一种外延设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种外延设备，包括：腔体，所述腔体包括上穹顶、下穹顶、上内衬和下内衬，所述上穹顶设置在上内衬上方，所述下内衬设置于上内衬下方，所述下穹顶设置于下内衬下方；基座，所述基座用于承载衬底，且设置于所述腔体内；加热装置，所述加热装置设置在上穹顶上方和下穹顶下方，用于在工艺期间加热所述衬底；其中，所述上穹顶包括第一环体、第二环体和上顶，所述第二环体设置于第一环体内周的下方，所述上顶与第二环体的内侧面连接；所述第一环体和第二环体的内侧面沿竖直方向延申，所述上顶的下表面距基座上表面的最小距离小于18mm。本实用新型专利技术的外延设备可以增加工艺气体流速，同时增强上穹顶的强度。同时增强上穹顶的强度。同时增强上穹顶的强度。

【技术实现步骤摘要】
一种外延设备


[0001]本技术涉及半导体设备领域，特别涉及一种外延设备。

技术介绍

[0002]在外延工艺中，特别是一些特殊的外延工艺，需要增加工艺气体的流速。然而由于腔体的上穹顶和基座之间的距离太大，因此难以增加工艺气体的流速。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是提供一种外延设备，用于增加工艺气体的流速的问题。
[0004]为了实现以上目的，本技术通过以下技术方案实现：
[0005]本技术提供一种外延设备，其特征在于，包括：
[0006]腔体，所述腔体包括上穹顶、下穹顶、上内衬和下内衬，所述上穹顶设置在上内衬上方，所述下内衬设置于上内衬下方，所述下穹顶设置于下内衬下方；
[0007]基座，所述基座用于承载衬底，且设置于所述腔体内；
[0008]加热装置，所述加热装置设置在上穹顶上方和下穹顶下方，用于在工艺期间加热所述衬底；
[0009]其中，所述上穹顶包括第一环体、第二环体和上顶，所述第二环体设置于第一环体内周的下方，所述上顶与第二环体的内侧面连接；所述第一环体和第二环体的内侧面沿竖直方向延申，所述上顶的下表面距基座上表面的最小距离小于18mm。
[0010]进一步的，所述上穹顶和上内衬通过接触面连接，所述接触面为所述第一环体下表面和第二环体的外侧面。
[0011]进一步的，在腔体进气口处对应的位置上，所述上内衬的横截面为“Γ”状，所述上内衬的上端与接触面连接。
[0012]进一步的，在腔体进气口处对应的位置上，所述上内衬的横截面为“I”状，所述上内衬的上端与接触面连接。
[0013]进一步的，在腔体进气口处对应的位置上，所述第二环体的外侧面设置阶梯部，在所述位置上所述上内衬的横截面为
“├”
状，所述上内衬的上端与接触面连接。
[0014]进一步的，在腔体进气口处对应的位置上，所述第二环体的外侧面设置斜面部，在所述位置上所述上内衬的横截面为直角梯形，所述上内衬的上端与接触面连接。
[0015]进一步的，所述上内衬为环形。
[0016]进一步的，上穹顶、下穹顶、上内衬和下内衬均为石英。
[0017]进一步的，所述下内衬为环形。
[0018]与现有技术相比，本技术具有如下优点：
[0019]本技术提供的外延设备可以增加工艺气体在腔体内的流速，同时，增强上穹顶的强度。由于上穹顶设置了第二环体，因此上顶距离基座的距离缩小，因此增加工艺气体的流速变得可能。另外，所述第一环体和第二环体的内侧面沿竖直方向延申，因此在强度
上，竖直延申的侧壁可以很好地支撑上顶给予的力。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本技术的技术方案，下面将对描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一个实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图：
[0021]图1为本技术的外延设备的结构示意图；
[0022]图2为本技术的外延设备的局部放大图；
[0023]图3为本技术的上穹顶的主视图。
[0024]图4为本技术的另一种外延设备的局部放大图；
[0025]图5为本技术的另一种外延设备的局部放大图；
[0026]图6为本技术的另一种外延设备的局部放大图。
具体实施方式
[0027]以下结合附图和具体实施方式对本技术提出的方案作进一步详细说明。根据下面说明，本技术的优点和特征将更清楚。需要说明的是，附图采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施方式的目的。为了使本技术的目的、特征和优点能够更加明显易懂，请参阅附图。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
能涵盖的范围内。
[0028]图1示出了本技术的外延设备的结构示意图，如图1，本技术提供的外延设备包括：
[0029]腔体，所述腔体包括上穹顶200、下穹顶108、上内衬100和下内衬112，所述上穹顶200设置在上内衬100上方，所述下内衬112设置于上内衬100下方，所述下穹顶108设置于下内衬112下方；
[0030]基座105，所述基座105用于承载衬底104，且设置于所述腔体内；
[0031]加热装置101，所述加热装置设置在上穹顶上方和下穹顶下方，用于在工艺期间加热所述衬底；同时在上穹顶上方和下穹顶下方还设置用于监测温度的高温计102。
[0032]所述腔体还包括：侧壁、上法兰103和下法兰107，所述上法兰103将上穹顶200固定在侧壁上方，下法兰107将下穹顶108固定在侧壁下方，所述上内衬和下内衬设置于侧壁的内侧面；所述基座105的四周还设置环形的预热环115，所述预热环115固定在下内衬上。可选的，所述上内衬100为环形，所述下内衬112为环形。
[0033]在基座105的下方设置旋转支撑装置，用于支撑基座105的旋转和升降，所述旋转支撑装置109驱动基座下降时，设置于基座上的销111随着基座一同下降，然后在支撑支架110的支撑下，将衬底104与基座105分离，从而方便机械手拿取衬底104。
[0034]在腔体的一侧设置有进气口113，与进气口113相对的另一侧设置有排气口106，工艺气体114从进气口113进入腔体，然后在加热装置101的作用下实现外延工艺，最后工艺气
体114从排气口106排出腔体。
[0035]然而由于上穹顶200和基座105之间的距离过大，很难增加工艺气体的流速。
[0036]本技术提供了一种外延腔体，如图2
‑
3所示，所述上穹顶200包括第一环体201、第二环体203和上顶205，所述第二环体203设置于第一环体201内周的下方，所述上顶205与第二环体的内侧面连接；所述第一环体和第二环体的内侧面沿竖直方向延申，所述上顶的下表面距基座上表面的最小距离小于18mm。由于设置了第二环体，因此上顶205距离基座105的距离缩小，因此增加工艺气体的流速变得可能。另外，所述第一环体和第二环体的内侧面沿竖直方向延申，因此在强度上，竖直延申的侧壁可以很好地支撑上顶205给予的力。所述上穹顶200和上内衬100通过接触面连接，所述接触面为所述第一环体下表面和第二环体的外侧面。在腔体进气口处对应的位置上，所述上内衬的横截面为“Γ”状，所述上内衬的上端与接触面连接。在上内衬和下内衬之间形成了进气通道，所述进气通道包括依次连通的第一进气通道301、第二进气通道302和第三进气通道303，其中第二进气通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外延设备，其特征在于，包括：腔体，所述腔体包括上穹顶、下穹顶、上内衬和下内衬，所述上穹顶设置在上内衬上方，所述下内衬设置于上内衬下方，所述下穹顶设置于下内衬下方；基座，所述基座用于承载衬底，且设置于所述腔体内；加热装置，所述加热装置设置在上穹顶上方和下穹顶下方，用于在工艺期间加热所述衬底；其中，所述上穹顶包括第一环体、第二环体和上顶，所述第二环体设置于第一环体内周的下方，所述上顶与第二环体的内侧面连接；所述第一环体和第二环体的内侧面沿竖直方向延申，所述上顶的下表面距基座上表面的最小距离小于18mm。2.如权利要求1所述的外延设备，其特征在于，所述上穹顶和上内衬通过接触面连接，所述接触面为所述第一环体下表面和第二环体的外侧面。3.如权利要求2所述的外延设备，其特征在于，在腔体进气口处对应的位置上，所述上内衬的横截面为“Γ”状，所述上内衬的上端与接触面连接。4.如权利要求2所述的外延设备，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵宏波，王伟，
申请(专利权)人：江苏天芯微半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：