ITO蚀刻液和蚀刻液的制备及使用方法技术

本发明专利技术公开了一种ITO蚀刻液和蚀刻液的制备及使用方法，其中铜缓蚀剂包括改性的苯并咪唑类化合物，该铜缓蚀剂可应用于ITO蚀刻液。该ITO蚀刻液针对双层/多层金属基材，其在蚀刻ITO时，不攻击上层的铜或铜镍合金，能够有效控制蚀刻速率、侧蚀、不易腐蚀铜层。不易腐蚀铜层。不易腐蚀铜层。

【技术实现步骤摘要】
ITO蚀刻液和蚀刻液的制备及使用方法


[0001]本专利技术涉及触控及显示
，具体而言，涉及ITO蚀刻液和蚀刻液的制备及使用方法。

技术介绍

[0002]电容式触摸屏中有一种Sensor结构是铜+ITO(高温)，其线路制作方式是二步蚀刻法，即先蚀刻铜，再蚀刻ITO，如图1所示。目前的ITO蚀刻液主要硝酸、盐酸、护铜剂等组成，但还存在下面固有的问题：
[0003]1、蚀刻ITO过程中不能够保护好铜镍，对铜镍的腐蚀性大，造成侧蚀偏大。
[0004]2、蚀刻液寿命短，随着ITO蚀刻液使用，其护铜能力减弱或失效。
[0005]随着触摸屏Sensor线宽/线距要求越来越小及对生产效率要求越来越高，低侧蚀、长寿命的药液是厂商所追求的。
[0006]鉴于此，特提出本专利技术。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的在于提供ITO蚀刻液和蚀刻液的制备及使用方法。
[0008]本专利技术是这样实现的：
[0009]第一方面，本专利技术提供一种铜缓蚀剂，包括改性的苯并咪唑类化合物，所述改性的苯并咪唑类化合物的结构如式I所示：
[0010][0011]式中，R为
‑
H、
‑
(CH2)(n
‑
1)CH3、
‑
OH、
‑
CH2OH、
‑
Cl、
‑
Br或
‑
F，其中n的取值为1、2或3。
[0012]第二方面，本专利技术提供一种ITO蚀刻液，包括无机混合酸和前述实施方式所述苯并咪唑类化合物。
[0013]在可选的实施方式中，包括无机混合酸15
‑
22.5重量份和所述苯并咪唑类化合物0.05
‑
0.5重量份；
[0014]优选地，所述无机混合酸包括硝酸0.6
‑
2.5重量份和盐酸14.5
‑
21.5重量份。
[0015]在可选的实施方式中，还包括有机酸和/或有机酸盐；
[0016]优选地，包括所述有机酸和/或有机酸盐0.5
‑
5重量份。
[0017]优选地，所述有机酸包括一元羧酸、二元羧酸和三元羧酸中的至少一种；
[0018]优选地，所述羧酸包括丁酸、苯甲酸、乙醇酸、乳酸、丙二酸、亚氨基二乙酸、酒石酸、苹果酸、柠檬酸、氨基三乙酸和羟乙基乙二胺三乙酸中的至少一种；
[0019]优选地，所述有机酸盐包括柠檬酸钠和乙二胺四乙酸四钠盐中的至少一种。
[0020]在可选的实施方式中，还包括式II所示化合物：
[0021][0022]式II中，R1和R2独立地为
‑
H、
‑
OH和
‑
CH2OH、
‑
(CH2)(n1‑
1)CH3或
‑
(CH2)n2‑
O
‑
(CH2)n3CH3，其中n1、n2、n3的取值独立地为1、2或3；
[0023]优选地，包括式II所示化合物1
‑
10重量份。
[0024]在可选的实施方式中，还包括硫脲类化合物；
[0025]优选地，所述硫脲类化合物包括二邻甲苯硫脲、硫脲、苯硫脲、亚乙基硫脲中的至少一种；
[0026]优选地，包括硫脲类化合物0.02
‑
0.5重量份。
[0027]在可选的实施方式中，还包括非离子表面活性剂0.01
‑
0.3重量份；
[0028]优选地，所述非离子表面活性剂包括丙三醇、异丙醇、聚乙二醇200
‑
2000、苯酚聚氧乙烯醚中的至少一种。
[0029]在可选的实施方式中，按质量百分数计，所述ITO蚀刻液包括15
‑
22.5％的无机混合酸、0.05
‑
0.5％的苯并咪唑类化合物、0.5
‑
5％的有机酸/有机酸盐、1
‑
10％的四氢呋喃类有机溶剂、0.02
‑
0.5的硫脲类化合物、0.01
‑
0.3％的表面活性剂以及余量为水；
[0030]优选地，按质量百分数计，包括16.5
‑
20％的无机混合酸、0.1
‑
0.3％的苯并咪唑类化合物、1
‑
3％的有机酸/有机酸盐、3
‑
8％的四氢呋喃类有机溶剂、0.05
‑
0.3％的硫脲类化合物、0.05
‑
0.25％的表面活性剂以及余量为水。
[0031]第三方面，本专利技术提供一种ITO蚀刻液的制备方法，将前述实施方式任意一项所述ITO蚀刻液中的各组分按比例混合。
[0032]第四方面，本专利技术提供一种ITO蚀刻液的使用方法，将待刻蚀产品置于45
‑
55℃的前述实施方式任意一项所述ITO蚀刻液中刻蚀1
‑
3min。
[0033]本专利技术具有以下有益效果：
[0034]本申请中采用改性的苯并咪唑类化合物作为铜层的缓蚀剂，应用于ITO蚀刻液时，能够在正常蚀刻ITO时，不攻击上层的铜或铜镍合金，有效控制铜/ITO的蚀刻速率、蚀刻性能稳定；相比于现有技术中蚀刻液，技术效果改善显著，应用前景较为广阔。
附图说明
[0035]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0036]图1为现有技术中两步刻蚀法的流程图。
具体实施方式
[0037]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本专利技术实施例中
的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
[0038]本实施例提供一种铜缓蚀剂，包括改性的苯并咪唑类化合物，所述改性的苯并咪唑类化合物的结构如式I所示：
[0039][0040]式中，R为
‑
H、
‑
(CH2)(n
‑
1)CH3、
‑
OH、
‑
CH2OH、
‑
Cl、
‑
Br或
‑
F，其中n的取值为1、2或3。
[0041]在一些优选的实施方式中，考虑到其水溶性等问题，式I化合物中R取代基为Cl、Br和F，若R取代基为其他基团，助溶剂的用量会增加。
[0042]唑类化合物与铜形成配位物吸附在铜表面上，降低盐酸对铜的氧化电位，阻止铜被攻击，从而获得理想的蚀刻形貌。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铜缓蚀剂，其特征在于，包括改性的苯并咪唑类化合物，所述改性的苯并咪唑类化合物的结构如式I所示：式中，R为
‑
H、
‑
(CH2)(n
‑
1)CH3、
‑
OH、
‑
CH2OH、
‑
Cl、
‑
Br或
‑
F，其中n的取值为1、2或3。2.一种ITO蚀刻液，其特征在于，包括无机混合酸和权利要求1所述苯并咪唑类化合物。3.根据权利要求2所述的ITO蚀刻液，其特征在于，包括无机混合酸15
‑
22.5重量份和所述苯并咪唑类化合物0.05
‑
0.5重量份；优选地，所述无机混合酸包括硝酸0.6
‑
2.5重量份和盐酸14.5
‑
21.5重量份。4.根据权利要求2所述的ITO蚀刻液，其特征在于，还包括有机酸和/或有机酸盐；优选地，包括所述有机酸和/或有机酸盐0.5
‑
5重量份；优选地，所述有机酸包括一元羧酸、二元羧酸和三元羧酸中的至少一种；优选地，所述羧酸包括丁酸、苯甲酸、乙醇酸、乳酸、丙二酸、亚氨基二乙酸、酒石酸、苹果酸、柠檬酸、氨基三乙酸和羟乙基乙二胺三乙酸中的至少一种；优选地，所述有机酸盐包括柠檬酸钠和乙二胺四乙酸四钠盐中的至少一种。5.根据权利要求2所述的ITO蚀刻液，其特征在于，还包括式II所示化合物：式II中，R1和R2独立地为
‑
H、
‑
OH和
‑
CH2OH、
‑
(CH2)(n1‑
1)CH3或
‑
(CH2)n2‑
O
‑
(CH2)n3CH3，其中n1、n2、n3的取值独立地为1、2或3；优选地，包括式II所示化合物1
...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨志锋，何剑明，宋振，王晓君，
申请(专利权)人：广州微纳芯材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：