【技术实现步骤摘要】
一种背接触式硅异质结太阳能电池及其制备方法
[0001]本专利技术涉及太阳能电池制造
，尤其涉及一种背接触式硅异质结太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
[0002]背接触式硅异质结太阳能电池即具有异质结太阳能电池高开压、高填充因子的特点，又具有背接触式太阳能电池遮光少、高电流的优势，目前已经实现了26.7％的实验室光电转换效率，是未来商业化太阳电池高度关注的技术路线之一。
[0003]背接触式硅异质结太阳能电池的制备过程通常包含了光刻工序、掩膜工序、湿化学刻蚀工序、清洗工序等多个工序以实现电池背光面N区和P区的隔离，工艺过程非常复杂。且产能低、成本高，不适合量产。开发低成本、高产能、工艺简单的技术对于实现量产有积极的意义。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种背接触式硅异质结太阳能电池及其制备方法，以简化工艺，降低成本，实现量产。
[0005]第一方面，本专利技术提供一种背接触式硅异质结太阳能电池的制备方法，步骤包括：
[0006]在硅衬底的入光面和背光面均顺序...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种背接触式硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤包括：在硅衬底的入光面和背光面均顺序制作第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层和第一介质层；在位于所述背光面的第一介质层的表面粘贴覆盖第一聚合物胶带，对所述第一聚合物胶带进行激光开口，得到第一开口区域；去除暴露于所述第一开口区域的所述第一介质层、所述第一掺杂非晶硅层和所述第一本征非晶硅层，露出所述背光面后，剥离所述第一聚合物胶带；在位于所述背光面的所述第一介质层的表面和露出的所述背光面上顺序制作第二本征非晶硅层和第二掺杂非晶硅层，所述第一掺杂非晶硅层与所述第二掺杂非晶硅层的导电类别不同；在所述第二掺杂非晶硅层的表面粘贴覆盖第二聚合物胶带，对所述第二聚合物胶带进行激光开口，得到第二开口区域，所述第二开口区域与所述第一开口区域在所述背光面上的投影错开设置；去除暴露于所述第二开口区域的所述第二掺杂非晶硅层、所述第二本征非晶硅层和第一介质层，露出所述第一掺杂非晶硅层后，剥离所述第二聚合物胶带；在所述第二掺杂非晶硅层和露出的所述第一掺杂非晶硅层的表面顺序制作透明导电层和金属种子层；在所述金属种子层的表面通过丝网印刷耐电镀油墨层，所述耐电镀油墨层具有非覆盖区域，所述非覆盖区域在所述背光面上的投影位于所述第一开口区域和所述第二开口区域在所述背光面上的投影内；在暴露于所述非覆盖区域的所述金属种子层的表面通过电镀制作金属电极；对所述耐电镀油墨层进行开口，在对应所述耐电镀油墨层的开口部分的所述金属种子层、所述透明导电层、所述第二掺杂非晶硅层和第二本征非晶硅层中，至少去除所述金属种子层，以切断位于所述第一掺杂非晶硅层上的所述金属种子层与位于所述第二掺杂非晶硅层上的所述金属种子层之间的连接；去除所述耐电镀油墨层。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一聚合物胶带和所述第二聚合物胶带均具有基膜和胶层，所述基膜的材质为延聚丙烯、单向拉伸聚丙烯、双向拉伸聚丙烯、聚乙烯、聚酯纤维、聚氯乙烯中的一种或多种组合；所述胶层的材质为水胶、油胶、热熔胶、天然橡胶、合成橡胶、硅胶、亚克力胶、聚异丁烯、和聚氨酯中的一种或多种组合；所述第一聚合物胶带和所述第二聚合物胶带的厚度为2μm
‑
40μm。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属种子层的材质为铜、镍、银中的一种或多种组合；所述金属电极的材质为铝、锡、铜中的一种或多种组合；所述第一掺杂非晶硅层为N型非晶硅层和P型非晶硅层中的一种，所述第二掺杂非晶硅层为N型非晶硅层和P型非晶硅层中的另一种；位于所述硅衬底的入光侧的所述第一介质层为氮化硅减反层；位于所述硅衬底的背光侧的所述第一介质层为绝缘层，所述绝缘层为SiO、SiN、SiON中的一种或多种组合；通过化学气相沉积方法制作所述第一本征非晶硅层、所述第一掺杂非晶硅层、所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：何秉轩，
申请(专利权)人：西安隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。