半导体器件的测试结构、测试结构版图及其测试方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件的测试结构、测试结构版图及其测试方法。由于该测试结构中，将沿X方向和/或Y方向上的同一行或同一列中的共享金属插塞表面上的第三子金属线串接，然后，在将串接后的多行或多列第一子金属线的末端串接作为第一测试链(假设为奇数行或奇数列的M2)，之后，利用同样的方法，将沿X方向或Y方向上的同一行或同一列中的与所述第三子金属线间隔开的第四子金属线串接(相对于第一测试链，则是偶数行或偶数列的M2)，以形成第二测试链，之后通过测试第一测试链和第二测试链，即奇数行的第二层金属线和偶数行的第二层金属线之间是否存在电流的方式，便可确定出共享金属插塞与其临近的正常金属插塞表面上的金属层M1是否短接。属层M1是否短接。属层M1是否短接。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的测试结构、测试结构版图及其测试方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体器件的测试结构、测试结构版图及其测试方法。

技术介绍

[0002]在现有的芯片设计中，作为逻辑器件的SRAM，例如，F90SRAM器件，为了缩小器件尺寸，通常存在多个MOS管中的一MOS管的源极或漏极和另一MOS管的栅极共用一金属插塞CT(简称为共享金属插塞)的情况，而由于共享金属插塞相比于正常的金属插塞的长度较长，因此，常会出现共享金属插塞与其临近的正常金属插塞表面上的金属层M1短接，进而造成闪存器件失效的问题。
[0003]因此，为了避免发生上述闪存器件失效的问题，如何找到合适的共享金属插塞与金属层M1(或称为第几层金属线)的尺寸成为了该领域迫切解决的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种半导体器件的测试结构、测试结构版图及其测试方法，以通过对可以设置不同尺寸的共享金属插塞与金属线的测试结构进行测试，从而确定出最佳尺寸，并通过该测试结构快速发现半导体器件存在的失效问题。
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的测试结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有器件隔离结构；多个共享金属插塞，位于所述器件隔离结构上，而每一所述共享金属插塞均用于等效SRAM器件中的将一MOS管的源极或漏极和另一MOS管的栅极电连接的导电插塞；第一层金属线，包括多个第一子金属线和多个第二子金属线，一所述第一子金属线覆盖在一所述共享金属插塞的表面上，并与该共享金属插塞电连接，而多个所述第二子金属线则分别位于相邻两个所述第一子金属线之间，即与所述多个第一子金属线间隔排列；第二层金属线，包括多个第三子金属线和多个第四子金属线，一所述第三子金属线覆盖在一所述第一子金属线的表面上，而一所述第四子金属线则覆盖在一所述第二子金属线的表面上，将沿X方向或Y方向上的同一行或同一列中的第三子金属线串接，以形成第一测试链，并将沿X方向或Y方向上的同一行或同一列中的第四子金属线串接，以形成第二测试链。2.如权利要求1所述的半导体器件的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括多个通孔，多个所述通孔位于所述第一层金属线以及第二层金属线之间的金属层间介质中，以用于分别电连接所述第一层金属线以及第二层金属线之间对应的子金属线。3.如权利要求1所述的半导体器件的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括与所述第一测试链电连接的第一测试焊盘和与所述第二测试链电连接的第二测试焊盘。4.一种测试结构版图，其特征在于，所述测试结构版图包括：第一接触孔测试版图，所述第一接触孔测试版图包括多个用于等效SRAM器件中的将一MOS管的源极或漏极和另一MOS管的栅极电连接的导电插塞的共享金属插塞测试图形；第一金属测试版图，所述第一金属测试版图包括多个第一金属图形和与其间隔排列的多个第二金属图形，而多个所述第一金属图形分别覆盖在多个所述共享金属插塞测试图形上，且沿垂直于所述测试结构版图的方向上，多个所述第一金属图形和多个所述共享金属插塞测试图形的投影分别对应有部分或全部重叠；第二接触孔测试版图，所述第二接触孔测试版图包括多个第二接触孔图形，多个所述第二接触孔图形分别对应于多个所述第一金属图形和多个所述第二金属图形上；第二金属测试版图，所述第二金属测试版图包括第一测试链图形和第二测试链图形，所述第一测试链图形包含多个沿X方向或Y方向上延伸并均呈一直条状的第一子测试链图形，而每一所述第一子测试链图形包括沿X方向或Y方向上的将同一行或同一列中的覆盖在多个所述第二接触孔图形上的多个第三金属图形，所述第二测试链图形包含多个沿X方向或Y方向上延伸并均呈一直条状的第二子测试链图形，而每一所述第二子测试链图形包括沿X方向或Y方向上的将同一行或同一列中的覆盖在多个所述第二接触孔图形上的多个第四金属图形。5.如权利要求4所述的测试结构版图，其特征在于，多个所述第三金属图形与多个所述第四金属图形间隔排列，且一所述第三金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹启鹏，付博，王卉，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：