【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示，具体涉及一种光电探测器及其制备方法和工作方法。
技术介绍
1、光检测在当今的汽车、安全、通信、医疗保健和消费电子技术中至关重要。此外，随着物联网和个性化医疗等关键
的科学进步趋势的不断发展，目前需要基于多设备传感系统的综合解决方案。近年来诸如有机光电二极管(opd)和有机薄膜晶体管(otft)之类的光电探测器已经显示出巨大的进步，产生了与无机光电探测器相当的性能。用于多通道检测的光电探测器通常由有机光电二极管和有机薄膜晶体管的阵列组成，其中有机光电二极管和至少一个有机薄膜晶体管连接，该有机薄膜晶体管用作激活或读取有机光电二极管的开关。这种光电探测器有助于对单个像素的控制，允许与最小化串扰的高设备集成，在性能上优于无源阵列。
2、然而，光电探测器的灵敏度还有待提高。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题在于如何克服现有光电探测器灵敏度低的缺陷。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种光电探测器，包括：光电二极管，所述光电二极管包...
【技术保护点】
1.一种光电探测器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，还包括：衬底层；所述光电二极管和所述驱动晶体管均位于所述衬底层的同一侧；
3.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，所述有源层位于所述第一电极层背离所述衬底层的一侧；所述第二栅极位于所述第一栅极背离所述衬底层的一侧。
4.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，所述半导体层包括有机半导体层。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的光电探测器，其特征在于，所述第一栅极的材料包括遮光导电材料。
6.根据权利要求5所述的...
【技术特征摘要】
1.一种光电探测器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，还包括：衬底层；所述光电二极管和所述驱动晶体管均位于所述衬底层的同一侧；
3.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，所述有源层位于所述第一电极层背离所述衬底层的一侧；所述第二栅极位于所述第一栅极背离所述衬底层的一侧。
4.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，所述半导体层包括有机半导体层。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的光电探测器，其特征在于，所述第一栅极的材料包括遮光导电材料。
6.根据权利要求5所述的光电探测器，其特征在于，所述遮光导电材料包括钼、铜、银和铝中的一种。
7.根据权利要求1至4任意一项所述的光电探测器，其特征在于，所述第一电极层和所述第一栅极同层设置。
8.根据权利要求7所述光探测器，其特征在于，所述第一电极层和所述第一栅极为一体结构。
9.根据权利要求7所述的光电探测器，其特征在于，所述第一电极层为阴极层。
10.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，所述第一电极层与所述第一栅极位于不同层。
11.根据权利要求10所述的光电探测器，其特征在于，所述第一栅极和所述第一电极层沿垂直于所述衬底层表面的方向上的正投影具有重叠区域。
12.根据权利要求11所述的光电探测器，其特征在于，所述第一电极层延伸至所述第一栅极朝向...
【专利技术属性】
技术研发人员：董立文，谢昌翰，张锋，侯东飞，吕志军，崔钊，孟德天，刘文渠，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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