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本公开提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构的制备方法包括提供基底，基底包括至少两个间隔设置的栅极结构，栅极结构至少包括栅极导电层和位于栅极导电层顶部的绝缘盖层；形成覆盖绝缘层顶面的保护层，以及覆盖各个栅极结构以及...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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