异质结太阳能电池及制备方法技术

本申请提供一种异质结太阳能电池和制备方法。该异质结太阳能电池包括：n型或p型硅片，n型或p型硅片经n型或p型掺杂处理，且具有相对的正面和背面；第一钝化层和第二钝化层，依次设置于n型或p型硅片的正面；第三钝化层和第四钝化层，依次设置于n型或p型硅片的背面，微晶或纳米晶碳氧化硅层，设置于第四钝化层远离n型或p型硅片的一面，其中，微晶或纳米晶碳氧化硅层经n型或p型掺杂处理，以与n型或p型硅片组成PN结，碳氧化硅层中碳元素的原子百分比大于氧元素的原子百分比。本申请的异质结太阳能电池提高了太阳能电池的性能，碳元素和氧元素对碳氧化硅层中的氢元素具有固定作用，有利于减少氢元素的流失。少氢元素的流失。少氢元素的流失。

【技术实现步骤摘要】
异质结太阳能电池及制备方法


[0001]本申请主要涉及光伏领域，具体地涉及一种异质结太阳能电池及制备方法。

技术介绍

[0002]硅基异质结电池是目前主流的几种高效太阳能电池技术之一，其具有结构简单、转化效率高和温度系数低的优势，是太阳能电池发展的重要方向之一。硅基异质结电池的结构和工艺流程均较为简单，其以n型或p型掺杂处理的硅衬底作为基层，在硅衬底的一侧形成本征非晶硅层、p或n型非晶硅层，在硅衬底的另一侧形成本征非晶硅层、n型非晶硅层。其中，p或n型非晶硅层与n型或p型掺杂处理的硅衬底形成PN结。
[0003]现有技术中的硅基异质结电池中，p型掺杂层为掺硼元素的非晶硅，但是受掺杂量上限的限制，使得p型掺杂层的掺杂效率较低，导致电池背面PN结的电场减弱，导致光生载流子的复合增加，最终导致电池效率较低。
[0004]所以，如何提高掺杂剂的掺杂上限，并提高电池效率是亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]本申请要解决的技术问题是提供一种异质结太阳能电池和制备方法，该太阳能电池具有掺杂上限高及电池效率高的优势。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：硅衬底，所述硅衬底经n型或p型掺杂处理，且具有相对的正面和背面；第一钝化层和第二钝化层，依次设置于所述硅衬底的正面；第三钝化层和第四钝化层，依次设置于所述硅衬底的背面；碳氧化硅层，设置于所述第四钝化层远离所述硅衬底的一面，其中，所述碳氧化硅层经n型或p型掺杂处理，以与所述硅衬底组成PN结，所述碳氧化硅层中碳元素的原子百分比大于氧元素的原子百分比。2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层为氢化非晶氧化硅，所述第二钝化层为氢化纳米晶硅。3.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第三钝化层为氢化非晶硅，所述第四钝化层为氢化纳米晶硅。4.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述硅衬底为n型掺杂，所述碳氧化硅层为p型掺杂。5.如权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，还包括第五钝化层，设置于所述第二钝化层远离所述硅衬底的一面，其中，所述第五钝化层的材料为氢化n型微晶或纳米晶碳氧化硅。6.如权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，还包括第一透明导电氧化物薄膜和第二透明导电氧化物薄膜，所述第一透明氧化物薄膜设置于所述第五钝...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟子博，李宏伟，杨广涛，张学玲，陈达明，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：