电子系统及芯片技术方案

本发明专利技术提供一种电子系统及芯片。芯片包括第一至第五焊垫、第一及第二压控电流元件、第一及第二偏压元件。第一至第三焊垫分别耦接第一氮化镓晶体管的漏极、源极及栅极，第三焊垫至第五焊垫分别耦接于第二氮化镓晶体管的漏极、源极及栅极。第一压控电流元件耦接于第一及第二焊垫。第二压控电流元件耦接于第三及第四焊垫。第一偏压元件耦接于第二及第三焊垫。第二偏压元件耦接于第四及第五焊垫。第一偏压元件依第一压控电流元件的控制以调整第二焊垫的偏压，第二偏压元件依据第二压控电流元件的控制以调整第四焊垫的偏压。的控制以调整第四焊垫的偏压。的控制以调整第四焊垫的偏压。

【技术实现步骤摘要】
电子系统及芯片


[0001]本专利技术涉及一种系统及芯片，且特别是有关于一种电子系统及用于耦接于氮化镓晶体管的芯片。

技术介绍

[0002]氮化镓(gallium nitride,GaN)晶体管由于一些的优点而被广泛的使用。但另一方面，氮化镓晶体管同时又具有较低的阀值电压，往往造成电路中较大的功率消耗。
[0003]现有技术中提出了一些增强型(enhanced mode,e
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mode)的氮化镓晶体管，试图降低氮化镓晶体管的功耗。但这些增强型的氮化镓晶体管往往需要特殊工艺来改变氮化镓晶体管的结构，又或者是通过将晶体管与氮化镓晶体管串接(cascode)，因此往往会导致较高的制造成本，或是氮化镓晶体管的电流被串接的晶体管所限制，因而影响氮化镓晶体管的电路表现。

技术实现思路

[0004]本专利技术是针对一种电子系统及芯片，其可在改善氮化镓晶体管的制造成本时，又不影响氮化镓晶体管本身的电路表现。
[0005]根据本专利技术的实施例，芯片包括第一至第五焊垫、第一及第二压控电流元件、第一及第二偏压元件。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片，其特征在于，用于控制第一氮化镓晶体管及第二氮化镓晶体管，所述第一氮化镓晶体管的源极耦接于所述第二氮化镓晶体管的漏极，所述芯片包括：第一焊垫、第二焊垫、第三焊垫、第四焊垫及第五焊垫，所述第一焊垫、所述第二焊垫及所述第三焊垫分别用于耦接于所述第一氮化镓晶体管的漏极、源极及栅极，所述第三焊垫、所述第四焊垫及所述第五焊垫分别用于耦接于所述第二氮化镓晶体管的漏极、源极及栅极；第一压控电流元件，具有第一端及第二端，分别耦接于所述第一焊垫及所述第二焊垫；第二压控电流元件，具有第一端及第二端，分别耦接于所述第三焊垫及所述第四焊垫；第一偏压元件，耦接于所述第二焊垫及所述第三焊垫之间；以及第二偏压元件，耦接于所述第四焊垫及所述第五焊垫之间，其中所述第一偏压元件依据所述第一压控电流元件的控制以调整所述第二焊垫的偏压，所述第二偏压元件依据所述第二压控电流元件的控制以调整所述第四焊垫的偏压。2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，更包括：上桥电路，耦接所述第一压控电流元件的控制端；以及下桥电路，耦接所述第二压控电流元件的控制端，其中所述第一压控电流元件依据所述上桥电路的控制以提供第一偏压电流至所述第一偏压元件，以控制所述第一氮化镓晶体管为导通或截止，其中所述第二压控电流元件依据所述下桥电路的控制以提供第二偏压电流至所述第二偏压元件，以控制所述第二氮化镓晶体管为导通或截止。3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一偏压元件包括：第一电阻，具有耦接于所述第二焊垫的第一端；以及第一二级管，具有耦接于所述第一电阻的第二端的阴极以及耦接于所述第三焊垫的阳极，其中所述第二偏压元件包括：第二电阻，具有耦接于所述第四焊垫的第一端；以及第二二级管，具有耦接于所述第二电阻的第二端的阴极以及耦接于所述第五焊垫的阳极。4.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，包括：电源电路，耦接所述上桥电路及所述下桥电路，所述电源电路用以提供第一电源电压；控制器，耦接所述上桥电路及所述下桥电路，所述控制器用以产生第一驱动信号及第二驱动信号，以控制所述上桥电路及所述下桥电路的操作；以及电平平移电路，耦接于所述控制器、所述上桥电路及所述下桥电路，所述电平平移电路用以调整所述第一驱动信号及所述第二驱动信号的电压电平。5.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述第一压控电流元件包括n型金氧半场效晶体管，当所述第一压控电流元件接收到高逻辑电平电压时，所述第一压控电流元件提供所述第一偏压电流至所述第一偏压元件以控制所述第一氮化镓晶体管为截止，其中所述第二压控电流元件包括p型金氧半场效晶体管，当所述第二压控电流元件接收到低逻辑电平电压时，所述第二压控电流元件提供所述第二偏压电流至所述第二偏压元件以控制所述第二氮化镓晶体管为截止。
6.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述第一压控电流元件包括第一p型金氧半场效晶体管，当所述第一压控电流元件接收到低逻辑电平电压时，所述第一压控电流元件提供所述第一偏压电流至所述第一偏压元件以控制所述第一氮化镓晶体管为截止，其中所述第二压控电流元件包括第二p型金氧半场效晶体管，当所述第二压控电流元件接收到所述低逻辑电平电压时，所述第二压控电流元件提供所述第二偏压电流至所述第二偏压元件以控制所述第二氮化镓晶体管为截止。7.根据权利要求6所述的芯片，其特征在于，更包括：自举式电路，耦接所述电源电路及所述第三焊垫之间，所述自举式电路对所述第一电源电压进行升压，以产生经升压的所述电源电压，所述自举式电路包括：二级管，具有阳极与阴极，所述二级管的阳极耦接于所述电源电路；以及电容，耦接于所述二级管的阴极与第三焊垫之间，其中所述自举式电路于所述二级管的阴极产生升压的所述第一电源电压，并将升压的所述电源电压提供至所述上桥电路。8.一种电子系统，其特征在于，包括：第一氮化镓晶体管，具有漏极、源极及栅极；第二氮化镓晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈柏安，吴祖仪，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：