用于在衬底晶圆上沉积半导体材料层的设备和方法技术

本发明专利技术涉及一种用于在衬底晶圆上沉积半导体材料层的设备，所述设备包括：位于上穹顶与下穹顶之间的基环；在所述层的沉积期间用作所述衬底晶圆的支撑件的基座；气体入口和气体出口；排出气体管线以及用于在所述衬底晶圆的上侧表面上方传送工艺气体的气体供应管线；狭缝阀通道和狭缝阀门；以及用于提升和转动所述基座和所述衬底晶圆的提升和旋转装置，其特征在于，由不锈钢构成的所述设备的一个或多个组件被包含硅和氢的非晶层覆盖。件被包含硅和氢的非晶层覆盖。件被包含硅和氢的非晶层覆盖。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于在衬底晶圆上沉积半导体材料层的设备和方法


[0001]本专利技术的主题是一种用于通过气相沉积在衬底晶圆(晶片)上沉积半导体材料层的设备。本专利技术的另一主题是一种利用该设备的方法。

技术介绍

[0002]在用于电子工业的基础材料的生产领域中的高需求应用包括在衬底晶圆上沉积半导体材料层，特别是在衬底晶圆上沉积外延层。
[0003]在层的沉积期间，衬底晶圆在基座上处于沉积温度。工艺气体在衬底晶圆的上侧面上方通过，并且包含在所述气体中的化合物(前体)的裂解产物在该侧面上结晶为材料层。
[0004]诸如例如在US 2009 314 205A1中描述的单晶圆反应器的设备特别适合于所述目的。所述反应器具有基环，该基环设置在上穹顶与下穹顶之间。它们一起形成反应室，该反应室容置基座，该基座在半导体材料层的沉积期间承载衬底晶圆。衬底晶圆通过狭缝阀门(slit valve door)和狭缝阀通道(slit valve tunnel)被输送到反应室中。工艺气体由气体供应管线从气体入口通向(传送至)气体出口。衬底晶圆借助于热辐射被带到沉积温度。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于在衬底晶圆上沉积半导体材料层的设备，包括：位于上穹顶与下穹顶之间的基环；在所述层的沉积期间作为所述衬底晶圆的承载件的基座；气体入口和气体出口、排出气体管线以及用于使工艺气体在所述衬底晶圆的上侧面上方通过的气体供应管线；狭缝阀通道和狭缝阀门；以及用于提升和转动所述基座和所述衬底晶圆的提升和旋转装置，其特征在于，由不锈钢构成的一个或多个设备组件覆盖有包括硅和氢的非晶层。2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述不锈钢组件是所述基环、所述气体入口、...

【专利技术属性】
技术研发人员：H，
申请(专利权)人：硅电子股份公司，
类型：发明
国别省市：