具有失效保护结构的半导体装置制造方法及图纸

提供了一种半导体装置(1)，包括：壳体，包括：第一壳体电极(4)和第二壳体电极(5)以及管状壳体元件(8)，第一壳体电极(4)和第二壳体电极(5)布置在壳体的相反侧面，管状壳体元件(8)布置在第一壳体电极(4)和第二壳体电极(5)之间并且被构造为将第一壳体电极(4)与第二壳体电极(5)彼此电绝缘；至少一个半导体芯片(20)，其布置在壳体内第一壳体电极(4)和第二壳体电极(5)之间；以及金属防爆护罩(12)，其布置在壳体内，其中，金属防爆护罩(12)被构造为延伸进入在至少一个半导体芯片(20)和管状壳体元件(8)之间形成的空间，使得金属防爆护罩围绕至少一个半导体芯片(20)。少一个半导体芯片(20)。少一个半导体芯片(20)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有失效保护结构的半导体装置


[0001]本公开涉及一种半导体装置。更具体地但非排他地，本公开涉及一种功率半导体装置，其通过在其壳体内布置金属防爆护罩而具有改进的失效模式。

技术介绍

[0002]功率半导体装置可以容纳一个或更多个功率半导体芯片(或管芯)。功率半导体芯片常用于切换大电流和大电压，并且可以包括功率晶体管、功率二极管、以及晶闸管等中的一个或更多个。功率晶体管包括但不限于功率金属
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氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、功率双极结型晶体管(BJT)、以及绝缘栅双极晶体管(IGBT)等。晶闸管包括但不限于集成门极换流晶闸管(IGCT)，以及门极关断晶闸管(GTO)等。功率半导体装置也可以被称为功率模块或功率电子模块。
[0003]功率半导体装置通常具有气密封装。气密封装提供了封闭内部空间的气密密封壳体(或外壳)，并且一个或更多个功率半导体芯片被布置在壳体的内部空间内。气密封装通常填充有惰性气体(例如氮气)以防止湿气、灰尘颗粒和/或其他杂质粒子进入封装，由此确保芯片的正常操作。术语“壳体”和“外壳”在下文中互本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，包括：壳体，其包括：第一壳体电极和第二壳体电极以及管状壳体元件，所述第一壳体电极和所述第二壳体电极布置在所述壳体的相对的侧面，所述管状壳体元件布置在所述第一壳体电极和所述第二壳体电极之间并且被构造为将所述第一壳体电极与所述第二壳体电极彼此电绝缘；至少一个半导体芯片，其布置在所述壳体内所述第一壳体电极和所述第二壳体电极之间；以及金属防爆护罩，其布置在所述壳体内，其中，所述金属防爆护罩被构造为延伸进入在所述至少一个半导体芯片和所述管状壳体元件之间形成的空间，使得所述金属防爆护罩围绕所述至少一个半导体芯片。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少一个半导体芯片包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面和第二相对表面分别面对所述第一壳体电极和所述第二壳体电极，并且其中，所述金属防爆护罩被构造为延伸超过所述第一表面和所述第二表面中的每一个。3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述金属防爆护罩与所述至少一个半导体芯片间隔开。4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述金属防爆护罩包括金属管。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述金属防爆护罩包括附接到所述金属管的自由端部的唇缘，并且所述唇缘从所述金属管的所述自由端部径向地向内延伸。6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，还包括包覆所述金属防爆护罩的介电涂层。7.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述金属防爆护罩包括相对的第一端部和第二端部，并且其中，所述第一端部是电耦合到所述第一壳体电极的固定端部，并且所述第二端部是与所述第二壳体电极间隔开的自由端部。8.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述金属防爆护罩固定地连接到所述第一壳体电极。9.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述壳体还包括第一凸缘以及第二凸缘，所述第一凸缘将所述第一壳体电极与所述管状壳体元件进行连接，所述第二凸缘将所述第二壳体电极与所述管状壳体元件进行连接。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述金属防爆护罩固定地连接到所述第一凸缘。11.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，还包括导电结构，所述导电结构布置在所述至少一个半导体芯片和所述第一壳体电极之间，并且其中，所述导电结构电耦合到所述第一壳体电极和所述至少一个半导体芯片。12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述金属防爆护罩固定地连接到所述导电结构。13.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：株洲中车时代半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：