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公开了通过循环沉积过程相对于衬底的第二表面在衬底的第一表面上选择性沉积介电材料的方法和气相沉积组件。该方法包括将衬底提供到反应室中,执行热沉积子循环以在第一表面上选择性沉积第一材料,执行等离子体沉积子循环以在第一表面上选择性沉积第二材料;其...该专利属于ASMIP私人控股有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过ASMIP私人控股有限公司授权不得商用。
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公开了通过循环沉积过程相对于衬底的第二表面在衬底的第一表面上选择性沉积介电材料的方法和气相沉积组件。该方法包括将衬底提供到反应室中,执行热沉积子循环以在第一表面上选择性沉积第一材料,执行等离子体沉积子循环以在第一表面上选择性沉积第二材料;其...