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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，结构包括：多个半导体柱，半导体柱沿第一方向和第二方向排列，且沿第三方向延伸，半导体柱在沿第三方向上包括依次排列的第一区、第二区和第三区；多条沿第四方向延伸的字线，字线与半导体柱的第...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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