【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体装置，且特别是涉及一种存储器装置。
技术介绍
1、存储器可分为非易失性存储器(non-volatile memory，nvm)和易失性存储器(volatile memory，vm)。非易失性存储器由于具有使存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此广泛应用于个人电脑和其他电子设备中。闪存存储器(flash memory)是一种常见的非易失性存储器，其可包括依序堆叠于基底上的隧穿介电层、浮置栅极(floating gate，fg)、栅间介电层及控制栅极(control gate，cg)，其中控制栅极与设置在其上之字线电连接，如此可通过字线对控制栅极施加操作电压。然而，字线与控制栅极之间的电连接可能存在一些因素而影响两者的电连接。举例来说，字线与控制栅极之间可能存在不同材料彼此接触的界面，其可能是造成电阻不稳定而影响电连接的因素之一，或者在形成字线的过程中产生氧化物并造成线宽颈缩(trace necking)的问题，其可能是造成电阻上升而影响电连接的因素之一。
2、随着电子装置的尺寸不断缩小且使用者对于电子...
【技术保护点】
1.一种存储器装置，包括：
2.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述堆叠结构包括在所述第一连接区上方与所述字线结构重叠的第一部分以及在所述第二连接区上方不与所述字线结构重叠的第二部分。
3.如权利要求2所述的存储器装置，其中所述第一导电通孔直接接触所述第一部分上方的所述导体层，所述第二导电通孔直接接触所述第二部分中的所述控制栅极层。
4.如权利要求3所述的存储器装置，其中所述第二导电通孔在所述第一方向上与所述字线结构间隔开来。
5.如权利要求4所述的存储器装置，还包括：
6.如权利要求5所述的存储器装置，其...
【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，包括：
2.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述堆叠结构包括在所述第一连接区上方与所述字线结构重叠的第一部分以及在所述第二连接区上方不与所述字线结构重叠的第二部分。
3.如权利要求2所述的存储器装置，其中所述第一导电通孔直接接触所述第一部分上方的所述导体层，所述第二导电通孔直接接触所述第二部分中的所述控制栅极层。
4.如权利要求3所述的存储器装置，其中所述第二导电通孔在所述第一方向上与所述字线结构间隔开来。
5.如权利要求4所述的存储器装置，还包括：
6.如权利要求5所述的存储器装置，其中所述绝缘层包括设置在...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏承志，王子嵩，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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