【技术实现步骤摘要】
一种分立电源芯片
[0001]本专利技术涉及电源芯片
,具体涉及一种分立电源芯片。
技术介绍
[0002]在一款电子设备中,需要多个电压源为不同芯片提供电源,不同芯片对电源的要求各不相同,如有的芯片需要5V的电源电压,有的芯片需要3.3V的电源电压,有的芯片则需要1.8V的电源电压等。当前,在电子设备中,为不同的芯片提供电源有两种主流的解决方案,一种是使用单颗独立的PMU(Power Management Unit,电源管理单元)芯片为不同的芯片提供不同的电源;另一种是使用多颗分立的电源芯片分别为不同的芯片提供不同的电源。
[0003]使用单颗PMU芯片为不同芯片提供电源的方案,其优点是可以灵活地控制不同芯片的上电启动时序;具有更少的PCB(Printed Circuit Board,印制电路板)面积和外围器件;更高的电源转换效率和更低功耗等。但是其也具有不可忽视的缺点,如无法最高效地利用PMU芯片的所有通道,导致部分通道未被使用而浪费;备货困难;在电子设备设计初期,确定合适的PMU芯片困难等。
[00 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种分立电源芯片,包括:PG引脚,其被配置为分立电源芯片的输出电压达到设定的阈值时,向与之连接的下一级分立电源芯片输出使能信号;EN引脚,其被配置为分立电源芯片接收与之连接的上一级分立电源芯片输出的使能信号;其特征在于:分立电源芯片接收到与之连接的上一级分立电源芯片输出的使能信号至执行上电启动动作之间的启动时间可编程设置。2.如权利要求1所述的分立电源芯片,其特征在于:所述EN引脚连接上拉电流源。3.如权利要求2所述的分立电源芯片,其特征在于:所述上拉电流源包括第一电阻和第一NMOS管,还包括第二NMOS管、第三NMOS管和第二电阻,所述第二NMOS管的栅极同时与第二NMOS管的漏极以及第三NMOS管的栅极连接,漏极通过所述第一电阻与VIN引脚连接,源极与所述第一NMOS管的漏极连接,所述第一NMOS管的栅极与其漏极连接,源极接地,所述第三NMOS管的漏极通过第一PMOS管与所述VIN引脚连接,漏极通过所述第二电阻接地。4.如权利要求3所述的分立电源芯片,其特征在于:所述第一电阻被配置为使所述第一NMOS管、所述第二NMOS管和所述第三NMOS管工作在亚阈值区。5.如权利要求4所述的分立电源芯片,其特征在于:所述上拉电流源还包括所述第一PMOS管和第二PMOS管,所述第一PMOS管的源极与所述VIN引脚连接,漏极与所述第三NMOS管的漏极连接,栅极同时与其漏极以及所述第二PMOS管的栅极连接,所述第二PMOS管的源极与所述VIN引脚连接,漏极与EN引脚连接。6.如权利要求5所述的分立电源芯片,其特征在于:所述上拉电流源还包括史密斯触发器和反相器,所述史密斯触发器的输入端与所述EN引脚连接,输出端与所述反相器的输...
【专利技术属性】
技术研发人员:苗杰,甘戈,张炜华,
申请(专利权)人:钰泰半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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