本申请实施例提拱了一种氮气吹扫装置及晶圆激光处理系统，属于晶圆加工技术领域。氮气吹扫装置装配于激光处理系统上，以用于对晶圆进行吹扫，氮气吹扫装置包括基座、第一吹扫通道和回收通道，基座具有沿其厚度方向的第一表面和第二表面，第二表面相较于第一表面更靠近于晶圆，基座开设有贯穿第一表面和第二表面的通孔，通孔用于供激光处理系统发出的激光穿过；第一吹扫通道的第一进气口连接有第一吹气装置，以用于向第一吹扫通道提供氮气；回收通道用于将吹出后的气流回收并向外排出，其中，通孔在第一表面处盖设有保护镜片，第一吹扫通道的出气口与通孔相通，以通过通孔向晶圆进行氮气吹扫。这种结构的氮气吹扫装置能够改善晶圆的加工质量。圆的加工质量。圆的加工质量。
【技术实现步骤摘要】
一种氮气吹扫装置及晶圆激光处理系统
[0001]本申请涉及晶圆加工
，具体而言，涉及一种氮气吹扫装置及晶圆激光处理系统。
技术介绍
[0002]激光作用于半导体晶圆片，对半导体晶圆片的表面进行加工处理，对于这个过程的认识，一般是认为激光能量被衬底材料所吸收，转化成为热能，并使衬底材料产生显著的升温，通过高温热作用的方式产生所需的加工效果。目前，在对晶圆片进行激光热处理过程中存在加工加工质量不高的问题。
技术实现思路
[0003]本申请实施例提供一种氮气吹扫装置及晶圆激光处理系统，能够改善晶圆的加工质量。
[0004]第一方面，本申请实施例提供了一种氮气吹扫装置，氮气吹扫装置装配于激光处理系统上，以用于对晶圆进行吹扫，氮气吹扫装置包括基座、第一吹扫通道和回收通道，基座具有沿其厚度方向的第一表面和第二表面，第二表面相较于第一表面更靠近于晶圆，基座开设有贯穿第一表面和第二表面的通孔，通孔用于供激光处理系统发出的激光穿过；第一吹扫通道设于基座，第一吹扫通道的第一进气口连接有第一吹气装置，以用于向第一吹扫通道提供氮气；回收通道用于将吹出后的气流回收并向外排出，其中，通孔在第一表面处盖设有保护镜片，第一吹扫通道的出气口与通孔相通，以通过通孔向晶圆进行氮气吹扫。
[0005]在本方案中，通过在基座上设置有第一吹扫通道，第一吹扫通道可以向基座与晶圆之间的加工区进行氮气吹扫，降低加工区的氧浓度，提高晶圆的加工质量，而回收通道可以将吹出的氮气回收排走。基座上的通孔用来供激光穿过，以对晶圆进行加工，本方案中巧妙的将第一吹扫通道的出气口与通孔相通，并在通孔处盖设有保护镜片，保护镜片对通孔的上端进行封闭，从而起到引导氮气朝向加工区吹扫的同时并供激光穿过实现对晶圆进行加工，满足晶圆的加工需求的作用，还可以防止晶圆热处理过程中的渣滓颗粒乱溅而误伤激光处理系统的作用。另外，这里的通孔也具有双重作用，既可以用来供激光穿过基座对晶圆进行加工，满足晶圆的加工需求，又用来作为第一吹扫通道的出气孔对加工区进行氮气吹扫，并与激光处理系统的激光头同轴设置，以通孔为圆心，第一吹扫通道吹出的氮气向通孔的四周延伸，有效防止外部渣滓进入于加工区内而影响晶圆的加工。
[0006]在一些实施例中，基座内还设有第二吹扫通道，第二吹扫通道的第二进气口连接有第二吹气装置，以用于向第二吹扫通道提供氮气，第二吹扫通道的出气口位于通孔与回收口之间。
[0007]上述技术方案中，通过在基座内设置有第二吹扫通道，第二吹扫通道位于通孔的外侧，第二吹扫通道吹出的氮气可以进一步扩大氮气吹扫的范围，避免外部空气进入以保证加工区内的低浓度，第二吹扫通道与第一吹扫通道两者共同配合，提高了晶圆的加工质
量。
[0008]在一些实施例中，第二表面上在通孔的外周侧设置有与第二吹扫通道相通的第一环形槽，第一环形槽构成第二吹扫通道的出气口，以用于向晶圆吹出环形气流。
[0009]上述技术方案中，通过在基座上设置有第一环形槽，即第二吹扫通道吹出的氮气在通孔的周侧形成有氮气气帘，从而进一步稳定加工区的氮气含量，降低加工区的氧气浓度。
[0010]在一些实施例中，第二表面上还设有与回收通道相通的第二环形槽，第二环形槽环绕设置在第一环形槽的外周侧，第二环形槽构成回收通道的回收口，以用于供气流流入于回收通道内。
[0011]上述技术方案中，通过第二环形槽构成回收通道的回收口，使得回收通道能够对加工区溢出的氮气进行有效回收。
[0012]在一些实施例中，第一吹扫通道的第一进气口的数量设为多个。
[0013]在本实施例中，第一吹扫通道的第一进气口的数量设为两个，即进气管设为两个。
[0014]在一些实施例中，第二吹扫通道的第二进气口的数量设为多个。
[0015]在本实施例中，第二吹扫通道的第二进气口的数量设为两个。
[0016]在一些实施例中，在通孔与第一环形槽之间，基座上还设有氧浓度检测通道，氧浓度检测通道内设有氧浓度传感器，以用于监测基座与晶圆之间的氧气浓度。
[0017]上述技术方案中，通过在基座上设置有氧浓度检测通道以及氧浓度传感器，氧浓度传感器将加工区的氧浓度反馈给电脑，形成闭环控制，实时控制氮气流量。将氧浓度检测通道设置在通孔与第一环形槽之间，使得氧浓度通道所测得的氧浓度值更加贴近于加工区中心的氧浓度，能够更加精准的判断加工区内的氧浓度值。
[0018]在一些实施例中，通孔在第一表面处具有阶梯部，保护镜片与阶梯部之间可拆卸地连接。
[0019]上述技术方案中，通过在通孔的上端面形成有阶梯部，利用阶梯部的台阶面与保护镜片之间实现插接配合，便于后续保护镜片的装拆。
[0020]在一些实施例中，基座上设置有连接板。
[0021]上述技术方案中，通过在基座上设置有连接板，在本实施例中，连接板垂直于基座设置，所述连接板设置有安装孔，这样便于将基座安装于激光处理系统上，拆卸时也更加方便快捷。
[0022]第二方面，本申请还提供了一种晶圆激光处理系统，晶圆激光处理系统包括激光处理系统以及前述的氮气吹扫装置，基座与激光处理系统连接，且激光处理系统中的激光头与通孔同轴设置。
[0023]本方案中的有益效果为：氮气吹扫装置第一吹扫通道的设置，具有在激光加工的同时能对加工区进行氮气吹扫，降低加工区的氧浓度，提高晶圆的加工质量，同时防止其它渣滓进入加工区。并且该氮气吹扫装置在兼具第一吹扫通道实现同轴吹氮气的同时，在通孔的周围设置有第二吹扫通道，使得通孔的周侧有一圈气帘氮气在吹扫，提高氮气吹扫的效果，在外层设置有回收通道，利用烟雾净化器将溢出的氮气和加工形成的颗粒吸走，提高晶圆的加工质量。
[0024]本申请的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0026]图1为本申请一些实施例提拱的一种氮气吹扫装置的结构示意图；
[0027]图2为图1的仰视图；
[0028]图3为图2中A
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A的剖视图；
[0029]图4为图3的局部示意图。
[0030]图标：10
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基座；11
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第一表面；12
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第二表面；13
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通孔；14
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第一环形槽；15
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第二环形槽；20
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保护镜片；30
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第一吹扫通道；31
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第一进气口；40
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第二吹扫通道；41
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第二进气口；50
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回收通道；60
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种氮气吹扫装置，装配于激光处理系统上，以用于对晶圆进行吹扫，其特征在于，包括：基座，具有沿其厚度方向的第一表面和第二表面，所述第二表面相较于所述第一表面更靠近于所述晶圆，所述基座开设有贯穿所述第一表面和所述第二表面的通孔，所述通孔用于供激光处理系统发出的激光穿过；第一吹扫通道，设于所述基座，所述第一吹扫通道的第一进气口连接有第一吹气装置，以用于向所述第一吹扫通道提供氮气；回收通道，所述回收通道用于将吹出后的气流回收并向外排出；其中，所述通孔在所述第一表面处盖设有保护镜片，所述第一吹扫通道的出气口与所述通孔相通，以通过所述通孔向所述晶圆进行氮气吹扫。2.如权利要求1所述的氮气吹扫装置，其特征在于，所述基座内还设有第二吹扫通道，所述第二吹扫通道的第二进气口连接有第二吹气装置，以用于向所述第二吹扫通道提供氮气，所述第二吹扫通道的出气口位于所述通孔与所述回收通道之间。3.如权利要求2所述的氮气吹扫装置，其特征在于，所述第二表面在所述通孔的外周侧设置有与所述第二吹扫通道相通的第一环形槽，所述第一环形槽构成所述第二吹扫通道的出气口，以用于向所述晶圆吹出环形气流。4.如权利要求3所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈永智，潘冬，
申请(专利权)人：成都莱普科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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