一种挠性覆铜板用高导热聚芳醚腈层间电介质薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种挠性覆铜板用高导热聚芳醚腈层间电介质薄膜及其制备方法，通过采用亲核取代反应合成羟基封端与邻苯二甲腈封端聚芳醚腈，与含硅氧苯并环丁烯、氮化硼纳米片共混流延成膜，再利用等温热处理提升复合材料结晶程度，以提升本征体系的导热系数；最后结合高温后固相化学反应加速氰基交联和BCB交联密度，提升复合材料的耐热性与机械强度，以最终获得一种高导热、高模量、高分解温度、高玻璃化转变温度、介电性能稳定且易加工的聚芳醚腈薄膜，制备工艺简单，效果明显，可规模化生产与应用。用。用。

【技术实现步骤摘要】
一种挠性覆铜板用高导热聚芳醚腈层间电介质薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术属于材料制备
，涉及高分子材料合成及纳米复合材料的制备及加工工艺，具体涉及一种高导热聚芳醚腈薄膜的制备方法，尤其为一种挠性覆铜板用高导热聚芳醚腈层间电介质薄膜的制备方法。

技术介绍

[0002]随着微电子科学技术的快速发展，人类对于微电子产品的小型化、轻量化、高效化和多功能等要求逐渐严苛。但小型化、集成化、高频率、及高功率化必然会导致器件频繁积累热量和过热现象。因此，对具有高导热系数材料的研究是迫切需要的。
[0003]聚合物通常具有耐高温、重量轻、加工性好及成本低等优点，已被广泛应用于电子封装等领域。随着5G高频通讯对所用的高分子材料的性能需求多元化，单一材料往往很难同时满足导热性能、力学性能、介电性能、加工性等全方面的要求，因此复合化是未来功能高分子材料的重要发展趋势之一。具体来说，高分子基复合材料的散热能力取决于高分子基复合材料的导热系数，数值越高散热能力更有效。然而，绝大多数聚合物的导热常数仅为0.1
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高导热聚芳醚腈薄膜的制备方法，其特征在于，通过亲核取代反应、高低分子量共混、溶液流延法、结晶
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交联协同改性的方式获得高导热聚芳醚腈薄膜；具体包括如下步骤：1)合成羟基封端聚芳醚腈；2)合成邻苯二甲腈封端的聚芳醚腈；3)制备聚芳醚腈复合薄膜；将步骤1)合成的所述羟基封端聚芳醚腈和步骤2)合成的所述邻苯二甲腈封端的聚芳醚腈加入至N
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甲基吡咯烷酮中，在200℃下搅拌反应2h，得到聚芳醚腈混合物热溶液；将含硅氧键的苯并环丁烯液体加入N
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甲基吡咯烷酮中，磁力搅拌后得到混合液I；将剥离开的氮化硼纳米片粉末加入N
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甲基吡咯烷酮中，超声得到混合液II；将所述混合液I和所述混合液II加入至所述聚芳醚腈混合热溶液中，保持200℃下搅拌反应2h，随后通过流延法成膜，得到PEN
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BCB
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BNNS薄膜；4)制备高导热聚芳醚腈薄膜将步骤3)制备的所述PEN
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BCB
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BNNS薄膜在260℃
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280℃下保温2
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4h，PEN结晶同时BCB树脂固化，得到高导热聚芳醚腈结晶薄膜；或，将步骤3)制备的所述PEN
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BCB
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BNNS薄膜在260℃
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280℃下保温2
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4h，再在320℃
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330℃下保温6
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8h，最后在340℃
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360℃下保温1
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2h，进行高温热交联，随后自然冷却至室温，即得高导热聚芳醚腈交联薄膜。2.根据权利要求1所述的一种高导热聚芳醚腈薄膜的制备方法，其特征在于，所述羟基封端聚芳醚腈与所述邻苯二甲腈封端的聚芳醚腈的质量比为1:1，每1g羟基封端聚芳醚腈和邻苯二甲腈封端的聚芳醚腈混合粉末中加入(10～15)mL的N
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甲基吡咯烷酮。3.根据权利要求1所述的一种高导热聚芳醚腈薄膜的制备方法，其特征在于，每1mg含硅氧键的苯并环丁烯中加入(0.02～0.04)mLN
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甲基吡咯烷酮；每1mg氮化硼纳米片粉末中加入(0.02～0.04)mLN
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甲基吡咯烷酮。4.根据权利要求3所述的一种高导热聚芳醚腈薄膜的制备方法，其特征在于，所述苯并环丁烯与聚芳醚腈的体积比为15：100，剥离后氮化硼纳米片与聚芳醚腈的体积比为(5～20)：100。5.根据权利要求1所述的一种高导热聚芳醚腈薄膜的制备方法，其特征在于，所述流延法成膜的升温过程为：分别在80℃、100℃、120℃和160℃下各保温1h，再在200℃下保温2h。6.根据权利要求1
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5任一所述的一种高导热聚芳醚腈薄膜的制备方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：童利芬，何亮，刘孝波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：