具有带平面内边缘的斜面掩模的等离子体CVD设备制造技术

一种用于等离子体CVD设备中的斜面掩模，用于沉积更均匀的膜，同时防止晶片边缘处的膜剥离。斜面掩模包括主体部分和边缘部分。主体部分包括内部倾斜表面或面，边缘部分从内部倾斜表面的底部向外延伸，以提供对基座上接收的晶片的上表面的外围部分的覆盖，其支撑环形掩模，例如在基座上表面上的环结构上。例如在基座上表面上的环结构上。例如在基座上表面上的环结构上。

【技术实现步骤摘要】
具有带平面内边缘的斜面掩模的等离子体CVD设备


[0001]本公开总体涉及半导体制造和用于执行该制造的相应系统，更具体地，涉及用于在衬底(例如晶片)上形成膜的等离子体化学气相沉积(CVD)设备，该设备在包括衬底外边缘的整个衬底上具有增强的膜均匀性。

技术介绍

[0002]在半导体工业中，等离子体或等离子体增强CVD(可以标记为等离子体CVD或PECVD)被广泛用于制造半导体结构。一般而言，“化学气相沉积”(CVD)可以指其中衬底(例如晶片)暴露于一种或多种挥发性前体的任何过程，所述挥发性前体在衬底表面上反应和/或分解以产生期望的沉积。热和等离子体CVD在整个半导体工业中很普遍。
[0003]关于等离子体CVD，图1是常规等离子体CVD处理设备1的示意图。设备1包括反应室6、气体入口5、圆形上电极9和由基座(或顶板)3和加热器2构成的下电极。从气体管线(未示出)通过气体入口5引入气体。圆形上电极9直接设置在气体入口5的下方。上电极9具有中空结构和设置在其底部的许多细孔，气体从这些细孔向支撑在基座3的上表面上的衬底或晶片4喷出。上电极9包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于在晶片上形成薄膜的等离子体沉积设备，包括：真空室；位于真空室中或耦合到真空室的等离子体产生电极；用于支撑晶片的基座，其中，基座设置在真空室中并且其中具有电极；以及掩模，其包括围绕晶片外围延伸的主体部分，其中主体部分包括面向真空室的倾斜表面，并且其中掩模还包括从倾斜表面向外延伸以覆盖晶片上表面的外围部分的边缘部分。2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述边缘部分具有平面横截面形状。3.根据权利要求1或2所述的设备，其中，所述边缘部分具有至少1毫米(mm)且小于或等于6毫米的宽度。4.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中，所述边缘部分具有至少0.15mm且小于或等于1mm的厚度。5.根据权利要求1至4中任一项所述的设备，其中，所述基座包括具有内壁的环结构，所述内壁限定用于接收晶片的凹穴，并且其中晶片的外边缘和内壁之间的间隙小于3mm。6.根据权利要求1至5中任一项所述的设备，其中，所述边缘部分的内径小于所述晶片的外径，并且大于或等于晶片的外径减去10mm。7.根据权利要求1至6中任一项所述的设备，其中，所述主体部分的最小厚度大于或等于所述边缘部分的厚度。8.根据权利要求1至7中任一项所述的设备，其中，所述边缘部分的下表面和所述晶片的上表面之间的间隙小于或等于1mm。9.根据权利要求1至8中任一项所述的设备，其中，所述掩模由氧化铝或氮化铝构成。10.根据权利要求1至9中任一项所述的设备，其中，在所述晶片上形成的薄膜包含碳和氢。11.根据权利要求1至10中任一项所述的设备，其中，所述边缘部分平行于所述基座的顶表面。12.根据权利要求1至11中任一项所述的设备，其中，所述倾斜表面具有从所述基座的顶表面测量的10至45度范围内的...

【专利技术属性】
技术研发人员：美山辽，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：