半导体表面的精磨方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体表面的精磨方法，包括：通过第一研磨盘对半导体元件进行第一次研磨，得到一次减薄后的半导体元件；通过激光产生器发射激光束对所述一次减薄后的半导体元件的镍铁部分进行照射，使得所述镍铁部分受热突出，得到镍铁突出的半导体元件；通过第二研磨盘对所述镍铁突出的半导体元件进行第二次研磨，使得二次减薄后的半导体元件的二氧化硅基体高于镍铁部分。采用本发明专利技术实施例，能够满足基体表面高于镍铁表面的精磨要求。满足基体表面高于镍铁表面的精磨要求。满足基体表面高于镍铁表面的精磨要求。

【技术实现步骤摘要】
半导体表面的精磨方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种半导体表面的精磨方法。

技术介绍

[0002]在半导体的制作过程中，需要对半导体元件进行研磨抛光，以去除晶圆表面的机械物理划痕。但是，对于含有微高于二氧化硅基体的镍铁线圈的半导体元件，由于其半导体基体的主要成分是二氧化硅，材质较硬，但基体内含有的镍铁成分的感应线圈，材质较软，从而，在对半导体元件进行研磨时，容易造成镍铁部分与二氧化硅基体高度差增加，导致无法满足基体表面高于镍铁表面的精磨要求。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例的目的是提供一种半导体表面的精磨方法，能够满足基体表面高于镍铁表面的精磨要求。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种半导体表面的精磨方法，包括：
[0005]通过第一研磨盘对半导体元件进行第一次研磨，得到一次减薄后的半导体元件；
[0006]通过激光产生器发射激光束对所述一次减薄后的半导体元件的镍铁部分进行照射，使得所述镍铁部分受热突出，得到镍铁突出的半导体元件；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体表面的精磨方法，其特征在于，包括：通过第一研磨盘对半导体元件进行第一次研磨，得到一次减薄后的半导体元件；通过激光产生器发射激光束对所述一次减薄后的半导体元件的镍铁部分进行照射，使得所述镍铁部分受热突出，得到镍铁突出的半导体元件；通过第二研磨盘对所述镍铁突出的半导体元件进行第二次研磨，使得二次减薄后的半导体元件的二氧化硅基体高于镍铁部分。2.如权利要求1所述的半导体表面的精磨方法，其特征在于，所述第一研磨盘的旋转速度为80
‑
100rpm。3.如权利要求1所述的半导体表面的精磨方法，其特征在于，所述第一研磨盘上的金刚石颗粒的粒径为750
‑
850um。4.如权利要求1所述的半导体表面的精磨方法，其特征在于，所述激光产生器为脉冲激光器，所述激光产生器发射的激光波长为130
‑
170nm，所述激光束的直径为0.1
‑
0.2μm，所述激光束的功率为0.5
‑
1W，照射时间为4
‑
6秒。5.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：余周，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：