覆晶薄膜压合的方法技术

本发明专利技术涉及一种覆晶薄膜压合的方法，根据覆晶薄膜的宽度来选择压接参数组，以进行覆晶薄膜与基板的热压合，方法包括测量第一覆晶薄膜的第一宽度，并与一第一参考范围比较，而得出一第一偏差值；根据第一偏差值选择对应的第一压接参数组，将第一覆晶薄膜热压合至一第一基板上；测量第一覆晶薄膜于热压合后的第二宽度，并与第二参考范围比较，而得出第二偏差值；测量第二覆晶薄膜的第三宽度，并与第一参考范围比较，而得出第三偏差值；根据第二偏差值与第三偏差值选择对应的一第二压接参数组，以及将第二覆晶薄膜热压合于第二基板上。本发明专利技术有效降低了覆晶薄膜所产生的产品不合格率，进而减少了进行调整的人力资源。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及覆晶物件压合的方法的相关
，具体地说是一种。
技术介绍
传统制作玻璃基板构装模组包含玻璃覆晶压合(chip on glass; COG)、薄膜覆晶压合(chip on film; C0F)、以及连接至玻璃基板的外部引脚焊接(outer lead bonding; OLB)等方法。 其中薄膜覆晶压合的制作过程包括一预压程序、 一本压程序及检査程序，其中此制程使用一 压接设备(以下称COF压接机)对一覆晶薄膜进行预压程序，此压接设备可先进行对位，接着， COF压接机便对此覆晶薄膜进行本压程序，使得此覆晶薄膜可被固定于玻璃基板上，才进行后 续之检查程序。而COF压接机的工作原理是通过高温及一定压力下，使覆晶薄膜与玻璃基板之间的一导电 胶膜内的导电粒子露出，实现覆晶薄膜与玻璃基板的连接以及使覆晶薄膜上的线路与玻璃基 板的线路电气相通。此外，当检查程序检查出覆晶薄膜上的线路与玻璃基板的线路于本压程 序后产生偏移时，便依据其偏移值调整COF压接机下一次压合覆晶薄膜的压接参数。然而，上述传统的检查程序仅根据覆晶薄膜的偏移值作调整，却无法根据覆晶薄膜预压 前的宽度或者是覆晶薄膜因高温压合所导致膨胀延展的程度进行压接参数的调整，如此，便 需投入大量人力进行调整，以降低不良位移所产生的产品不合格率。
技术实现思路
本专利技术的目的是在提供一种，根据覆晶薄膜的宽度来修正热压合机 台压合时的压接参数组，以求降低覆晶薄膜所产生的产品不合格率，进而减少进行调整的人 力。根据上述目的，本专利技术提供一种，根据不同的压接参数组进行覆晶 薄膜与基板的热压合，包括以下歩骤(a)测量一第一覆晶薄膜的一第一宽度，并与一第一参 考范围比较，得出一第一偏差值；(b)根据所述的第一偏差值选择对应的一第一压接参数组， 将所述的第一覆晶薄膜热压合至一第一基板上；(c)测量所述的第一覆晶薄膜于热压合后的 一第二宽度，并与一第二参考范围比较，得出一第二偏差值；(d)测量一第二覆晶薄膜的一第 三宽度，并与所述的第一参考范围比较，得出一第三偏差值；(e)根据所述的第二偏差值与第三偏差值选择对应的一第二压接参数组，将所述的第二覆晶薄膜热压合于第二基板上。本专利技术的一较佳实施例中，所述的第一压接参数组与第二压接参数组至少包括热压合时 间、热压合温度与热压合压力的其中之一。此较佳实施例于上述步骤(b)中，(l)当第一偏差值为O，则不调整第一压接参数组的修正 设定；(2)当第一偏差值大于0，则降低第一压接参数组的修正设定；反之(3)当第一偏差值小 于0，则提高第一压接参数组的修正设定。此较佳实施例于上述步骤(e)中，将第二偏差值乘上一第一权重，得到一加权后第二偏差 值，并将第三偏差值乘上一第二权重，得到一加权后第三偏差值，再根据加权后第二偏差值 与加权后第三偏差值选择对应的第二压接参数组。当加权后第二偏差值与加权后第三偏差值相加之和为O，则不调整该第二压接参数组的设 定；当加权后第二偏差值与加权后第三偏差值相加之和大于O,则降低第二压接参数组的设定； 当该加权后第二偏差值与该加权后第三偏差值相加之和小于O，则提高该第二压接参数组的设 定。本专利技术的有益效果在于通过根据覆晶薄膜的宽度来修正热压合机台压合时的压接参数 组，降低了覆晶薄膜所产生的产品不合格率，进而减少了进行调整的人力资源。附图说明图l为本专利技术的中较佳实施例的流程示意图。具体实施例方式以下结合附图及实施例对本专利技术作进一步描述。一种，适用于一液晶显示模组的制程中，应用一压接设备，对一覆晶 薄膜(chip on film; COF)依序进行预压程序(pre-bonding process)及本压程序(main-bonding process),以将覆晶薄膜热压合于一玻璃基板上，并根据覆晶薄膜在预压程序前或本压程序后 的宽度来调整及修正压接设备的压接参数组，使压接设备能准确地将覆晶薄膜热压合于玻璃 基板上，而压接参数组至少包括热压合时间、热压合温度与热压合压力的其中之一。此方法 的一较佳实施例的流程如图l所示，其详细的流程描述如下步骤(101)测量一第一覆晶薄膜的一第一宽度，并与一第一参考范围比较，而得出一第 一偏差值本步骤在对第一覆晶薄膜进行预压程序前，先测量第一覆晶薄膜的第一宽度w，并将第一宽度W与一第一参考范围(a b)加以比较，可计算而得出两者间相差的第一偏差值。第一参考 范围(a~b)可能是以往的经验值(例如45土0.05微米)或厂商给的预设数值资料等，其中a、 b均为正数。步骤(102)依据第一偏差值选择对应的一第一压接参数组，将第一覆晶薄膜热压合至一 第一基板上本步骤依据第一偏差值所对应的压接参数组对第一片覆晶薄膜进行本压程序，将覆晶薄膜热压合于第一基板(如玻璃基板)上，形成覆晶薄膜与第一基板的电气导接。于此较佳实 施例中，选择对应第一压接参数组的依据为(1)当第一偏差值为0，即当第一宽度W落于第一参考范围(a b)中，则不调整第一压接参数组的修正级别设定，例如，直接采用原热压合时间、 热压合温度与或热压合压力的值作为第一压接参数组；(2)当第一偏差值大于0，即当第一宽度 W大于第一参考范围的最大值b (第一偏差值Xl-W-bX)),则降低第一压接参数组的设定，例 如至少调低热压合时间、热压合温度与热压合压力的其中之一；反之，(3)当第一偏差值小于0， 即第一宽度小于第一参考范围(第一偏差值Xl-W-aO)的最小值，则提高第一压接参数组的 设定，例如至少提高热压合时间、热压合温度与热压合压力的其中之一。步骤(103)测量第一覆晶薄膜于热压合后的一第二宽度，并与一第二参考范围比较，而得出一第二偏差值此步骤主要是进行检查程序，并测量第一片覆晶薄膜热压合后的第二宽度，因为覆晶薄膜 于本压程序的热压合后会延展而改变其宽度。并将此己压合的第一片覆晶薄膜的第二宽度与一第二参考范围加以比较，计算两者间相差的第二偏差值。这个第二参考范围(A B)的数 值A(或B)可不同于第一参考范围的a(或b),但概念与上述的第一参考范围相同，第二参考范围 可能是以往的经验值(例如50土0.05微米)或厂商给的预设数值资料，其中A与B均为正数。 步骤(104)测量一第二覆晶薄膜的一第三宽度，并与第一参考范围比较，而得出一第三 偏差值。步骤(105)依据第二偏差值与第三偏差值选择对应的一第二压接参数组，将第二覆晶薄 膜热压合于第二基板上。本步骤中，同时参考第二偏差值及第三偏差值来选择对应的第二压接参数组，并对第二覆 晶薄膜进行本压程序，降低覆晶薄膜的产品不合格率。此较佳实施例所选择对应第二压接参数组的依据为，先将第二偏差值乘上一第一权重，得 到一加权后第二偏差值，并将第三偏差值乘上一第二权重，得到一加权后第三偏差值，后依 据加权后第二偏差值与加权后第三偏差值选择对应的一第二压接参数组。需注意的是，使用者可依据当时的情形或者需求而分别决定本压程序后延展覆晶薄膜宽度 或预压程序前原始覆晶薄膜宽度的第一权重和第二权重，权重越高的代表希望以其作为决定 第二压接参数组的主要依据，例如当第一权重与第二权重的比例为l: 10时，此时第三偏差值 为决定第二压接参数组的较主要依据。当加权后第二偏差值与加权后第三偏差值相加之和为O，则本文档来自技高网...

【技术保护点】
覆晶薄膜压合的方法，根据不同的压接参数组进行覆晶薄膜与基板的热压合，其特征在于包括以下步骤：　（ａ）测量一第一覆晶薄膜的一第一宽度，并与一第一参考范围比较，得出一第一偏差值；　（ｂ）根据所述的第一偏差值选择对应的一第一压接参数组，将所述的第一覆晶薄膜热压合至一第一基板上；　（ｃ）测量所述的第一覆晶薄膜于热压合后的一第二宽度，并与一第二参考范围比较，得出一第二偏差值；　（ｄ）测量一第二覆晶薄膜的一第三宽度，并与所述的第一参考范围比较，得出一第三偏差值；（ｅ）根据所述的第二偏差值与第三偏差值选择对应的一第二压接参数组，将所述的第二覆晶薄膜热压合于第二基板上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘金华，
申请(专利权)人：友达光电上海有限公司，友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]