一种棒形ＺｎＳｅ荧光纳米晶的合成方法技术

本发明专利技术属于一种纳米材料的合成方法，具体为一种棒形ＺｎＳｅ荧光纳米晶的合成方法。在惰性气体保护下，将单质Ｓｅ加热搅拌或超声溶于三辛基膦中得到Ｓｅ前体；将锌源体溶于十八烯中，在惰性气体的保护下加入活化剂长链烷基胺，对其进行“活化”处理；然后引入长链烷基硫醇对已活化的Ｚｎ前体进行“模板化”处理，最后在惰性气体保护下升温至合成反应温度（３００－３５０℃）；将Ｓｅ前体快速加入Ｚｎ前体中，通过反应一定时间，得到棒形ＺｎＳｅ纳米晶的原溶液粗产物。通过加入高极性有机溶剂与低极性有机溶剂组成的混合溶剂洗涤离心，最后用低极性有机溶剂溶解得到最终产物ＺｎＳｅ纳米棒的透明溶液。该方法具有反应体系简单，原料易得，环境污染小，结晶度好，荧光量子产率高的优点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种棒形ＺｎＳｅ荧光纳米晶的合成方法，其特征在于包括如下步骤：（１）首先将Ｓｅ，配位溶剂，在惰性气体保护下加热并搅拌１－１０个小时，得到Ｓｅ前体。（２）将锌源体溶于十八烯中得到Ｚｎ前体，然后在惰性气体的保护下加入活化剂长链烷基胺，对其进行“活化”处理。（３）在惰性气体保护下，将模板剂长链烷基硫醇加入到已活化的Ｚｎ前体中，然后对其进行“模板化”处理。（４）继续在惰性气体保护下，将“模板化”的Ｚｎ前体升温至３００－３５０℃后，搅拌的同时将Ｓｅ前体迅速注射到“模板化”的Ｚｎ前体中，此时由于反应吸热和温差将会使整个反应体系温度迅速下降，一般降幅在２０－５０℃之间，此时纳米晶开始生长，反应开始计时。（５）纳米晶开始生长后，当反应时间达到１－３小时，停止加热，结束反应。得到的为棒形ＺｎＳｅ纳米晶的原溶液粗产物。（６）分离纯化，即向棒形ＺｎＳｅ纳米晶的原溶液粗产物中加入高极性有机溶剂与低极性有机溶剂组成的混合溶剂洗涤离心，反复洗涤离心３－５次，最后用低极性有机溶剂溶解得到最终产物棒形ＺｎＳｅ纳米晶的透明溶液。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋峰芝，李艳娟，
申请(专利权)人：云南大学，
类型：发明
国别省市：53[中国|云南]