具有失效模式保护的半导体装置制造方法及图纸

本公开提供了一种半导体装置1，包括：壳体，其包括内部空间；至少一个半导体芯片20，其布置在壳体内；以及隔板13，其布置在壳体内并且被构造为将壳体的内部空间分隔成第一腔室11和第二腔室12，其中，至少一个半导体芯片20布置在第一腔室11内；隔板13包括可变形部分15，并且可变形部分15被构造为当第一腔室11和第二腔室12之间的压力差超过阈值压差或者可变形部分15处的温度超过阈值温度时发生变形，以便将第一腔室11从气密密封的腔室转变为与第二腔室12流体连通的开放腔室。第二腔室12流体连通的开放腔室。第二腔室12流体连通的开放腔室。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有失效模式保护的半导体装置


[0001]本公开涉及一种半导体装置。更具体地但非排他地，本公开涉及一种具有改进的失效模式的功率半导体装置。

技术介绍

[0002]功率半导体装置可以容纳一个或更多个功率半导体芯片(或管芯)。功率半导体芯片常用于切换大电流和大电压，可以包括功率晶体管、功率二极管、晶闸管等中的一个或更多个。功率晶体管包括但不限于功率金属
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氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、功率双极结型晶体管(BJT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)等。晶闸管包括但不限于集成门极换流晶闸管(IGCT)，以及门极关断晶闸管(GTO)等。功率半导体装置也可以被称为功率模块或功率电子模块。
[0003]功率半导体装置通常具有气密封装。气密封装提供了封闭内部空间的气密密封壳体(或外壳)，并且一个或更多个功率半导体芯片被布置在壳体的内部空间内。气密封装通常填充有惰性气体(例如氮气)以防止湿气、灰尘颗粒和/或其他杂质粒子进入封装，由此确保芯片的正常操作。术语“壳体”和“外壳”在下文中可互换使用。
[0004]图1示意性地示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，包括：壳体，所述壳体包括内部空间；至少一个半导体芯片，所述至少一个半导体芯片布置在所述壳体内；以及隔板，所述隔板布置在所述壳体内并且被构造为将所述壳体的所述内部空间分隔成第一腔室和第二腔室，其中，所述至少一个半导体芯片布置在所述第一腔室内；其中，所述隔板包括可变形部分，所述可变形部分被构造为当所述第一腔室与所述第二腔室之间的压力差超过阈值压差或者所述可变形部分处的温度超过阈值温度时发生变形，以便将所述第一腔室从气密密封的腔室转变为与所述第二腔室流体连通的开放腔室。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述可变形部分对压力增加和温度增加中的至少一个的抵抗力小于所述隔板的其他部分。3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一腔室包括惰性气体。4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述可变形部分的所述变形被构造为将所述第二腔室从气密密封的腔室转变为与所述第一腔室流体连通的开放腔室。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，在所述可变形部分的所述变形之前，所述第二腔室具有比所述第一腔室更低的气压。6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述壳体是气密的。7.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，所述第二腔室与所述壳体的外部流体连通。8.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述可变形部分具有圆盘形状。9.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述可变形部分具有比所述隔板的其他部分更小的厚度。10.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述壳体包括第一电极和第二电极以及电绝缘体，所述第一电极和所述第二电极布置在所述至少一个半导体芯片的相对的侧面，所述电绝缘体围绕所述至少一个半导体芯片并且布置在所述第一电极和所述第二电极之间。11.根据从属于权利要求7的权...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：株洲中车时代半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：