使用热和等离子体增强方法的选择性沉积技术

公开了通过循环沉积过程相对于衬底的第二表面在衬底的第一表面上选择性沉积介电材料的方法和气相沉积组件。该方法包括将衬底提供到反应室中，执行热沉积子循环以在第一表面上选择性沉积第一材料，执行等离子体沉积子循环以在第一表面上选择性沉积第二材料；其中第一材料和第二材料中的至少一种包括硅和氧。一材料和第二材料中的至少一种包括硅和氧。一材料和第二材料中的至少一种包括硅和氧。

【技术实现步骤摘要】
使用热和等离子体增强方法的选择性沉积


[0001]本公开涉及用于制造半导体器件的方法和设备。更具体地，本公开涉及用于在衬底上选择性沉积介电材料的方法和设备，以及包括介电材料的层。

技术介绍

[0002]半导体器件制造过程通常使用先进的沉积方法。图案化通常用于在半导体衬底上沉积不同的材料。半导体制造商对选择性沉积越来越感兴趣，选择性沉积可以减少常规图案化所需的步骤，从而降低处理成本。选择性沉积还可以增强狭窄结构中的缩放。已经提出了实现选择性沉积的各种替代方案，并且需要额外的改进来扩展选择性沉积在工业规模器件制造中的使用。
[0003]氧化硅，有时包含附加元素和/或硅酸盐，用于许多不同的应用，并且它是半导体工业中最广泛使用的材料之一。因此，在氧化硅的选择性沉积方面的改进是非常受欢迎的，并且可能在使半导体器件制造更快和更具成本效益方面具有很大的影响。用于沉积氧化硅基材料的热过程和基于等离子体的过程都有其优点和缺点。这两种过程通常使用不同的前体，并且沉积条件通常被认为是不相容的。在本公开中提出了一种新颖的沉积过程，其允许利用热过程和等离子体增强本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种通过循环沉积过程相对于衬底的第二表面在衬底的第一表面上选择性沉积介电材料的方法，该方法包括：将衬底提供到反应室中；执行热沉积子循环以在第一表面上选择性沉积第一材料；执行等离子体沉积子循环以在第一表面上选择性地沉积第二材料；其中，第一材料和第二材料中的至少一种包括硅和氧。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在执行所述热沉积子循环之前，将金属或准金属催化剂以气相提供到反应室中。3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述热沉积子循环和所述等离子体沉积子循环中的至少一个在执行另一个子循环之前被执行不止一次。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述沉积过程的最后子循环是等离子体沉积子循环。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第一材料是包含硅和氧的材料。6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述热沉积子循环包括：将包含烷氧基硅烷化合物的硅前体以气相提供到反应室中；以及将包含氧和氢的氧前体以气相提供到反应室中，以在第一表面上形成包含硅和氧的第一材料。7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第二材料是包含硅和氧的材料。8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述等离子体沉积子循环包括：将包含烷氧基硅烷化合物的硅前体以气相提供到反应室中；以及将等离子体提供到反应室中，以形成用于在第一表面上形成包含硅和氧的第二材料的反应性物质。9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第一材料和所述第二材料是包含硅和氧的材料。10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第一表面是电介质表面。11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述电介质表面包括硅。12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第二表面包括钝...

【专利技术属性】
技术研发人员：E托伊斯，V马德希瓦拉，D基亚佩，M图米恩，邓少任，A钱德拉塞卡兰，韩镕圭，M吉文斯，A伊利贝里，V万达隆，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：