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本发明公开了一种半导体表面的精磨方法，包括：通过第一研磨盘对半导体元件进行第一次研磨，得到一次减薄后的半导体元件；通过激光产生器发射激光束对所述一次减薄后的半导体元件的镍铁部分进行照射，使得所述镍铁部分受热突出，得到镍铁突出的半导体元件；通...
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