半导体结构及其制造方法技术

本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，结构包括：多个半导体柱，半导体柱沿第一方向和第二方向排列，且沿第三方向延伸，半导体柱在沿第三方向上包括依次排列的第一区、第二区和第三区；多条沿第四方向延伸的字线，字线与半导体柱的第二区连接，且在沿第四方向上，同一字线连接多个半导体柱；多条沿第五方向延伸的位线，位线与半导体柱的第一区连接，且在沿第五方向上，同一位线连接多个半导体柱；其中，在沿第四方向上半导体柱交替设置于字线的中心轴线的两侧，或者，在沿第五方向上半导体柱交替设置于位线的中心轴线的两侧，以改善半导体结构的性能。以改善半导体结构的性能。以改善半导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法


[0001]本公开实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。一般计算机系统使用的随机存取内存(Random Access Memory，RAM)可分为动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)与静态随机存取存储器(Static Random
‑
Access Memory，SRAM)两种，动态随机存取存储器是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。
[0003]存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的漏极与位线结构相连、源极与电容器相连，电容器包括电容接触结构和电容，存储单元的字线结构能够控制晶体管的沟道区的打开或关闭，进而通过位线结构读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线结构将数据信息写入到电容器中进行存储。
[0004]目前，半导体结构的可靠性有待提高。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：多个半导体柱，所述半导体柱沿第一方向和第二方向排列，且沿第三方向延伸，所述半导体柱在沿所述第三方向上包括依次排列的第一区、第二区和第三区；多条沿第四方向延伸的字线，所述字线与所述半导体柱的所述第二区连接，且在沿所述第四方向上，同一所述字线连接多个所述半导体柱；多条沿第五方向延伸的位线，所述位线与所述半导体柱的所述第一区连接，且在沿所述第五方向上，同一所述位线连接多个所述半导体柱；其中，在沿所述第四方向上所述半导体柱交替设置于所述字线的中心轴线的两侧，或者，在沿所述第五方向上所述半导体柱交替设置于所述位线的中心轴线的两侧。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在沿所述第四方向上所述半导体柱交替设置于所述字线的中心轴线的两侧。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述字线与所述第二区的接触面积大于等于所述第二区表面积的1/4。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述字线环绕所述半导柱的所述第二区表面。5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述字线穿过所述半导柱的所述第二区内。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在沿所述第五方向上所述半导体柱交替设置于所述位线的中心轴线的两侧。7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，在垂直于所述第三方向所在的平面上，所述半导体柱的正投影位于所述位线的正投影内。8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向垂直，且所述第四方向与所述第五方向垂直，所述第一方向与所述第四方向的夹角为45
°
。9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向的夹角大于0
°
且小于90
°
，所述第四方向与所述第一方向垂直且所述第五方向与所述第一方向相同，或者所述第五方向与所述第一方向垂直且所述第四方向与所述第一方向相同。10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹堪宇，肖德元，冯道欢，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：