发光芯片的制备方法技术

本申请提供了一种发光芯片的制备方法。发光芯片的制备方法包括：步骤一：在衬底的一侧设置水溶胶层；步骤二：在水溶胶层上沉积芯片层，加热并光照芯片层，分割芯片层以形成多个发光芯片；步骤三：去除水溶胶层，使衬底与发光芯片分离。通过在发光芯片与衬底之间设置水溶胶层，溶解水溶胶层以将发光芯片从衬底上剥离，以提升发光芯片的良率以及提高工作效率。以提升发光芯片的良率以及提高工作效率。以提升发光芯片的良率以及提高工作效率。

【技术实现步骤摘要】
发光芯片的制备方法


[0001]本申请涉及显示
，特别是涉及一种发光芯片的制备方法。

技术介绍

[0002]现有微米发光二极管(Micro
‑
light
‑
emitting diode，Micro
‑
LED)显示面板中发光芯片通常采用激光高能量照射衬底，使衬底和发光芯片剥离。这种剥离方式工作效率低、成本高且良率低；激光能量过大会伤及芯片，能量过小无法有效剥离出芯片，且激光束光斑很小，单次照射面积小。

技术实现思路

[0003]本申请主要解决的技术问题是提供一种发光芯片的制备方法，解决现有技术中剥离衬底和发光芯片的工作效率低、成本高且良率低的问题。
[0004]为了解决上述技术问题，本申请提供的第一个技术方案为：提供一种发光芯片的制备方法，其中，所述制备方法包括：
[0005]步骤一：在衬底的一侧设置水溶胶层；
[0006]步骤二：在所述水溶胶层上沉积芯片层，加热并光照所述芯片层，分割所述芯片层以形成多个发光芯片；
[0007]步骤三：去除所述水溶胶层，使所述衬底与所述发光芯片分离。
[0008]其中，在所述步骤二之前还包括：
[0009]将多个透明防护层间隔设置于所述水溶胶层上；
[0010]所述步骤二包括：
[0011]在所述透明防护层远离所述衬底的一侧沉积所述芯片层，加热并光照所述芯片层，分割所述芯片层以形成多个发光芯片；所述透明防护层与所述发光芯片一一对应设置。
[0012]其中，所述步骤二包括：
[0013]在所述水溶胶层远离所述衬底的一侧表面沉积所述芯片层，采用150℃～300℃的温度加热并紫外光照所述芯片层；其中，紫外光的照度为25mW/cm2～100mW/cm2；
[0014]分割所述芯片层以形成多个间隔设置的所述发光芯片。
[0015]其中，所述步骤一包括：
[0016]在所述衬底的一侧设置所述水溶胶层，并使所述水溶胶层裸露部分所述衬底。
[0017]其中，所述在所述衬底的一侧设置所述水溶胶层，并使所述水溶胶层裸露部分所述衬底，包括：
[0018]将多个第一块状物间隔设置于所述衬底的一侧；
[0019]在所述第一块状物的侧面设置所述水溶胶层；其中，所述水溶胶层的厚度小于或等于所述第一块状物的高度；
[0020]溶解所述第一块状物，使所述水溶胶层裸露部分所述衬底。
[0021]其中，所述在所述衬底的一侧设置所述水溶胶层，并使所述水溶胶层裸露部分所
述衬底，包括：
[0022]将多个第一块状物设置于所述衬底的一侧；
[0023]在所述衬底靠近所述第一块状物的一侧表面设置第二块状物，所述第二块状物与至少部分所述第一块状物接触设置；所述第二块状物的高度小于所述第一块状物的高度；
[0024]在所述第一块状物的侧面设置所述水溶胶层，且所述水溶胶层覆盖所述第二块状物；其中，所述水溶胶层的厚度小于或等于所述第一块状物的高度；
[0025]溶解所述第一块状物和所述第二块状物，使所述水溶胶层裸露部分所述衬底。
[0026]其中，所述第二块状物的高度小于或等于所述水溶胶层厚度的一半。
[0027]其中，所述第一块状物设置于相邻所述发光芯片之间，所述第一块状物的宽度为1～2微米，所述第一块状物的长度小于或等于所述发光芯片的宽度，所述第一块状物的高度为3～5微米。
[0028]其中，所述水溶胶层包括聚甲基丙烯酸羟乙酯、聚丙烯酰胺和聚乙烯吡咯烷酮中的至少一种。
[0029]其中，所述水溶胶层的厚度为1～5微米。
[0030]本申请的有益效果：区别于现有技术，本申请提供了一种发光芯片的制备方法。发光芯片的制备方法包括：步骤一：在衬底的一侧设置水溶胶层；步骤二：在水溶胶层上沉积芯片层，加热并光照芯片层，分割芯片层以形成多个发光芯片；步骤三：去除水溶胶层，使衬底与发光芯片分离。通过在发光芯片与衬底之间设置水溶胶层，溶解水溶胶层以将发光芯片从衬底上剥离，以提升发光芯片的良率以及提高工作效率。
附图说明
[0031]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出任何创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0032]图1是本申请提供的发光芯片的制备方法一些实施方式的流程示意图；
[0033]图2是本申请提供的发光芯片的制备方法第一实施方式的流程示意图；
[0034]图3是图2中步骤S11至S13对应的结构示意图；
[0035]图4是图2中步骤S12一实施方式对应的结构示意图；
[0036]图5是图1中步骤S100一实施方式的流程示意图；
[0037]图6是图5中步骤S111至S113对应的结构示意图；
[0038]图7是图1中步骤S100另一实施方式的流程示意图；
[0039]图8是图7中步骤S121和S122对应的俯视结构示意图；
[0040]图9是图8中A
‑
A处的剖视结构示意图；
[0041]图10是图8中B
‑
B处的剖视结构示意图；
[0042]图11a是图7中步骤122一实施方式的俯视结构示意图；
[0043]图11b是图7中步骤122另一实施方式的俯视结构示意图；
[0044]图12是图7中步骤S123对应的纵截面结构示意图；
[0045]图13是图7中步骤S123和S124对应的立体结构示意图；
[0046]图14是本申请提供的发光芯片的制备方法第二实施方式的流程示意图；
[0047]图15是图14中步骤S21至S24对应的结构示意图；
[0048]图16是本申请提供的发光芯片的制备方法第三实施方式的流程示意图；
[0049]图17是图16中步骤S31至S35对应的结构示意图；
[0050]图18是本申请提供的发光芯片的制备方法第四实施方式的流程示意图；
[0051]图19是本申请提供的发光芯片的制备方法第五实施方式的流程示意图；
[0052]图20是图19中步骤S51至S56对应的结构示意图。
[0053]附图标号说明：
[0054]衬底
‑
10、水溶胶层
‑
20、第一块状物
‑
30、第二块状物
‑
40、透明防护层
‑
50、发光芯片
‑
60、芯片层
‑
61、芯片材料层
‑
62、氩等离子体
‑
63、原子
‑
64、第一方向
‑
X、第二方向
‑
Y。
具体实施方式<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：步骤一：在衬底的一侧设置水溶胶层；步骤二：在所述水溶胶层上沉积芯片层，加热并光照所述芯片层，分割所述芯片层以形成多个发光芯片；步骤三：去除所述水溶胶层，使所述衬底与所述发光芯片分离。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤二之前还包括：将多个透明防护层间隔设置于所述水溶胶层上；所述步骤二包括：在所述透明防护层远离所述衬底的一侧沉积所述芯片层，加热并光照所述芯片层，分割所述芯片层以形成多个发光芯片；所述透明防护层与所述发光芯片一一对应设置。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤二包括：在所述水溶胶层远离所述衬底的一侧表面沉积所述芯片层，并采用150℃～300℃的温度加热并紫外光照所述芯片层；其中，紫外光的照度为25mW/cm2～100mW/cm2；分割所述芯片层以形成多个间隔设置的所述发光芯片。4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤一包括：在所述衬底的一侧设置所述水溶胶层，并使所述水溶胶层裸露部分所述衬底。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底的一侧设置所述水溶胶层，并使所述水溶胶层裸露部分所述衬底，包括：将多个第一块状物间隔设置于所述衬底的一侧；在所述第一块状物的侧面设置所述水溶胶层；其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：张建英，康报虹，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：