发光芯片的制备方法技术

本申请提供了一种发光芯片的制备方法。发光芯片的制备方法包括：步骤一：在衬底的一侧设置水溶胶层；步骤二：在水溶胶层上沉积芯片层，加热并光照芯片层，分割芯片层以形成多个发光芯片；步骤三：去除水溶胶层，使衬底与发光芯片分离。通过在发光芯片与衬底之间设置水溶胶层，溶解水溶胶层以将发光芯片从衬底上剥离，以提升发光芯片的良率以及提高工作效率。以提升发光芯片的良率以及提高工作效率。以提升发光芯片的良率以及提高工作效率。

【技术实现步骤摘要】
发光芯片的制备方法


[0001]本申请涉及显示
，特别是涉及一种发光芯片的制备方法。

技术介绍

[0002]现有微米发光二极管(Micro
‑
light
‑
emitting diode，Micro
‑
LED)显示面板中发光芯片通常采用激光高能量照射衬底，使衬底和发光芯片剥离。这种剥离方式工作效率低、成本高且良率低；激光能量过大会伤及芯片，能量过小无法有效剥离出芯片，且激光束光斑很小，单次照射面积小。

技术实现思路

[0003]本申请主要解决的技术问题是提供一种发光芯片的制备方法，解决现有技术中剥离衬底和发光芯片的工作效率低、成本高且良率低的问题。
[0004]为了解决上述技术问题，本申请提供的第一个技术方案为：提供一种发光芯片的制备方法，其中，所述制备方法包括：
[0005]步骤一：在衬底的一侧设置水溶胶层；
[0006]步骤二：在所述水溶胶层上沉积芯片层，加热并光照所述芯片层，分割所述芯片层以形成多个发光芯片；
[0007]步骤三：去除本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：步骤一：在衬底的一侧设置水溶胶层；步骤二：在所述水溶胶层上沉积芯片层，加热并光照所述芯片层，分割所述芯片层以形成多个发光芯片；步骤三：去除所述水溶胶层，使所述衬底与所述发光芯片分离。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤二之前还包括：将多个透明防护层间隔设置于所述水溶胶层上；所述步骤二包括：在所述透明防护层远离所述衬底的一侧沉积所述芯片层，加热并光照所述芯片层，分割所述芯片层以形成多个发光芯片；所述透明防护层与所述发光芯片一一对应设置。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤二包括：在所述水溶胶层远离所述衬底的一侧表面沉积所述芯片层，并采用150℃～300℃的温度加热并紫外光照所述芯片层；其中，紫外光的照度为25mW/cm2～100mW/cm2；分割所述芯片层以形成多个间隔设置的所述发光芯片。4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤一包括：在所述衬底的一侧设置所述水溶胶层，并使所述水溶胶层裸露部分所述衬底。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底的一侧设置所述水溶胶层，并使所述水溶胶层裸露部分所述衬底，包括：将多个第一块状物间隔设置于所述衬底的一侧；在所述第一块状物的侧面设置所述水溶胶层；其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：张建英，康报虹，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：