【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】集成组合件
[0001]相关专利资料
[0002]本申请要求2020年9月10日提交的第17/017,426号美国专利申请的优先权，所述美国专利申请的公开内容以引用的方式并入本文中。
[0003]集成组合件(例如，集成存储器、集成晶体管等)。
技术介绍
[0004]存储器可利用存储器单元，所述存储器单元个别地包括与存储元件(例如，电容器、电阻性存储器装置、相变存储器装置等)组合的存取装置(例如，存取晶体管)。
[0005]晶体管可以是场效应晶体管(FET)。FET可各自包含一对源极/漏极区之间的沟道区，且可各自包含被配置成经由沟道区将源极/漏极区彼此电连接的一或多个栅极。晶体管可以是竖直FET(VFET)，其中VFET是具有大体垂直于在上面形成晶体管的衬底的主表面的沟道区的晶体管。
[0006]将需要开发改进的晶体管。还将需要开发改进的存储器架构。
附图说明
[0007]图1是实例集成组合件的实例区的图解截面侧视图。
[0008]图1A是图1的实例区“A”的放大图解横截...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种晶体管，其包括：有源区，其包括半导体材料；绝缘材料，其邻近于所述有源区，所述绝缘材料包括ZrO，其中化学式指示主要成分而非特定化学计量；以及导电选通材料，其通过至少所述绝缘材料与所述有源区间隔开且操作上接近所述有源区。2.根据权利要求1所述的晶体管，其在所述ZrO内包括来自周期表的族3的一或多个元素，其中族3应理解为除Sc和Y外还包含镧系元素和锕系元素。3.根据权利要求1所述的晶体管，其在所述ZrO内包括钇。4.根据权利要求3所述的晶体管，其中所述钇存在至约0.5at％到约0.05at％的范围内的浓度。5.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述半导体材料包括选自周期表的族13的至少一个元素与选自周期表的族16的至少一个元素组合。6.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述半导体材料包括氧化物半导体材料。7.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述半导体材料包括InGaZnO，其中化学式指示主要成分而非特定化学计量。8.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述导电选通材料包含TiN、Ru和TaN中的一或多个，其中化学式指示主要成分而非特定化学计量。9.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述导电选通材料包含钌。10.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述导电选通材料由钌组成。11.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述有源区包含一对源极/漏极区，且包含所述对所述源极/漏极区之间的沟道区，且其中所述导电选通材料操作上接近所述沟道区。12.根据权利要求11所述的晶体管，其中所述半导体材料在所述沟道区内，且还在所述源极/漏极区内。13.根据权利要求11所述的晶体管，其中所述半导体材料在所述沟道区内，且其中不同于所述半导体材料的材料在所述源极/漏极区中的一或两者内。14.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述绝缘材料具有约1nm到约10nm的范围内的厚度。15.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述半导体材料横向地环绕绝缘材料。16.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述半导体材料横向地环绕空隙。17.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述半导体材料是共同立柱内的两个支柱中的一个，且其中导电柱位于所述两个支柱之间。18.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述半导体材料是共同立柱内的两个支柱中的一个，且其中空隙位于所述两个支柱之间。19.一种集成组合件，其包括：导电结构；半导体材料的支柱，其从所述导电结构向上延伸；所述支柱具有沿着横截面的一对相对侧壁表面；所述支柱包含下部源极/漏极区、上部源极/漏极区，以及所述下部和上部源极/漏极区之间的沟道区；
绝缘材料，其邻近于所述侧壁表面，所述绝缘材料包括ZrO，其中化学式指示主要成分而非特定化学计量；以及导电选通材料，其操作上接近所述沟道区，且通过至少所述绝缘材料与所述沟道区间隔开。20.根据权利要求19所述的集成组合件，其中所述半导体材料包括选自周期表的族13的至少一个元素与选自周期表的族16的至少一个元素组合。21.根据权利要求19所述的集成组合件，其中所述半导体材料包括InGaZnO，其中化学式指示主要成分而非特定化学计量。22.根据权利要求19所述的集成组合件，其包括与所述上部源极/漏极区耦合的存储元件；且其中所述下部源极/漏极区与所述导电结构耦合。23.根据权利要求19所述的集成组合件，其中所述绝缘材料除所述ZrO外还包含SiO、A...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。