动态随机存取存储器结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种动态随机存取存储器结构，包括基底、埋入式字线结构、位线结构、接触窗、多个间隙壁与接垫。埋入式字线结构位于基底中。位线结构位于埋入式字线结构的一侧的基底上。接触窗位于埋入式字线结构的另一侧的基底上。间隙壁位于接触窗的两侧。接垫位于接触窗上，且位于相邻两个间隙壁之间。且位于相邻两个间隙壁之间。且位于相邻两个间隙壁之间。

【技术实现步骤摘要】
动态随机存取存储器结构及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体结构及其制造方法，且特别是涉及一种动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]目前发展出一种动态随机存取存储器，包括彼此耦接晶体管与电容器。在此种动态随机存取存储器中，使用电容器作为存储节点(storage node)。此外，为了提升存储密度(storage density)，常会将彼此电性连接的电容器与存储节点接触窗(storage node contact)错位排列。然而，在将电容器与存储节点接触窗错位排列的情况下，会产生较高的接触电阻，且用于形成电容器的蚀刻制作工艺可能导致击穿的问题(punch through issue)，而降低存储器元件的电性表现。
[0003]关于上述问题，目前常见的解决方法是在存储节点接触窗与电容器之间增加接垫。然而，上述接垫通常需要两个光掩模来进行制作，因此制作工艺复杂且制造成本较高。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种动态随机存取存储器结构及其制造方法，其可降低制作工艺复杂度与制造成本。
[0005]本专利技术提出一种动态随机存取存储器结构，包括基底、埋入式字线结构、位线结构、接触窗、多个间隙壁与接垫。埋入式字线结构位于基底中。位线结构位于埋入式字线结构的一侧的基底上。接触窗位于埋入式字线结构的另一侧的基底上。间隙壁位于接触窗的两侧。接垫位于接触窗上，且位于相邻两个间隙壁之间。
>[0006]依照本专利技术的一实施例所述，在上述动态随机存取存储器结构中，位于接触窗下方的基底可具有凹陷，且部分接触窗可位于凹陷中。
[0007]依照本专利技术的一实施例所述，在上述动态随机存取存储器结构中，更可包括阻障层。阻障层位于接触窗与基底之间。
[0008]本专利技术提出一种动态随机存取存储器结构的制造方法，包括以下步骤。提供基底。在基底中形成埋入式字线结构。在埋入式字线结构的一侧的基底上形成位线结构。在埋入式字线结构的另一侧的基底上形成接触窗。在接触窗的两侧形成多个第一间隙壁。在接触窗上形成接垫。接垫位于相邻两个第一间隙壁之间。
[0009]依照本专利技术的一实施例所述，在上述动态随机存取存储器结构的制造方法中，位线结构可包括位线接触窗(bit line contact)、位线与硬掩模层。位线接触窗位于基底上。位线位于位线接触窗上。硬掩模层位于位线上。
[0010]依照本专利技术的一实施例所述，在上述动态随机存取存储器结构的制造方法中，接触窗的形成方法可包括以下步骤。在基底上形成牺牲层。在牺牲层中形成多个第一开口。在多个第一开口中形成多个第二间隙壁。移除牺牲层，而形成第二开口，且暴露出基底。在第二开口中形成接触窗。接触窗的顶面的高度可低于第二间隙壁的顶面的高度，而形成第一
凹陷。
[0011]依照本专利技术的一实施例所述，在上述动态随机存取存储器结构的制造方法中，接垫与第一间隙壁的形成方法可包括以下步骤。降低硬掩模层的高度，而使得第一凹陷延伸至硬掩模层上方。在第一凹陷中形成接垫层。在形成接垫层之后，移除第二间隙壁，而形成第三开口。在第三开口中形成第一间隙壁。第一间隙壁的材料与第二间隙壁的材料不同。对接垫层进行图案化，而形成接垫。
[0012]依照本专利技术的一实施例所述，在上述动态随机存取存储器结构的制造方法中，更可包括以下步骤。在移除牺牲层之后，可移除部分基底，而在基底中形成第二凹陷。
[0013]依照本专利技术的一实施例所述，在上述动态随机存取存储器结构的制造方法中，接触窗的形成方法可包括以下步骤。在基底上形成接触窗层。对接触窗层进行图案化，而形成接触窗与多个第一开口。
[0014]依照本专利技术的一实施例所述，在上述动态随机存取存储器结构的制造方法中，接垫与第一间隙壁的形成方法可包括以下步骤。在多个第一开口中形成多个第二间隙壁。降低硬掩模层的高度与接触窗的高度，而在硬掩模层与接触窗上方形成第一凹陷。在第一凹陷中形成接垫层。对接垫层进行图案化，而形成接垫。在形成接垫之后，移除第二间隙壁，而形成第二开口。在第二开口中形成第一间隙壁。第一间隙壁的材料与第二间隙壁的材料不同。
[0015]基于上述，在本专利技术所提出的动态随机存取存储器结构及其制造方法中，接垫位于相邻两个间隙壁之间。因此，上述接垫只需要一个光掩模来进行制作，藉此可降地制作工艺复杂度与制造成本。
[0016]为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
[0017]图1A至图1M为本专利技术一实施例的动态随机存取存储器结构的制造流程剖面图。
[0018]图2A至图2G分别为图1A、图1C、图1G、图1H、图1J、图1K与图1L的上视图。
[0019]图3A至图3J为根据本专利技术另一实施例的动态随机存取存储器结构的制造流程剖面图。
[0020]图4A至图4E分别为图3A、图3D、图3E、图3F与图3G的上视图。
[0021]【符号说明】
[0022]10,20:动态随机存取存储器结构
[0023]100,200:基底
[0024]102,202:隔离结构
[0025]104,204:埋入式字线结构
[0026]106,206:埋入式字线
[0027]108,138,208,238:介电层
[0028]110,210:顶盖层
[0029]112,212:位线结构
[0030]114,214:位线接触窗
[0031]116,216:位线
[0032]118,218:硬掩模层
[0033]120,122,124,220,222,224:衬层
[0034]126:牺牲层
[0035]128,134,230,236a:间隙壁
[0036]130,226a:接触窗
[0037]132,232:接垫层
[0038]132a,232a:接垫
[0039]136,234:图案化硬掩模层
[0040]140,240:电容器结构
[0041]226:接触窗层
[0042]228,228a:阻障层
[0043]236:间隙壁材料层
[0044]AA1,AA2:主动(有源)区
[0045]OP1～OP5:开口
[0046]R1～R3:凹陷
[0047]TS1～TS10:顶面
具体实施方式
[0048]下文列举实施例并配合附图来进行详细地说明，但所提供的实施例并非用以限制本专利技术所涵盖的范围。为了方便理解，在下述说明中相同的构件将以相同的符号标示来说明。此外，附图仅以说明为目的，并未依照原尺寸作图。另外，上视图中的特征与剖面图中的特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。
[0049]图1A至图1M为根据本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种动态随机存取存储器结构，包括：基底；埋入式字线结构，位于所述基底中；位线结构，位于所述埋入式字线结构的一侧的所述基底上；接触窗，位于所述埋入式字线结构的另一侧的所述基底上；多个间隙壁，位于所述接触窗的两侧；以及接垫，位于所述接触窗上，且位于相邻两个所述间隙壁之间。2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器结构，其中位于所述接触窗下方的所述基底具有凹陷，且部分所述接触窗位于所述凹陷中。3.如权利要求1所述的动态随机存取存储器结构，还包括：阻障层，位于所述接触窗与所述基底之间。4.一种动态随机存取存储器结构的制造方法，包括：提供基底；在所述基底中形成埋入式字线结构；在所述埋入式字线结构的一侧的所述基底上形成位线结构；在所述埋入式字线结构的另一侧的所述基底上形成接触窗；在所述接触窗的两侧形成多个第一间隙壁；以及在所述接触窗上形成接垫，其中所述接垫位于相邻两个所述第一间隙壁之间。5.如权利要求4所述的动态随机存取存储器结构的制造方法，其中所述位线结构包括：位线接触窗，位于所述基底上；位线，位于所述位线接触窗上；以及硬掩模层，位于所述位线上。6.如权利要求5所述的动态随机存取存储器结构的制造方法，其中所述接触窗的形成方法包括：在所述基底上形成牺牲层；在所述牺牲层中形成多个第一开口；在多个所述第一开口中形成多个第二间隙壁；移除所述牺牲层，而形成第二开口，且暴露出所述基底；以及在所述第二开口中形成所述接触窗，其中所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄凯隽，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：