晶圆允收测试方法及测试结构技术

技术编号:37516294 阅读:15 留言:0更新日期:2023-05-12 15:37
本发明专利技术提供一种晶圆允收测试方法及测试结构,其中方法包括:获取电阻模块的两端测试数据;确认两端测试数据是否存在异常,若存在异常,获取异常所对应的第一目标PAD和第二目标PAD;选取第一复检PAD和第二复检PAD;根据第一目标PAD的电位、第二目标PAD的电位以及流经第一复检PAD和第二复检PAD之间的电阻的电流,获取四端测试数据;获取两端测试数据和四端测试数据的差值,若差值处于预设的第一阈值区间外,判断电阻测试异常与接触异常有关。本申请通过引入第一复检PAD和第二复检PAD,与第一目标PAD、第二目标PAD共同构成四端测试结构,可以简单有效地判断电阻测试异常与接触异常是否有关。否有关。否有关。

【技术实现步骤摘要】
晶圆允收测试方法及测试结构


[0001]本申请涉及半导体器件的参数测试
,具体涉及一种晶圆允收测试方法及测试结构。

技术介绍

[0002]在WAT(晶圆允收测试)测试中,电阻测试是WAT测试中一个是非常常见,但非常重要的一个测试项目。电阻测试中经常有部分测试数据异常,实际WAT测试中,电阻模块容易受到测试设备(测试机台)异常状态影响而产生测试数据异常的情况。但是目前的测试方法很难判断是电阻模块确实存在异常而导致测试数据异常还是电阻模块与测试设备之间的接触异常而导致测试数据异常。

技术实现思路

[0003]本申请提供了一种晶圆允收测试方法及测试结构,可以解决目前的测试方法很难判断是电阻模块确实存在异常而导致测试数据异常还是电阻模块与测试设备之间的接触异常而导致测试数据异常的问题。
[0004]一方面,本申请实施例提供了一种晶圆允收测试方法,晶圆允收测试包括:电阻测试,晶圆上具有电阻模块和用于所述电阻测试的与所述电阻模块电连接的多个PAD,所述晶圆允收测试方法包括:
[0005]在所述电阻测试中,获取所述电阻模块的多个两端测试数据;
[0006]确认所述两端测试数据是否存在异常,若所述两端测试数据存在异常,则获取所述两端测试数据存在异常所对应的第一目标PAD和第二目标PAD;
[0007]选取晶圆上所述第一目标PAD和所述第二目标PAD外侧的任意两个PAD作为第一复检PAD和第二复检PAD,其中,所述第一目标PAD、所述第二目标PAD、所述第一复检PAD和所述第二复检PAD构成四端测试结构;
[0008]利用测试设备分别获取所述第一目标PAD的电位、所述第二目标PAD的电位以及流经所述第一复检PAD和所述第二复检PAD之间的电阻的电流;
[0009]根据所述第一目标PAD的电位、所述第二目标PAD的电位以及流经所述第一复检PAD和所述第二复检PAD之间的电阻的电流,获取四端测试数据;
[0010]获取所述两端测试数据和所述四端测试数据的差值,若差值处于预设的第一阈值区间内,则判断电阻测试异常与接触异常无关;若差值处于预设的第一阈值区间外,则判断电阻测试异常与接触异常有关。
[0011]可选的,在所述晶圆允收测试方法中,所述两端测试数据包括:任意两个PAD之间的电阻的量测阻值。
[0012]可选的,在所述晶圆允收测试方法中,所述四端测试数据包括:所述第一目标PAD和所述第二目标PAD之间的电阻的量测阻值。
[0013]可选的,在所述晶圆允收测试方法中,所述电阻模块包括:至少三个依次串联的电
阻,通过所述PAD,所述电阻之间的串联节点引出至晶圆表面。
[0014]可选的,在所述晶圆允收测试方法中,所述在所述电阻测试中,获取所述电阻模块的多个两端测试数据的步骤包括:
[0015]在所述PAD上放置针卡;
[0016]通过测试设备的pogo pin和所述针卡,分别获取任意两个PAD之间的电势差和流经所述两个PAD之间的电流;
[0017]根据任意两个PAD之间的电势差和流经所述两个PAD之间的电流,获取多个所述两端测试数据。
[0018]可选的,在所述晶圆允收测试方法中,所述确认所述两端测试数据是否存在异常,若所述两端测试数据存在异常,则获取所述两端测试数据存在异常所对应的第一目标PAD和第二目标PAD的步骤包括:
[0019]比较所有的两端测试数据与对应的两个PAD之间的电阻的理想阻值,获取所述两端测试数据与对应的两个PAD之间的电阻的理想阻值的差值;
[0020]若所述两端测试数据与对应的两个PAD之间的电阻的理想阻值的差值超出预设的第二阈值区间,则确认所述两端测试数据存在异常;
[0021]若所述两端测试数据存在异常,则获取所述两端测试数据存在异常所对应的第一目标PAD和第二目标PAD。
[0022]可选的,在所述晶圆允收测试方法中,所述接触异常包括:所述pogo pin与所述针卡之间的接触异常、所述针卡与所述PAD之间的接触异常。
[0023]可选的,在所述晶圆允收测试方法中,预设的所述第一阈值区间为[

0.5,+0.5]。
[0024]可选的,在所述晶圆允收测试方法中,预设的所述第二阈值区间为[

0.2,+0.2]。
[0025]另一方面,本申请实施例还提供了一种测试结构,所述测试结构用于晶圆允收测试,所述晶圆允收测试包括:电阻测试,晶圆上具有电阻模块和用于所述电阻测试的与所述电阻模块电连接的多个PAD,所述测试结构包括:第一目标PAD、第二目标PAD、第一复检PAD和第二复检PAD,其中,所述第一目标PAD、所述第二目标PAD、所述第一复检PAD和所述第二复检PAD为所述PAD中的四个PAD,所述第一复检PAD和所述第二复检PAD设置于所述第一目标PAD和所述第二目标PAD的外侧,通过所述第一目标PAD和所述第二目标PAD获取两端测试数据、通过所述第一目标PAD、所述第二目标PAD、所述第一复检PAD和所述第二复检PAD获取四端测试数据。
[0026]本申请技术方案,至少包括如下优点:
[0027]本申请在确定两端测试数据异常所对应的第一目标PAD和第二目标PAD之后,通过引入第一复检PAD和第二复检PAD,使得第一目标PAD、第二目标PAD、第一复检PAD和第二复检PAD构成四端测试结构,利用该四端测试结构获取所述第一目标PAD的电位、所述第二目标PAD的电位以及流经所述第一复检PAD和所述第二复检PAD之间的电阻的电流,并根据所述第一目标PAD的电位、所述第二目标PAD的电位以及流经所述第一复检PAD和所述第二复检PAD之间的电阻的电流获取四端测试数据,获取所述两端测试数据和所述四端测试数据的差值,若差值处于预设的第一阈值区间内,则判断电阻测试异常与接触异常无关;若差值处于预设的第一阈值区间外,则判断电阻测试异常与接触异常有关。本申请提供的晶圆允收测试方法可以在不引入额外的测试设备的情况下,简单方便地、有效地判断电阻测试异
常与pogo pin与针卡之间的接触异常、针卡与PAD之间的接触异常等接触异常是否有关,节省了人力物力,提高了晶圆允收测试的可靠性。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本申请的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1是本专利技术实施例的晶圆允收测试方法的流程图;
[0030]图2是本专利技术实施例的电阻测试中获取两端测试数据的测试原理示意图;
[0031]图3是本专利技术实施例的电阻测试中获取四端测试数据的测试原理示意图;
[0032]其中,附图标记说明如下:
[0033]10

...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆允收测试方法,其特征在于,晶圆允收测试包括:电阻测试,晶圆上具有电阻模块和用于所述电阻测试的与所述电阻模块电连接的多个PAD,所述晶圆允收测试方法包括:在所述电阻测试中,获取所述电阻模块的多个两端测试数据;确认所述两端测试数据是否存在异常,若所述两端测试数据存在异常,则获取所述两端测试数据存在异常所对应的第一目标PAD和第二目标PAD;选取晶圆上所述第一目标PAD和所述第二目标PAD外侧的任意两个PAD作为第一复检PAD和第二复检PAD,其中,所述第一目标PAD、所述第二目标PAD、所述第一复检PAD和所述第二复检PAD构成四端测试结构;利用测试设备分别获取所述第一目标PAD的电位、所述第二目标PAD的电位以及流经所述第一复检PAD和所述第二复检PAD之间的电阻的电流;根据所述第一目标PAD的电位、所述第二目标PAD的电位以及流经所述第一复检PAD和所述第二复检PAD之间的电阻的电流,获取四端测试数据;获取所述两端测试数据和所述四端测试数据的差值,若差值处于预设的第一阈值区间内,则判断电阻测试异常与接触异常无关;若差值处于预设的第一阈值区间外,则判断电阻测试异常与接触异常有关。2.根据权利要求1所述的晶圆允收测试方法,其特征在于,所述两端测试数据包括:任意两个PAD之间的电阻的量测阻值。3.根据权利要求1所述的晶圆允收测试方法,其特征在于,所述四端测试数据包括:所述第一目标PAD和所述第二目标PAD之间的电阻的量测阻值。4.根据权利要求1所述的晶圆允收测试方法,其特征在于,所述电阻模块包括:至少三个依次串联的电阻,通过所述PAD,所述电阻之间的串联节点引出至晶圆表面。5.根据权利要求4所述的晶圆允收测试方法,其特征在于,所述在所述电阻测试中,获取所述电阻模块的多个两端测试数据的步骤包括:在所述PAD上放置针卡;通过测试设备的pogo pin和所述针卡,分别获取任意两个PAD之间的电势差和流经所述两个PAD之间的电流;根据任意两个PA...

【专利技术属性】
技术研发人员:李旭东韩斌陈俊池冯勇强
申请(专利权)人:华虹半导体无锡有限公司
类型:发明
国别省市:

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