一种半导体废气脱硝系统和脱硝方法技术方案

本发明专利技术涉及半导体废气处理技术领域，尤其涉及一种半导体废气脱硝系统和脱硝方法，半导体废气脱硝系统包括水箱、反应塔、洗涤塔、臭氧发生器和变频轴流风扇，反应塔反应塔安装于水箱，并与水箱连通；反应塔上设置有进气口；洗涤塔的底部安装于水箱，并与水箱连通；洗涤塔的顶部设置有气体排放口；臭氧发生器与洗涤塔连通；变频轴流风扇安装于洗涤塔与水箱连通的位置。本发明专利技术的半导体废气脱硝系统在洗涤塔与水箱连通的位置安装有变频轴流风扇，配合火焰变化利用变频轴流风扇控制O3用量，节能减排，提高臭氧与氮氧化物混合均匀性，提高反应效率，进而提高脱硝效率。采用的厂务氧气源是臭氧发生器，可减少近一半占地面积。可减少近一半占地面积。可减少近一半占地面积。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体废气脱硝系统和脱硝方法


[0001]本专利技术涉及半导体废气处理
，尤其涉及一种半导体废气脱硝系统和脱硝方法。

技术介绍

[0002]在泛半导体行业CVD/PVD/ETCH/DIFF制程过程中，燃烧式或等离子废气处理设备(Local Scrubber)火焰温度1600℃以上，泵输送的废气包含大量氮气，经高温火焰产生高浓度NO
x
，最高峰值超1000mg/m3，而相关的行业排放标准要求＜50mg/m3。目前传统NO
x
脱除手段包括SCR(Selective Catalytic Reduction，选择性催化还原法)、SNCR(selective non
‑
catalytic reduction，选择性非催化还原法)与臭氧脱硝优缺点对比如下表1所示：
[0003]表1SCR、SNCR和臭氧脱硝技术的优缺点对比表
[0004][0005][0006]现有半导体行业燃烧式或等离子废气处理设备的风量较小，浓度高，传统SCR和SNCR要求空间大，反应路径长，市面尚未出现能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体废气脱硝系统，其特征在于，包括：水箱；反应塔，安装于所述水箱，并与所述水箱连通；所述反应塔上设置有进气口；洗涤塔，所述洗涤塔的底部安装于所述水箱，并与所述水箱连通；所述洗涤塔的顶部设置有气体排放口；臭氧发生器，与所述洗涤塔连通；变频轴流风扇，安装于所述洗涤塔与所述水箱连通的位置。2.根据权利要求1所述的半导体废气脱硝系统，其特征在于，沿着所述洗涤塔的底部向顶部方向，所述洗涤塔的内部依次设置有臭氧洗涤单元和水洗涤单元；所述臭氧洗涤单元与所述臭氧发生器连通。3.根据权利要求2所述的半导体废气脱硝系统，其特征在于，所述臭氧洗涤单元包括第一臭氧洗涤单元和第二臭氧洗涤单元，沿着所述洗涤塔的底部向顶部方向，所述第一臭氧洗涤单元和所述第二臭氧洗涤单元依次设置。4.根据权利要求3所述的半导体废气脱硝系统，其特征在于，所述第一臭氧洗涤单元的中上部设置有第一臭氧喷嘴；所述第二臭氧洗涤单元的中上部设置有第二臭氧喷嘴；所述第一臭氧喷嘴和所述第二臭氧喷嘴分别与所述臭氧发生器连通。5.根据权利要求4所述的半导体废气脱硝系统，其特征在于，所述第二臭氧洗涤单元内设置有鲍尔环。6.根据权利要求2所述的半导体废气脱硝系统，其特征在于，所述水洗涤单元内设置有喷水嘴和除沫器。7.根据权利要求6所述的半导体废气脱硝系统，其特征在于，所述喷水嘴包括第一喷水嘴和第二喷水嘴，所述第一喷水嘴设置于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张坤，
申请(专利权)人：北京京仪自动化装备技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：