均匀氢化ＮａＺｎ１３结构的稀土－铁钴硅材料的方法技术

均匀氢化ＮａＺｎ１３结构的稀土－铁钴硅材料的方法，包括：将具有ＮａＺｎ１３结构的稀土－铁钴硅化合物放入氢化炉中，在温度为４００℃～６００℃的范围内进行氢化热处理，氢化时间为２ｈ～４ｈ。该方法还可将具有ＮａＺｎ１３结构的稀土－铁钴硅化合物放入氢化炉中，进行一次或多次的活化处理后，在温度为８０℃～６００℃的范围内进行氢化热处理，氢化时间为２ｈ～４ｈ，氢化后制得成品。该制备方法氢化后得到的稀土－铁钴硅氢化物的晶体结构以ＮａＺｎ１３结构为主相，与原稀土－铁钴硅化合物的晶体结构相同。本发明专利技术的优点在于氢化时间短，而且可以确实将稀土－铁钴硅化合物均匀地氢化，得到的稀土－铁钴硅化合物氢化物全体只有一个磁相变温度。因此，可以保证稀土－铁钴硅化合物氢化物在磁致冷机中应用时有大的制冷效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于磁制冷材料
，特别涉及一种均勻氢化NaZn13结构的稀土 _铁 钴硅材料的方法。
技术介绍
近年来，由于磁制冷技术被认为是一种绿色环保、高效节能的下一代新制冷技术 之一，具有巨磁熵变的磁制冷材料探索研究引起了人们的极大关注。特别是具有NaZn13相 的稀土 _铁钴硅化合物，由于原材料价格低廉，磁熵变化大，被公认为是最有实用前景的磁 制冷材料。但是具有NaZn13结构的稀土 -铁硅化合物的居里温度很低，不能在空调等磁制 冷技术中应用。为了提高稀土 -铁硅化合物的居里温度，已经报道了添加Co等元素来提高 居里温度，由于Co的添加会破坏材料原有的一级磁相变属性，大大降低磁熵变化值，因此 添加Co元素最高只能将居里温度提高到20°C左右。提高居里温度最有效的方法是制备稀 土 _铁钴硅的氢化物，使得H原子作为间隙原子稳定的存在于NaZn13晶体结构的间隙位置， 这样可以将具有一级磁相变的稀土-铁钴硅化合物的居里温度提高到室温以上而磁熵变 化值AS基本不变，例如日本专利(公开号特开2005-113209)，因此制备稀土-铁钴硅的 氢化物是使具有NaZnl3相的稀土 -铁钴硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
均匀氢化ＮａＺｎ↓［１３］结构的稀土－铁钴硅材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：将具有ＮａＺｎ↓［１３］结构的稀土－铁钴硅化合物放入氢化炉中，在温度为４００℃～６００℃的范围内进行氢化热处理，氢化时间为２ｈ～４ｈ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：龙毅，马涛，王超伦，常永勤，叶荣昌，万发荣，
申请(专利权)人：北京科技大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]