一种可复用高频低介电低损耗的聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用技术

本发明专利技术属于聚酰亚胺制备技术领域，具体涉及一种可复用高频低介电低损耗的聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用。该聚酰亚胺薄膜的制备方法包括步骤：使二酐单体和多胺基化合物在溶剂存在的条件下进行缩聚反应，得到聚酰胺酸溶液；其中，所述多胺基化合物中含有一个以上三氟甲基；将所述聚酰胺酸溶液进行成型，得到聚酰胺酸薄膜；将所述聚酰胺酸薄膜进行热亚胺化反应，得到可复用高频低介电损耗的聚酰亚胺薄膜。本发明专利技术通过引入三氟甲基，并调节三氟甲基的取代数量，从而提高聚酰亚胺薄膜的介电性能、疏水性能以及溶解性能，进而获得可复用高频低介电低损耗的聚酰亚胺薄膜。频低介电低损耗的聚酰亚胺薄膜。频低介电低损耗的聚酰亚胺薄膜。

【技术实现步骤摘要】
一种可复用高频低介电低损耗的聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于聚酰亚胺制备
，具体涉及一种可复用高频低介电低损耗的聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]近年来随着科技的发展，集成电路(IC)芯片上的晶体管数量不断增加，在器件集成度不断提高的同时，器件尺寸也在不断地缩小，这直接导致器件的电阻和电容增强，进而导致功耗、信号传输滞后和串扰的增加。
[0003]目前一些常见设备(例如可穿戴设备、无人驾驶、智能家居)需要更低的信号延迟时间，而有效降低材料的介电常数可以被认为是解决这些问题的最有效和最直接的方法，因此降低材料的介电常数以及介电损耗成为了广大研究者研究的热门。
[0004]聚酰亚胺(PI)是一种高性能工程高分子材料，因主链中的酰亚胺结构而得名。虽然聚酰亚胺分子中含有极性基团(如羰基)，但共轭酰亚胺环中的羰基是对称的，因此自由电子的迁移率受到很大限制，这赋予聚酰亚胺优异的电绝缘性能。同时，聚酰亚胺还具有优异的热稳定性、耐辐射性、低吸水率、化学稳定性和机械性能，因此聚酰亚胺是用作IL本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可复用高频低介电损耗聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：使二酐单体和多胺基化合物在溶剂存在的条件下进行缩聚反应，得到聚酰胺酸溶液；其中，所述多胺基化合物中含有一个以上三氟甲基；将所述聚酰胺酸溶液进行成型，得到聚酰胺酸薄膜；将所述聚酰胺酸薄膜进行热亚胺化反应，得到可复用高频低介电损耗的聚酰亚胺薄膜。2.根据权利要求1所述的可复用高频低介电损耗的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，以所述二酐单体和多胺基化合物的总摩尔量为基准，所述多胺基化合物的摩尔分数为0.01
‑
10％。3.根据权利要求1所述的可复用高频低介电损耗的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述缩聚反应的条件包括：于惰性气氛下反应，反应温度为
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5℃
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30℃，反应时间为6
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24h；将所述聚酰胺酸薄膜采用以下升温程序进行热亚胺化反应：以1.0～20℃/min的升温速率升温至30
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90℃后保温5
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120min，以1.0～20℃/min的升温速率升温至90
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150℃后保温5
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120min，以1.0～20℃/min的升温速率升温至150
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200℃后保温5
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120min，以1.0～20℃/min的升温速率升温至200
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250℃后保温5
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120min，以1.0～20℃/min的升温速率升温至250
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400℃后保温5
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120min。4.一种可复用高频低介电损耗聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：使二酐单体和多胺基化合物在溶剂...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱才镇，徐坚，鲍锋，李宏，蓝晓倩，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：