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一种用于等离子体CVD设备中的斜面掩模，用于沉积更均匀的膜，同时防止晶片边缘处的膜剥离。斜面掩模包括主体部分和边缘部分。主体部分包括内部倾斜表面或面，边缘部分从内部倾斜表面的底部向外延伸，以提供对基座上接收的晶片的上表面的外围部分的覆盖，其...
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