【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】太阳能电池及太阳能电池模块
[0001]本专利技术涉及一种新型太阳能电池和太阳能电池模块。
[0002]具体地,本专利技术涉及一种具有新型导电层的太阳能电池,特别是异质结(heterojunction,HJT)太阳能电池。这种HJT太阳能电池的示例是具有氢化本征非晶硅层(a
‑
Si:H)作为被沉积在晶体硅(c
‑
Si)晶片表面上的钝化层的HJT太阳能电池。然而,所述新型导电层也可以被应用于其它太阳能电池。
[0003]众所周知,高效a
‑
Si:H/c
‑
Si HJT的制造需要优化化学和物理工艺,通常伴随着与一些消耗元件(诸如银膏和薄透明导电氧化物(TCO))的使用相关的后续高成本。
[0004]实际上,HJT太阳能电池通常通过在单晶硅(Si)体衬底(也被称为Si晶片)上沉积非常薄(10nm
‑
20nm)的氢化非晶硅层(A
‑
Si:H层)作为钝化层来实现。通常被采用的Si体衬底具有介于0.1Ωcm和10Ωcm之间的电阻率以及介于1 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种太阳能电池(1),所述太阳能电池(1)包括由半导体材料制成的至少第一层(3,4
’
,4”,5,6),用于从光辐射中吸收光子并释放电荷载体,以及至少一个导电层(2),所述至少一个导电层(2)与所述第一层(3,4
’
,4”,5,6)重叠,适于允许所述光辐射朝向所述第一层(3,4
’
,4”,5,6)进入所述太阳能电池(1)并收集由所述第一层(3,4
’
,4”,5,6)释放的所述电荷载体,所述导电层(2)包括至少三个重叠层(21,22,23),分别是:
‑
透明中间金属层(23),由金属制成,和
‑
两个氧化层(21,22),由透明导电氧化物制成,所述两个氧化层(21,22)分别是包围所述透明中间金属层(23)的内氧化层(21)和外氧化层(22),以便为所述电荷提供低电阻路径,并使进入所述太阳能电池(1)的所述光辐射的量最大化,其特征在于所述透明中间金属层(23)具有在5nm和10nm之间的厚度,所述内氧化层(21)具有基本上为50nm的厚度;以及所述外氧化层(22)具有在50nm和60nm之间的厚度。2.根据权利要求1所述的太阳能电池(1),其中,所述透明中间金属层(23)具有在5nm和7nm之间的厚度,所述内氧化层(21)具有基本上为50nm的厚度并且所述外氧化层(22)具有在50nm和60nm之间的厚度。3.根据权利要求1所述的太阳能电池(1),其中,所述透明中间金属层(23)具有5nm的厚度,所述内氧化层(21)具有基本上为50nm的厚度并且所述外氧化层(22)具有基本上为50nm的厚度。4.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池(1),其中,至少一个所述氧化层(21,22)由掺杂有锡氧化物SnO2的三氧化二铟In2O3制成或由掺杂有铝的氧化锌制成。5.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池(1),其中,所述透明中间金属层...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。