温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种用于在衬底晶圆上沉积半导体材料层的设备，所述设备包括：位于上穹顶与下穹顶之间的基环；在所述层的沉积期间用作所述衬底晶圆的支撑件的基座；气体入口和气体出口；排出气体管线以及用于在所述衬底晶圆的上侧表面上方传送工艺气体的气体供应管...
该专利属于硅电子股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅电子股份公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。