一种聚合物微球体的处理设备制造技术

本实用新型专利技术涉及一种聚合物微球体的处理设备，包括：罐体，罐体的顶部设有出气管、底部设置有进气管，进气管包括热风管道和冷风管道；出气管设有出口滤网；主滤网，设置于罐体内将罐体内部空间分隔为上下层，上层为聚合物微球体的处理腔，下层为气体缓冲腔，用于热风管道和冷风管道的气流汇合；主滤网和出口滤网的网孔直径小于聚合物微球体的直径。与现有技术相比，本实用新型专利技术可实现对聚合物微球体的吹风加热，被吹起加热的聚合物微球体会提高自身的结晶程度，进而使自身耐热性变好，可以在后续抛光垫制造中的物料混合过程中，减小微球体的膨胀，提高浇注体的均匀性。同时，气体加热还可以蒸发微球体带有的水分，有利于后续抛光垫制造。造。造。

【技术实现步骤摘要】
一种聚合物微球体的处理设备


[0001]本技术涉及一种抛光垫制备设备，尤其是涉及一种聚合物微球体的处理设备。

技术介绍

[0002]CMP(Chemical Mechanical Polishing)即“化学机械抛光”，是为了克服化学抛光和机械抛光的缺点，将磨粒机械磨削和抛光液化学腐蚀作用组合的抛光技术。化学机械抛光最大的优点就是能使加工表面实现纳米级全局平坦化，满足集成电路特征尺寸在0.35μm以下的超精密无损伤表面加工。半导体器件通常要求达到纳米级的平整度，目前最好的工艺是用抛光液(化学)和抛光垫(机械)结合起来的方式。CMP除应用于集成电路芯片以外，也常出现在半导体的分立器件、电子元器件的加工上，此外也拓展到薄膜存贮磁盘、陶瓷、蓝宝石等表面加工领域。
[0003]抛光垫，又称研磨垫，其表面粗糙，设有凸起或凹槽，用于直接与芯片接触产生摩擦，以机械方式去除半导体表面的抛光层，并在离心力的作用下将抛光液均匀地抛洒到抛光垫的表面，以化学方式去除半导体表面的抛光层，同时将反应产物带出抛光垫。
[0004]通常情况下，聚氨酯抛光垫包含本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种聚合物微球体的处理设备，其特征在于，包括：罐体(1)，所述罐体(1)的顶部设有出气管(3)、底部设置有进气管(4)，所述进气管(4)包括热风管道(42)和冷风管道(41)；所述出气管(3)设有出口滤网(31)；主滤网(2)，设置于罐体(1)内将罐体(1)内部空间分隔为上下层，上层为聚合物微球体的处理腔，下层为气体缓冲腔，用于热风管道(42)和冷风管道(41)的气流汇合；所述主滤网(2)和出口滤网(31)的网孔直径小于聚合物微球体的直径。2.根据权利要求1所述的一种聚合物微球体的处理设备，其特征在于，所述罐体(1)上设置有温度传感器(7)和湿度传感器(8)，用于检测罐体(1)内的温度和湿度。3.根据权利要求1所述的一种聚合物微球体的处理设备，其特征在于，所述罐体(1)上设置有带密封盖的进料口(5)和出料口(6)，所述进料口(5)...

【专利技术属性】
技术研发人员：张莉娟，
申请(专利权)人：上海芯谦集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：