【技术实现步骤摘要】
一种正性光刻厚胶组合物及正性光刻厚胶和MEMS受力元件
[0001]本专利技术涉及电子化学品
,具体而言,涉及一种正性光刻厚胶组合物及正性光刻厚胶和MEMS受力元件。
技术介绍
[0002]在集成电路工艺里,一般用光刻胶作为牺牲层来制作元件。先把要制作的图形用光刻的方法做在光刻胶上,然后用湿法刻蚀或者干法刻蚀的方法去掉裸露的基底层,然后再用去胶液去掉光刻胶,得到所需的图形。
[0003]用于湿法刻蚀中的牺牲层,特别是在深刻蚀中,一般要求光刻胶具有较好的抗刻蚀能力和附着力,这样才能避免保护层受到腐蚀。
[0004]微机电系统(MEMS),也叫做微电子机械系统、微系统、微机械等,指尺寸在几毫米乃至更小的高科技装置。微机电系统其内部结构一般在微米甚至纳米量级,是一个独立的智能系统。
[0005]LIGA技术中的一个重要步骤就是利用光刻厚胶制作初级模板,利用紫外厚胶光刻技术于LIGA技术相结合而形成的UV
‑
LIGA技术,是高深宽比微机械加工技术HARMST(High
‑
aspect
‑
tatio Microsystems Technology)的关键工艺。采用光刻厚胶制作的初级模板,可以制造具有高深宽比、结构精细、侧壁陡峭、表面光滑的三维微机械器件,如MEMS加速度计、MEMS麦克风、微马达、微泵、微振子、MEMS光学传感器、MEMS压力传感器、MEMS陀螺仪、MEMS湿度传感器、MEMS气体传感器等。
[0006]光刻厚胶光刻技术 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种正性光刻厚胶组合物,其特征在于,所述正性光刻厚胶组合物包括酚醛树脂;所述酚醛树脂包括第一酚醛树脂以及第二酚醛树脂;其中,所述第一酚醛树脂为甲醛、二甲酚以及甲基苯酚的缩聚物,所述第一酚醛树脂的重均分子量为30000
‑
60000g/mol,熔点为155
‑
185℃,碱溶速率为80
‑
120埃/秒;所述第二酚醛树脂为甲醛和甲基苯酚的缩聚物,所述第二酚醛树脂的重均分子量为5000
‑
7000g/mol,熔点为140
‑
160℃,碱溶速率为250
‑
350埃/秒;优选地,所述第一酚醛树脂以及所述第二酚醛树脂的质量比1
‑
9:1。2.根据权利要求1所述的正性光刻厚胶组合物,其特征在于,所述正性光刻厚胶组合物还包括光敏剂;优选地,所述光敏剂为非离子型的磺酸酯类光敏剂;优选地,所述光敏剂具有以下结构式的重氮萘醌磺酸酯类光敏剂:其中,R=H或3.根据权利要求1所述的正性光刻厚胶组合物,其特征在于,所述正性光刻厚胶组合物还包括溶剂;优选地,所述溶剂包括丙二醇甲醚醋酸酯、乙二醇甲醚醋酸酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、乙醇
‑3‑
乙氧基丙酸酯、丙二醇单甲醚、二乙二醇甲乙醚、三乙二醇乙醚、环己酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、四氢呋喃以及二甲基乙酰胺中的至少一种。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的正性光刻厚胶组合物,其特征在于,所述正性光刻厚胶组合物还包括附着力促进剂;优选地,所述附着力促进剂包括γ
‑
缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、3
‑
(2,3
‑
环氧丙氧)丙基甲基二甲氧基硅烷、γ
‑
缩水甘油醚氧丙基三乙氧基硅烷、β
‑
(3、4环氧环己基)
‑
乙基三乙氧基硅烷、β
‑
(3、4环氧环己基)
‑
乙基三甲氧基硅烷、3
‑
(2,3
‑
环氧丙氧)丙基甲基二乙氧基硅烷、γ
‑
氨丙基三乙氧基硅烷、γ
‑
氨丙基三甲氧基硅烷、γ
‑
氨丙基甲基二乙氧基硅烷、γ
‑
氨丙基甲基二甲氧基硅烷、N
‑
苯基
‑
γ
‑
氨丙基三甲氧基硅烷、N
‑
β
‑
(氨乙基)
‑
γ
‑
氨丙基甲基二甲氧基硅烷、N,N
‑
二乙基
‑3‑
氨丙基三甲氧基硅烷、N
‑
β
‑
(氨乙基)
‑
γ
‑
氨丙基三甲氧基硅烷、γ
‑
二乙烯三氨基丙基三甲氧基硅烷、γ
‑
二乙胺基甲基三乙氧基硅烷、N
‑
苯氨基甲基三乙氧基硅烷、双
‑
(γ
‑
三甲氧基硅丙基)胺、双(3
‑
三乙氧基硅丙基)胺、4
‑
氨基
‑
3,3
‑
二甲基丁基三甲氧基硅烷、3
‑
(2
‑
氨乙基)
‑
氨丙基三乙氧基硅烷、3
‑
(N,N
‑
二甲基胺丙基)
‑
氨丙基甲基二甲氧基硅烷、(N,N
‑
二甲基
‑3‑
氨丙基)三甲氧基硅烷、N
‑
(正丁...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄顺礼,刘昱言,宋振,
申请(专利权)人:广州微纳芯材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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