一种高效异质结太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术涉及一种高效异质结太阳能电池，它包括半导体基板、设于半导体基板第一主面上的第一钝化层以及设于第一钝化层上且具有N型掺杂或P型掺杂的第一半导体膜层；所述第一半导体膜层包括设于第一钝化层上的第一微晶硅叠层和设于第一微晶硅叠层上且具有与第一微晶硅叠层相同导电型掺杂的第一非晶硅层。本实用新型专利技术的目的在于提供一种高效异质结太阳能电池，通过采用微晶硅叠层与非晶硅层复合的N型半导体膜层或/和P型半导体膜层能够同时提升电池短路电流、开路电压以及填充因子的影响，电池效率得以明显提升。电池效率得以明显提升。电池效率得以明显提升。

【技术实现步骤摘要】
一种高效异质结太阳能电池


[0001]本技术涉及一种高效异质结太阳能电池。

技术介绍

[0002]异质结太阳能电池制备工艺步骤简单，工艺温度低，且产品具有发电量高、稳定性高、无衰减、成本低的优势，随着行业不断的技术进步和政策推动，异质结电池性价比优势显现，有可能替代晶硅太阳能电池成为下一代主流光伏电池。
[0003]传统异质结太阳能电池以N型单晶硅片为衬底，本征I层非晶硅对晶体硅表面进行钝化，以硼掺杂的P型非晶硅薄膜做发射层，以磷掺杂的N型非晶硅薄膜形成背场；其作为核心工艺技术对异质结太阳能电池的效率高低至关重要；与掺杂非晶硅薄膜相比，掺杂微晶硅薄膜具有较高的掺杂效率、高的电导率和低的光吸收等优点，其应用于异质结电池有望进一步提升电池效率。然而微晶硅层在与TCO薄膜之间较高的势垒高度降低了电池的开路电压，同时也增加了电池的串联电阻，串联电阻的增加会导致电池转换效率的下降。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种高效异质结太阳能电池，通过采用微晶硅叠层与非晶硅层复合的N型半导体膜层或/和P型半导体膜层能够同时提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高效异质结太阳能电池，其特征在于：它包括半导体基板、设于半导体基板第一主面上的第一钝化层以及设于第一钝化层上且具有N型掺杂或P型掺杂的第一半导体膜层；所述第一半导体膜层包括设于第一钝化层上的第一微晶硅叠层和设于第一微晶硅叠层上且具有与第一微晶硅叠层相同导电型掺杂的第一非晶硅层。2.根据权利要求1所述的高效异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一微晶硅叠层包括以第一钝化层为基底从下到上依次设置的第一微晶硅种子层、具有N型掺杂或P型掺杂的第一微晶氧化硅层和具有与第一微晶氧化硅层相同导电型掺杂的第一微晶硅层。3.根据权利要求2所述的高效异质结太阳能电池，其特征在于：当第一半导体膜层为N型掺杂时，所述第一微晶硅种子层的厚度为1
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4nm，所述第一微晶氧化硅层的厚度为4
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8nm，所述第一微晶硅层的厚度为1
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4nm，所述第一非晶硅层的厚度为1
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4nm；当第一半导体膜层为P型掺杂时，所述第一微晶硅种子层的厚度为1
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【专利技术属性】
技术研发人员：张津燕，曾清华，
申请(专利权)人：福建金石能源有限公司，
类型：新型
国别省市：