感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物、以及使用上述感光化射线性或感放射线性树脂组合物的抗蚀剂膜、图案形成方法、及能够通过电子器件的制造方法形成CDU优异的图案的感光化射线性或感放射线性树脂组合物、以及使用上述感光化射线性或感放射线性树脂组合物的抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法，所述感光化射线性或感放射线性树脂组合物含有酸分解性树脂A及酸分解性树脂B，其中，关于上述树脂A和上述树脂B，具有酸分解性基团的重复单元的摩尔基准的含有率的差的绝对值为5～20摩尔％，酸分解性基团的结构相同，质量基准的含有率的比为10/90～90/10，重均分子量的差的绝对值为100～5000，分子量分布的差的绝对值为0.05以上。分布的差的绝对值为0.05以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法。

技术介绍

[0002]在IC(Integrated Circuit、集成电路)及LSI(Large Scale Integrat ed circuit、大规模集成电路)等半导体器件的制造工艺中，通过使用感光化射线性或感放射线性树脂组合物的光刻进行微细加工。
[0003]作为光刻方法，可以举出由感光化射线性或感放射线性树脂组合物形成抗蚀剂膜后，对所获得的抗蚀剂膜进行曝光，然后进行显影而形成抗蚀剂图案的方法。
[0004]作为感光化射线性或感放射线性树脂组合物，已知有含有包含具有酸分解性基团的重复单元的树脂(酸分解性树脂)的组合物。
[0005]近年来，还提出了适于使用厚膜抗蚀剂膜的图案形成的感光化射线性或感放射线性树脂组合物(例如，参考专利文献1)。专利文献1中记载了并用2种包含具有酸分解性基团的重复单元的树脂的抗蚀剂组合物。
[0006]以往技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：国际公开第2017/078031号

技术实现思路

[0009]专利技术要解决的技术课题
[0010]虽然在专利文献1中公开了一种能够形成具有灵敏度良好且优异的剖面形状的图案的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，但是，根据本专利技术人等的研究可知，对于显示晶圆面内的图案尺寸的均匀性的CDU(Critical Demensio n Uniformity：临界尺寸均匀性)有进一步提高的余地。
[0011]本专利技术的课题在于提供一种能够形成CDU优异的图案的感光化射线性或感放射线性树脂组合物、以及使用上述感光化射线性或感放射线性树脂组合物的抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法。
[0012]用于解决技术课题的手段
[0013]本专利技术人等发现了通过以下结构能够解决上述课题。
[0014]<1>
[0015]一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其含有树脂(A)和树脂(B)，所述树脂(A)包含具有酸分解性基团的重复单元，所述树脂(B)包含具有酸分解性基团的重复单元，
[0016]上述树脂(A)中的上述具有酸分解性基团的重复单元的摩尔基准的含有率G
A
与上
述树脂(B)中的上述具有酸分解性基团的重复单元的摩尔基准的含有率G
B
的差的绝对值即|G
A
‑
G
B
|为5摩尔％以上且20摩尔％以下，
[0017]上述树脂(A)中的上述酸分解性基团与上述树脂(B)中的上述酸分解性基团具有相同的结构，
[0018]相对于上述感光化射线性或感放射线性树脂组合物中的总固体成分的，上述树脂(A)的质量基准的含有率S
A
与上述树脂(B)的质量基准的含有率S
B
的比即S
A
/S
B
为10/90～90/10，
[0019]上述树脂(A)的重均分子量Mw
A
与上述树脂(B)的重均分子量Mw
B
的差的绝对值即|Mw
A
‑
Mw
B
|为100以上且5000以下，
[0020]上述Mw
A
除以上述树脂(A)的数均分子量Mn
A
而得的值即上述树脂(A)的分子量分布Mw
A
/Mn
A
与上述Mw
B
除以上述树脂(B)的数均分子量Mn
B
而得的值即上述树脂(B)的分子量分布Mw
B
/Mn
B
的差的绝对值即|Mw
A
/Mn
A
‑
Mw
B
/Mn
B
|为0.05以上。
[0021]<2>
[0022]根据<1>所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，
[0023]上述树脂(A)及上述树脂(B)所包含的上述具有酸分解性基团的重复单元由下述通式(Aa2)表示。
[0024][化学式1][0025][0026]通式(Aa2)中，R
101
表示氢原子、氟原子、碘原子、烷基或芳基，R
102
表示通过酸的作用而脱离的基团。
[0027]<3>
[0028]根据<1>或<2>所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，
[0029]上述S
A
/S
B
为40/60～60/40。
[0030]<4>
[0031]根据<1>至<3>中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其在25℃下的粘度为10～100mPa
·
s。
[0032]<5>
[0033]根据<1>至<4>中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，
[0034]上述|G
A
‑
G
B
|为10摩尔％以上且20摩尔％以下。
[0035]<6>
[0036]根据<1>至<5>中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，
[0037]上述G
A
为30摩尔％以下。
[0038]<7>
[0039]根据<1>至<6>中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，
[0040]上述|Mw
A
/Mn
A
‑
Mw
B
/Mn
B
|为0.10以上。
[0041]<8>
[0042]根据<1>至<7>中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，
[0043]上述|Mw
A
‑
Mw
B
|为1000以上且5000以下。
[0044]<9>
[0045]根据<1>本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其含有树脂A和树脂B，所述树脂A包含具有酸分解性基团的重复单元，所述树脂B包含具有酸分解性基团的重复单元，所述树脂A中的所述具有酸分解性基团的重复单元的摩尔基准的含有率G
A
与所述树脂B中的所述具有酸分解性基团的重复单元的摩尔基准的含有率G
B
的差的绝对值即|G
A
‑
G
B
|为5摩尔％以上且20摩尔％以下，所述树脂A中的所述酸分解性基团与所述树脂B中的所述酸分解性基团具有相同的结构，相对于所述感光化射线性或感放射线性树脂组合物中的总固体成分的、所述树脂A的质量基准的含有率S
A
与所述树脂B的质量基准的含有率S
B
的比即S
A
/S
B
为10/90～90/10，所述树脂A的重均分子量Mw
A
与所述树脂B的重均分子量Mw
B
的差的绝对值即|Mw
A
‑
Mw
B
|为100以上且5000以下，所述Mw
A
除以所述树脂A的数均分子量Mn
A
而得的值即所述树脂A的分子量分布Mw
A
/Mn
A
与所述Mw
B
除以所述树脂B的数均分子量Mn
B
而得的值即所述树脂B的分子量分布Mw
B
/Mn
B
的差的绝对值即|Mw
A
/Mn
A
‑
Mw
B
/Mn
B
|为0.05以上。2.根据权利要求1所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，所述树脂A及所述树脂B所包含的所述具有酸分解性基团的重复单元由下述通式(Aa2)表示，通式(Aa2)中，R
101
表示氢原子、氟原子、碘原子、烷基或芳基，R
102
表示通过酸的作用而脱离的基团。3.根据权利要求1或2所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，所述S
A
/S
B
为...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉野文博，富贺敬充，楜泽佑真，田中匠，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：