【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制备方法
[0001]本公开实施例涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
[0002]动态随机存储器（Dynamic Random Access Memory，简称DRAM），所形成的动态随机存储器通常包括阵列区和外围区，其中，阵列区用于设置多个存储单元和数据线（例如，位线结构和字线结构）。外围区内设置有晶体管，晶体管用于与阵列区内的数据线电性连接，以实现对数据信息的存储或者读取。
[0003]相关技术中，晶体管通常需要利用导电插塞与阵列区内的数据线电性连接。但是在外围区形成导电插塞时，导电插塞与晶体管的栅极结构电性连接极易发生断路或短接的缺陷，降低了半导体结构的良率。
技术实现思路
[0004]鉴于上述问题，本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法，用于提高半导体结构的良率。
[0005]本公开实施例的第一方面提供一种半导体结构的制备方法，其包括：提供基底，所述基底包括至少两个间隔设置的栅极结构；形成覆盖所述栅极结构顶面的保护层，以及覆盖各个所述栅...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基底，所述基底包括至少两个间隔设置的栅极结构，所述栅极结构至少包括栅极导电层和位于所述栅极导电层顶部的绝缘盖层；形成覆盖所述绝缘盖层顶面的保护层，以及覆盖各个所述栅极结构以及位于该栅极结构上所述保护层的隔离结构；形成介质层，所述介质层覆盖所述隔离结构；其中，所述介质层和所述保护层具有高刻蚀选择比；选择性地去除部分所述介质层、部分所述保护层和部分所述绝缘盖层，以形成第一接触孔和第二接触孔；所述第一接触孔的孔底位于所述栅极结构内，并暴露出所述栅极导电层，所述第二接触孔位于相邻的所述栅极结构之间，并暴露出所述基底。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，选择性地去除部分所述介质层的步骤包括：采用第一刻蚀工艺去除部分所述介质层，以同时形成第一刻蚀孔和第二刻蚀孔；所述第一刻蚀孔的孔底暴露所述保护层的顶面，所述第二刻蚀孔在所述基底上投影位于相邻的所述栅极结构之间；采用第二刻蚀工艺去除暴露在所述第一刻蚀孔的孔底的保护层和所述绝缘盖层，直至暴露出所述栅极导电层，以形成所述第一接触孔；采用第三刻蚀工艺去除暴露在所述第二刻蚀孔的孔底的所述介质层，直至暴露出所述基底的部分源漏区，以形成所述第二接触孔。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，采用第三刻蚀工艺去除暴露在所述第二刻蚀孔的孔底的所述介质层的步骤，还包括;以相邻所述栅极结构之间的所述隔离结构为自对准执行所述第三刻蚀工艺，以使所述第二接触孔包括第一孔段以及与所述第一孔段连通的第二孔段，所述第二孔段位于所述第一孔段的下方，且所述第二孔段的直径小于所述第一孔段的直径。4.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺对所述介质层的刻蚀速率大于对所述保护层的刻蚀速率，以使所述保护层作为刻蚀停止层；所述第二刻蚀工艺对所述保护层的刻蚀速率大于所述介质层的刻蚀速率，以使所述介质层作为刻蚀停止层；所述第三刻蚀工艺对所述介质层的刻蚀速率大于所述栅极结构的第一导电层的刻蚀速率和所述隔离结构的刻蚀速率，以使所述栅极结构的第一导电层和所述隔离结构作为刻蚀停止层。5.根据权利要求1
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4任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，选择性地去除部分所述介质层、所述保护层和部分所述栅极结构，以形成第一接触孔和第二接触孔的步骤之后，所述方法还包括：在所述第一接触孔内形成第一导电插塞，在所述第二接触孔内形成第二导电插塞。6.根据权利要求2
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4任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，提供基底，所述基底包括至少两个间隔设置的栅极结构的步骤包括：在所述基底中形成间隔排列的多个有源区，每个所述有源区包括沟道区以及位于所述沟道区两侧的源漏区；
形成至少与所述沟道区相对的栅极结构，所述栅极结构包括依次层叠设置的栅极介质层、所述栅极导电层和所述绝缘盖层；其中，所述栅极导电层包括依次层叠设置的第一半导体导电层、第一金属阻挡层、第一金属导电层。7.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，采用第一刻蚀工艺去除部分所述介质层的步骤包括：在所述介质层上...
【专利技术属性】
技术研发人员：宣锋，程明霞，金星，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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