一种光刻方法、光刻装置和计算机存储介质制造方法及图纸

本申请实施例公开了一种光刻方法、光刻装置和计算机存储介质，该方法包括：确定光刻机的曝光强度；根据曝光强度，确定光刻机对应的目标预设区间；根据目标预设区间，确定曝光剂量符合目标曝光剂量的至少一个目标晶圆；其中，目标预设区间与目标曝光剂量之间具有对应关系；利用光刻机对至少一个目标晶圆进行光刻处理。本申请能够提高光刻机的生产能力。本申请能够提高光刻机的生产能力。本申请能够提高光刻机的生产能力。

【技术实现步骤摘要】
一种光刻方法、光刻装置和计算机存储介质


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种光刻方法、光刻装置和计算机存储介质。

技术介绍

[0002]通常，光刻机(Mask Aligner，也称作曝光机)的曝光原理是通过激光(Laser)产生光束，并通过镜片(Mirror)的反射和折射形成衍射光学元件(Diffractive Optical Elements，DOE)实现成像。
[0003]在光刻机的使用过程中，随着激光的光束不断照射光路中的镜片，镜片会发生氧化反应产生雾化，导致镜片的反射率或者折射率降低，进而降低了最终到达晶圆的曝光强度(Intensity)，随着雾化的进一步恶化，会导致曝光强度进一步下降。然而，如果曝光强度过低，则曝光时间会增加，会严重降低光刻机的产出，影响光刻机生产能力。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种光刻方法、光刻装置和计算机存储介质，能够提高曝光机的生产能力，并节约成本。
[0005]本申请的技术方案是这样实现的：
[0006]第一方面，本申请实施例提供了一种光刻方法，该方法包括：
[0007]确定光刻机的曝光强度；
[0008]根据曝光强度，确定光刻机对应的目标预设区间；
[0009]根据目标预设区间，确定曝光剂量符合目标曝光剂量的至少一个目标晶圆；其中，目标预设区间与目标曝光剂量之间具有对应关系；
[0010]利用光刻机对至少一个目标晶圆进行光刻处理。
[0011]第二方面，本申请实施例提供了一种光刻装置，该光刻装置包括确定单元和光刻单元，其中，
[0012]确定单元，配置为确定光刻机的曝光强度；以及根据曝光强度，确定光刻机对应的目标预设区间；以及根据目标预设区间，确定曝光剂量符合目标曝光剂量的至少一个目标晶圆；其中，目标预设区间与目标曝光剂量之间具有对应关系；
[0013]光刻单元，配置为利用光刻机对至少一个目标晶圆进行光刻处理。
[0014]第三方面，本申请实施例还提供了一种光刻装置，该光刻装置包括存储器和处理器，其中，
[0015]存储器，用于存储能够在处理器上运行的计算机程序；
[0016]处理器，用于在运行计算机程序时，执行如第一方面所述的光刻方法。
[0017]第四方面，本申请实施例提供了一种计算机存储介质，该计算机存储介质存储有计算机程序，计算机程序被至少一个处理器执行时实现如第一方面所述的光刻方法。
[0018]本申请实施例所提供的一种光刻方法、光刻装置和计算机存储介质，通过确定光
刻机的曝光强度；根据曝光强度，确定光刻机对应的目标预设区间；根据目标预设区间，确定曝光剂量符合目标曝光剂量的至少一个目标晶圆；其中，目标预设区间与目标曝光剂量之间具有对应关系；利用光刻机对至少一个目标晶圆进行光刻处理。这样，通过对光刻机的曝光强度进行区间划分，使得曝光强度归属于目标预设区间的光刻机只针对符合目标曝光剂量的晶圆进行光刻处理，从而能够实现对光刻机的合理利用，不仅降低了更换镜片的成本，还避免了在曝光强度不足时所导致曝光时间增加的问题，同时提高了光刻机的生产能力。
附图说明
[0019]图1为本申请实施例提供的一种光刻方法的流程示意图；
[0020]图2为本申请实施例提供的一种曝光强度的变化示意图；
[0021]图3为本申请实施例提供的一种曝光强度与曝光时间之间的对应关系示意图；
[0022]图4为本申请实施例提供的另一种曝光强度与曝光时间之间的对应关系示意图；
[0023]图5为本申请实施例提供的一种光刻方法的详细流程示意图；
[0024]图6为本申请实施例提供的一种随机派货的流程示意图；
[0025]图7为本申请实施例提供的一种光刻装置的组成结构示意图
[0026]图8为本申请实施例提供的一种光刻装置的具体硬件结构示意图。
具体实施方式
[0027]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释相关申请，而非对该申请的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与有关申请相关的部分。
[0028]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述本申请实施例的目的，不是旨在限制本申请。
[0029]在以下的描述中，涉及到“一些实施例”，其描述了所有可能实施例的子集，但是可以理解，“一些实施例”可以是所有可能实施例的相同子集或不同子集，并且可以在不冲突的情况下相互结合。
[0030]需要指出，本申请实施例所涉及的术语“第一\第二\第三”仅仅是区别类似的对象，不代表针对对象的特定排序，可以理解地，“第一\第二\第三”在允许的情况下可以互换特定的顺序或先后次序，以使这里描述的本申请实施例能够以除了在这里图示或描述的以外的顺序实施。
[0031]光刻机的曝光原理是通过激光产生光束，并通过镜片的反射和折射形成DOE实现成像。在光刻机的使用过程中，形成DOE的曝光强度决定了曝光时间。如果曝光强度过低，则曝光时间会增加，大大地降低了光刻机的产出。随着激光的光束不断的照射光刻机光路中的镜片，镜片会发生氧化反应产生雾化，会降低镜片的反射率或是折射率，降低到达晶圆的曝光强度，随着雾化的恶化，曝光强度进一步呈现下降趋势。
[0032]由于曝光强度降低导致曝光时间延长，导致在相同的工艺时间内，光刻机能够处理的晶圆数量降低，即降低了光刻机生产能力，其中，光刻机生产能力表示光刻机单位时间
(例如一小时)处理的晶圆数量。另外，为了恢复光刻机生产能力，需要将雾化的镜片进行更换，导致了成本提高。因此，本申请实施例提供了一种光刻方法，该方法涉及半导体光刻曝光技术，能够改善光刻机的产能损失，提高光刻机的生产能力，并降低由于更换镜片导致的成本。
[0033]下面将结合附图对本申请各实施例进行详细说明。
[0034]本申请的一实施例中，参见图1，其示出了本申请实施例提供的一种光刻方法的流程示意图。如图1所示，该方法可以包括：
[0035]S101、确定光刻机的曝光强度。
[0036]需要说明的是，本申请实施例提供的光刻方法应用于光刻装置，例如光刻机，或者用于调度光刻机的调度设备，实时派工系统(Real Time Dispatch，RTD)等，通过该方法实现对光刻机的合理利用。
[0037]可以理解，随着光刻机使用时间的延长，光刻机光路中的镜片会发生氧化反应而产生雾化，导致曝光强度过低，使得在对晶圆进行光刻处理时的曝光时间会增加，影响光刻机产能。
[0038]示例性地，参见图2，其示出了本申请实施例提供的一种曝光强度的变化示意图，其中，横向表示日期，“t
11
、t
12
、t
13
……”
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻方法，其特征在于，所述方法包括：确定光刻机的曝光强度；根据所述曝光强度，确定所述光刻机对应的目标预设区间；根据所述目标预设区间，确定曝光剂量符合目标曝光剂量的至少一个目标晶圆；其中，所述目标预设区间与所述目标曝光剂量之间具有对应关系；利用所述光刻机对所述至少一个目标晶圆进行光刻处理。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定光刻机的曝光强度，包括：确定所述光刻机的工作状态参数；对所述工作状态参数进行曝光分析，确定所述光刻机的曝光强度。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：确定在至少一个曝光剂量下的曝光强度与曝光时间之间的对应关系；根据所述至少一个曝光剂量下的曝光强度与曝光时间之间的对应关系，分别确定所述至少一个曝光剂量各自对应的预设区间；其中，所述预设区间用于指示在所述曝光剂量下的曝光时间保持不变。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述至少一个曝光剂量至少包括第一曝光剂量和第二曝光剂量；所述根据所述至少一个曝光剂量下的曝光强度与曝光时间之间的对应关系，分别确定所述至少一个曝光剂量各自的预设区间，包括：根据所述第一曝光剂量下的曝光强度与曝光时间之间的对应关系，确定所述第一曝光剂量对应的第一预设区间；以及根据所述第二曝光剂量下的曝光强度与曝光时间之间的对应关系，确定所述第二曝光剂量对应的第二预设区间。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述第二曝光剂量下的曝光强度与曝光时间之间的对应关系，确定所述第二曝光剂量对应的第二预设区间，包括：根据所述第二曝光剂量下的曝光强度与曝光时间之间的对应关系，确定所述第二曝光剂量对应的第三预设区间；根据所述第三预设区间和所述第一预设区间，确定所述第二曝光剂量对应的所述第二预设区间。6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述曝光强度，确定所述光刻机对应的目标预设区间，包括：当所述曝光强度处于所述第一预设区间时，确定所述目标预设区间为所述第一预设区间；相应地，所述根据所述目标预设区间，确定曝光剂量符合目标曝光剂量的至少一个目标晶圆，包括：获取待处理晶圆的曝光剂量；当所述待处理晶圆的曝光剂量满足所述第一曝光剂量时，将所述待处理晶圆确定为所述目标晶圆。7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述曝光强度，确定所述光刻机对应的目标预设区间，包括：
当所述曝光强度处于所述第二预设区间时，确定所述目标预设区间为所述第二预设区间；相应地，所述根据所述目标预设区间，确定曝光剂量符合目标曝光剂量的至少一个目标晶圆，包括：获取待处理晶圆的曝光剂量；当所述待处理晶圆的曝光剂量满足所述第二曝光剂量时，将所述待处理晶圆确定为所述目标晶圆。8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述确定光刻机的曝光强度之后，所述方法还包括：当所述曝光强度小于所述第三预设区间的预设下限值时，输出警告信息；其中，所述警告信息用于提示更换所述光刻机的镜片；当所述曝光强度大于或等于所述第三预设区间的预设下限值时，执行所述根据所述曝光强度，确定所述光刻机对应的目标预设区间的步骤。9.根据权利要求1至8任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：确定当前批次的待处理晶圆的曝光剂量；当所述曝光剂量满足所述目标曝光剂量时，确定所述目标曝光剂量对应的目标预设区间；根据所述目标预设区间，确定曝光强度处于所述目标预设区间的光刻机；将所述当前批次的待处理晶圆调度至所述光刻机，并进行光刻处理。10.一种光刻装置，其特征在于，所述光刻装置包括确定单元和光刻单...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪恒，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：