和源极区之间的衬底上。2.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述漂移区、漏极区及源极区具有第一导电类型，所述衬底和体区具有第二导电类型，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型。3.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括位于所述体区中的体引出区，所述体引出区的导电类型与所述体区相同、与所述源极区相反，所述体引出区的掺杂浓度大于所述体区的掺杂浓度，所述源极区设置在所述体区中，所述绝缘层位于所述体引出区和所述源极区之间；所述栅极结构的一侧位于所述漂移区上，所述栅极结构的另一侧位于所述体区上。4.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述绝缘层的材料为硅氧化物，所述源极区为应变硅层。5.根据权利要求2所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括：第二导电类型掺杂区，设置在所述衬底中，所述漂移区位于所述第二导电类型掺杂区和体区之间；衬底引出区，设置在所述第二导电类型掺杂区中，具有第二导电类型，所述衬底引出区的掺杂浓度大于所述第二导电类型掺杂区的掺杂浓度。6.一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李永顺，宋亮，金华俊，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：