光刻系统技术方案

本公开实施例公开了一种光刻系统，包括：光刻设备；适用于所述光刻设备的掩膜版，具有曝光区和围绕所述曝光区设置的非曝光区，其中，所述掩膜版包括：器件图案，设置于所述曝光区，用于在曝光时被投影至覆盖半导体结构的光刻胶中；静电释放环，设置于所述曝光区，且环绕在所述器件图案外，所述静电释放环的特征尺寸小于所述光刻设备的分辨率；其中，所述静电释放环与所述器件图案具有预设间距。放环与所述器件图案具有预设间距。放环与所述器件图案具有预设间距。

【技术实现步骤摘要】
光刻系统


[0001]本公开实施例涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种光刻系统。

技术介绍

[0002]掩膜版是光刻工艺中所使用的图形母版，用于将设计版图转移至半导体结构上，以形成半导体器件，因此，掩膜版的质量直接影响制备的半导体结构的质量，进而影响形成的包括该半导体结构的半导体器件良率。通常，掩膜版包括曝光区和非曝光区。并且，为了实现与曝光机台的对准，掩膜版上还会设置给曝光机台对准用的对位标记。此外，为了减少静电放电问题对曝光区的影响，通常会设置静电释放环(ESD ring)。如何合理设置静电释放环的位置，成为亟待解决的问题。

技术实现思路

[0003]本公开实施例提供一种光刻系统，包括：
[0004]光刻设备；
[0005]适用于所述光刻设备的掩膜版，具有曝光区和围绕所述曝光区设置的非曝光区，其中，所述掩膜版包括：
[0006]器件图案，设置于所述曝光区，用于在曝光时被投影至覆盖半导体结构的光刻胶中；
[0007]静电释放环，设置于所述曝光区，且环绕在所述器件图案外，所述静电释放环的特征尺寸小于所述光刻设备的分辨率；其中，所述静电释放环与所述器件图案具有预设间距。
[0008]在一些实施例中，所述掩膜版包括环绕所述器件图案并列设置的多个所述静电释放环；其中，相邻两个所述静电释放环之间的最小距离，大于或等于所述静电释放环的特征尺寸。
[0009]在一些实施例中，相邻两个所述静电释放环之间的最小距离等于1.5～2.5倍所述静电释放环的特征尺寸。
[0010]在一些实施例中，多个所述静电释放环等间距设置。
[0011]在一些实施例中，多个所述静电释放环的宽度相同。
[0012]在一些实施例中，多个所述静电释放环的对称中心重叠。
[0013]在一些实施例中，所述静电释放环的形状包括：长方形、正方形或者环形。
[0014]在一些实施例中，所述静电释放环的组成材料包括：石英。
[0015]在一些实施例中，所述掩膜版还包括：
[0016]对位标记，设置于所述非曝光区，用于对位所述掩膜版与所述光刻设备的光源。
[0017]在一些实施例中，所述光刻设备包括：I
‑
Line光刻机、KrF光刻机、ArF干式光刻机或ArF浸没式光刻机。
[0018]在一些实施例中，所述光刻设备为所述I
‑
Line光刻机，所述静电释放环的特征尺寸小于1120纳米。
[0019]在一些实施例中，所述光刻设备为所述KrF光刻机，所述静电释放环的特征尺寸小于320纳米。
[0020]在一些实施例中，所述光刻设备为所述ArF干式光刻机，所述静电释放环的特征尺寸小于228纳米。
[0021]在一些实施例中，所述光刻设备为所述ArF浸没式光刻机，所述静电释放环的特征尺寸小于152纳米。
[0022]相关技术中，由于掩膜版上静电释放环的设置位置与用于与曝光机台对准的对位标记设置位置有重叠，因此无法满足曝光机台对于设置对位标记的区域没有其他图案的要求(即pattern free)。如果从掩膜版上移除静电释放环，可能会出现静电放电的问题，进而影响曝光区的图案。本公开实施例中，将静电释放环设置在曝光区，并且设置的静电释放环的特征尺寸小于光刻设备的分辨率，如此，在光刻设备进行曝光时，静电释放环不会成像，即不会影响形成投影至覆盖半导体结构的光刻胶中的器件图案，且可以实现对于曝光区中器件图案的静电保护。
附图说明
[0023]图1a是根据一示例性实施例示出的一种掩膜版的曝光区的示意图；
[0024]图1b是根据一示例性实施例示出的一种掩膜版的非曝光区的示意图；
[0025]图1c是根据一示例性实施例示出的一种掩膜版的示意图；
[0026]图1d是根据一示例性实施例示出的一种掩膜版的局部示意图；
[0027]图2a是根据一示例性实施例示出的一种光刻系统的框图；
[0028]图2b是根据一示例性实施例示出的一种掩膜版的曝光区I的示意图；
[0029]图2c是根据一示例性实施例示出的一种掩膜版的非曝光区II的示意图；
[0030]图2d是根据一示例性实施例示出的一种掩膜版的示意图；
[0031]图3a是根据一示例性实施例示出的另一种掩膜版的曝光区I的示意图；
[0032]图3b是根据一示例性实施例示出的另一种掩膜版的示意图。
具体实施方式
[0033]下面将结合附图和实施例对本公开的技术方案进一步详细阐述。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方法，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻的理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0034]在下列段落中参照附图以举例方式更具体的描述本公开。根据下面说明和权利要求书，本公开的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本公开实施例的目的。
[0035]可以理解的是，本公开的“在
……
上”、“在
……
之上”和“在
……
上方”的含义应当以最宽方式被解读，以使得“在
……
上”不仅表示其“在”某物“上”且其间没有居间特征或层(即直接在某物上)的含义，而且还包括在某物“上”且其间有居间特征或层的含义。
[0036]在本公开实施例中，术语“第一”、“第二”、“第三”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
[0037]在本公开实施例中，术语“层”是指包括具有厚度的区域的材料部分。层可以在下方或上方结构的整体之上延伸，或者可以具有小于下方或上方结构范围的范围。此外，层可以是厚度小于连续结构厚度的均质或非均质连续结构的区域。例如，层可位于连续结构的顶表面和底表面之间，或者层可在连续结构顶表面和底表面处的任何水平面对之间。层可以水平、垂直和/或沿倾斜表面延伸。层可以包括多个子层。
[0038]需要说明的是，本公开实施例所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。
[0039]在半导体器件的制备过程中，通常会需要形成特定图案的结构。例如，在动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)的制备过程中，在晶圆上需要形成贯穿包括层叠设置的牺牲层和支撑层的堆叠结构的电容孔，或者在预设结构中形成多条并列排布的字线沟槽或者位线沟槽等。为了形成这些特定图案，可通过曝光，利用掩膜版将图形转移到覆盖堆叠结构的光刻胶中，或者利用掩膜版将图形转移到覆盖预设结构的光刻胶中，以形成图案化的光刻胶，然后以图案化的光刻胶作为蚀刻掩膜层，通过光刻，以形成该电容孔、字线沟槽或者位线沟槽等。
[0040]现有技术中，存在曝光且光刻后形成的半导体器件良率较低的问题。经过分析和研究发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻系统，其特征在于，包括：光刻设备；适用于所述光刻设备的掩膜版，具有曝光区和围绕所述曝光区设置的非曝光区，其中，所述掩膜版包括：器件图案，设置于所述曝光区，用于在曝光时被投影至覆盖半导体结构的光刻胶中；静电释放环，设置于所述曝光区，且环绕在所述器件图案外，所述静电释放环的特征尺寸小于所述光刻设备的分辨率；其中，所述静电释放环与所述器件图案具有预设间距。2.根据权利要求1所述的光刻系统，其特征在于，所述掩膜版包括环绕所述器件图案并列设置的多个所述静电释放环；其中，相邻两个所述静电释放环之间的最小距离，大于或等于所述静电释放环的特征尺寸。3.根据权利要求2所述的光刻系统，其特征在于，相邻两个所述静电释放环之间的最小距离等于1.5～2.5倍所述静电释放环的特征尺寸。4.根据权利要求2所述的光刻系统，其特征在于，多个所述静电释放环等间距设置。5.根据权利要求2所述的光刻系统，其特征在于，多个所述静电释放环的宽度相同。6.根据权利要求2所述的光刻系统，其特征在于，多个所述静电释放环的对称中心重叠。7.根据权利要求1所述的光刻系统，其特征在于，所述静电释放...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪美里，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：